低温生长GaAs实现半导体泵浦红外激光器被动调Q锁模研究

用低温生长GaAs红外晶体材料作为饱和吸收体兼输出镜，在二极管泵浦全固态激光器上实现了调Q锁模。激光器调Q运转阈值为2W。当注入泵浦功率为3．6W时，调Q锁模开始出现。当注入泵浦功率为8．4W时，平均输出功率达到837mW，调Q包络的重复频率为100kHz，锁模脉冲的重复频率为760MHz。     

大功率连续锁模皮秒激光器单端输出超过5W

近年来，国际上采用半导体可饱和吸收镜(SESAM)进行被动锁模以获得大功率皮秒脉冲激光的技术已经日趋成熟。平均输出功率在几W到10W的大功率皮秒脉冲激光在激光显示技术和自由电子激光器等方面有潜在的应用价值。但是，通常的锁模光路由于在折叠镜处输出使得锁模激光具有两个输出方向，而应用时通常仅能使用其中一个方向的激光。这样就使得在同样功率需求下需将抽运功率提高两倍以上，这无疑大大增加了激光系统的造价以及系统的不稳定性。     

中间镜式半导体可饱和吸收镜实现Nd:YVO4被动锁模

中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心研究成功新型中间镜类型的1μm波长半导体可饱和吸收镜，在清华大学精密测试技术及仪器实验室成功地实现了Nd：YVO4被动锁模，获得了皮秒脉冲激光，由于缺乏合适的测试条件，脉冲宽度还未测试出来，估计在100ps以内。     

半导体可饱和吸收镜研究的进展

回顾了近年来国际和国内超短脉冲激光技术的发展历程,概述了各种波长半导体可饱和吸收镜(Semiconductor saturableabsorption mirror,SESAM)发展历史,制作技术及其在固体激光器中的应用.对常见的几种制作工艺以及运用方向进行阐述和分析.利用金属有机气相淀积方法研制了三类1.06μm波长的SESAM,在Nd:YAG固体激光器上实现了被动锁模,锁模脉宽为10 ps,频率为150 MHz,输出功率100 mW以上.     

表面态型半导体可饱和吸收镜实现Yb:YAG激光器被动锁模

制作了一种新型的半导体可饱和吸收镜:表面态型半导体可饱和吸收镜.用表面态型半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Yb:YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为10W时,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率200MHz,锁模脉冲平均输出功率为70mW.在未加任何色散补偿的情况下,脉冲宽度为4.35ps.     

980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究

报导了质子注入技术在提高980nm半导体激光器可靠性上的应用。P-GaAs材料经过质子注入后获得高的电阻率。在距离腔面25μm的区域内进行质子注入，由此形成腔面附近的电流非注入区。腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入，因此减少了非辐射复合的发生，提高了激光器的灾变性光学损伤(COD)阈值。应用质子注入形成腔面非注入区的管芯的平均COD阈值功率达到268mW，而应用常规工艺的管芯的平均COD阈值功率为178mW。同常规工艺相比，应用质子注入形成腔面非注入区技术使管芯的COD阈值功率提高了50％。     

60瓦半导体激光器光纤耦合器件

应用光纤列阵耦合方式，对大功率半导体激光器线列阵输出光束的快轴方向用一根柱透镜准直，准直后的光束耦合到光纤列阵中，实现出纤功率为60瓦的大功率半导体激光二极管线列阵光纤耦合器件，耦合效率大于80％，光纤的数值孔径NA为0．11。     

宽带半导体可饱和吸收镜研制方法及选择腐蚀研究

介绍了用于固体激光器被动锁模自启动实现飞秒级脉冲输出的两种波长的带半导体可饱和吸收镜(800nm和1550 nm SESAMs)的研制方法和应用.制作宽带反射层的关键技术之一是AlGaAs/GaAs和InP/InGaAs/InGaAs的选择腐蚀.分别就几种湿法腐蚀和干法腐蚀进行了详细的分析和比较.     

GaAs被动调QYb：YAG激光输出动力学初步研究

利用材料可饱和吸收特性的被动调Q技术以其价格便宜和结构简单等优点在中小功率激光中被广泛应用．半导体材料GaAs具有明显的光学非线性，已用作Nd：YAG激光器的被动调Q开关。本文采用GaAs，既作为调Q元件，又作为输出耦合镜，成功地实现了二极管激光器泵浦Yb：YAG微片激光器的被动调Q运转，发现其被动调Q激光输出中     

基于InP/空气隙布拉格反射镜的长波长谐振腔光电探测器

报道了一种长波长的In P基谐振腔(RCE)光电探测器.采用选择性湿法刻蚀,制备出基于In P/空气隙的分布布拉格反射镜,并将该结构的反射镜引入RCE光电探测器.制备的器件在波长1.5 10 μm处获得了约5 9%的峰值量子效率,以及8GHz的3d B响应带宽,其中器件的台面面积为5 0 μm×5 0 μm.