奎宁印迹聚合物的吸附与识别特性的研究

以奎宁为模板分子 ,利用分子印迹技术合成了一种新型的类似于人工受体的印迹聚合物 ,研究了它对奎宁和其它底物的吸附特性和选择性识别能力 ,并对其固相萃取性能做了初步的研究。     

分子束外延生长液晶光阀用ZnSxSe1-x薄膜的研究

描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理 ,并从器件的电学模型出发 ,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求。采用分子束外延技术在ITO导电玻璃上制备了具有 (111)面定向生长结构的ZnSxSe1-x多晶薄膜 ,通过控制反应时的生长参数 ,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜。室温下 ,该薄膜的紫外 /可见光响应对比度大于10 3 ;响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分 ,在 (36 0～ 4 10 )nm范围内连续可调 ;薄膜的暗电阻率在 (4 32× 10 9～ 2 0 3×10 11)Ω·m之间 ,并随着晶粒的增大而减小 ;在液晶光阀工作的低频段 (<2 0 0Hz) ,其光 /暗阻抗比在 0 2 2～ 0 36之间。     

生长温度对等离子体增强化学气相沉积生长ZnO薄膜质量的影响

以Zn(C2 H5) 2 和CO2 为反应源 ,在低温下用等离子体增强化学气相沉积方法 ,在Si衬底上外延生长了高质量的ZnO薄膜。用X射线衍射谱和光致发光谱研究了衬底温度对ZnO薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明 ,在生长温度为2 3 0℃时制备出了高质量 ( 0 0 0 2 )择优取向的ZnO薄膜 ,其半高宽为 0 2 6°。光致发光谱显示出强的紫外自由激子发射与微弱的与氧空位相关的深缺陷发光 ,表明获得了接近化学配比的ZnO薄膜     

电沉积法制备铜分散电极

研究了电沉积制备铜分散电极的方法,通过对阴极极化曲线的测试,考察了电流密度及不同冲击电流方式对铜粉粒度的影响。结果表明:适当的电流密度、合适的分散剂、间歇式的电流是得到较细铜粉的条件。同时对铜分散电极的电化学性质进行初步测试,结果表明铜粉细化以后,铜分散差电池的电动势值有所上升。     

沉积静电效应及防护研究

简述了沉积静电的形成机理；介绍了沉积静电的3种放电形式：跳火花和电弧、表面流光放电、电晕放电；具体讨论了沉积静电放电效应；通过对无沉积静电、轻度沉积静电、严重沉积静电三种条件下电磁场天线接收信号的分析，研究了沉积静电对导航系统的影响；针对沉积静电的危害，从沉积静电防护的目标和具体的防护措施两方面讨论了沉积静电的防护对策。