秦山核电二期工程反应堆超温△T和超功率△T保护定值设计

△T保护是反应堆上唯一的由多个测量量组成的多元函数保护定值通道.本文用FLLCA-Ⅲ、DELTAT、RETRAN-02及THEMIS程序对其进行了计算分析.分析中采用了对DNB偏于保守的初始条件,通过分析计算,确定了△T紧急停堆的最大整定值、现场整定值和补偿函数,最后进行了保护有效性验证.     

保留格式加密技术研究

围绕基本构建方法、加密模型和安全性等方面,对保留格式加密(format-preserving encryptio,简称FPE)的研究现状进行了综述.在基本构建方法方面,介绍了Prefix,Cycle-Walking和Generalized-Feistel方法的工作原理及适用范围;在加密模型方面,分析了FPE模型或方案所呈现的构造特点,介绍了典型模型的工作原理,总结了Feistel网络的类型及其在FPE中的应用情况;在安全性方面,描述了保留格式加密的安全目标及相关的游戏模型,分析了各安全目标之间的关系,最后介绍了保留格式加密的应用领域,指出性能、完整性认证以及FPE在数据库加密应用中如何对密文进行范围查询、算术运算将是进一步需要解决的问题.这些研究工作将对保留格式加密的研究起到一定的促进作用.     

高校自助式精品课程网络平台的设计

高校精品课程的评审与建设成果的展示依托于精品课程网站。本文简要描述了目前精品课程网站的发展现状;分析了建立自助式精品课程网络平台的必要性;提出了自助式精品课程网络平台设计方案。     

中美贸易关系的演进、影响与我国企业的应对

自中美贸易冲突正式爆发以来,中美贸易冲突对我国经济发展影响几何、我国如何应对成为学者以及各行业关注的重心。此次中美贸易进程显示,中美贸易冲突的实质是全球治理中的大国博弈。美国试图通过加征关税和对个别企业采取限制措施等手段,压制中国在高新技术和精密制造等领域的崛起。我们分析发现,中美贸易冲突对我国宏观经济运行的一般均衡影响相对有限,虽然贸易冲突造成了中国对美出口的下滑,但我国对欧盟、东盟等地区出口的拉动抵消了一定的负面影响。同时,中美贸易冲突并未对我国整体的失业、通胀带来显著影响。尽管如此,中美贸易冲突却给我国企业面临的营商环境带来了显著影响。具体来说,美国通过对中国实施技术封锁影响了企业进一步的创新升级,通过阻碍中美正常的人才培养和交流限制了高层次人才交流渠道,这些都带来了营商环境的变化。而营商环境的改变不仅会降低企业的技术进步,影响企业的人才引进,还会收紧企业的融资约束并为市场与政策带来较大的不确定性。由此企业应以我为主,加强创新,促进技术进步;完善产品与服务,拓宽市场,扩大贸易伙伴范围;做好风控,积极进行实体投资,转变增长方式;把握机遇,响应政策号召,推动自身的转型升级。     

射线检测中焊缝位置定位方法研究

射线检测系统中,焊缝位置主要通过现场人工测量的方法定位。由于定位精度不高,该种方法常不能保证底片的正确粘贴,降低其准确度,从而导致焊缝影像不合格,需要进行多次返工。通过对霍尔元件与磁场分布现象的研究,设计的由霍尔元件,显示灯,单片机,显示屏,操作按钮和外壳等组成的检测系统,与传统检测设备相比该系统具有结构简单,性能稳定,精度高,能实现多种扩展功能的特点。通过样品生产与实践,表明该检测系统完全能够解决工程精确定位问题,其组成的检测仪器具有操作简单、便于携带、性能稳定、灵敏度高、成本低,易于实现大规模生产与应用等特点。     

装配式建筑预制构件模具轻量化研究

装配式建筑预制构件生产过程中,存在装、拆模效率低,模具自身重量大、通用性差、摊销成本高等突出问题,直接影响了构件的生产成本.本文基于预制构件的生产现状,结合模具的性能要求及使用特点,研究了轻量化、高性能的复合材料以及轻量化金属材料在预制构件模具模板中应用的可行性、经济性以及应用效果.     

电解铝阳极铝/钢摩擦焊接头力学性能及节能研究

运用相位摩擦焊技术实现电解铝阳极铝-钢的大端面焊接,替代了传统电解铝中铝-钢爆炸焊块作过渡的连接方式。在此主要研究了铝-钢摩擦焊接头的各项力学性能,并模拟真实电解环境对焊接件进行了电阻检测试验,试验结果表明:铝-钢摩擦焊接头可承受的最高平均负载为88 t,高于传统型接头59 t;温度350℃、通电电流7 k A条件下,铝-钢摩擦焊技术可实现降低阳极压降约8 m V。     

改进MOS存贮器大规模集成电路制作技术的可靠性试验

在工业技术院大型计划超高性能电子计算机予定使用的144位MOS大规模集成电路随机存取存贮器研究的时候,以检查和改进从试制阶段到大量生产的制作技术为主要目的进行了可靠性试验。 本文的主要目的是报告可靠性试验的数据,同时描述可靠性试验中所采用的测量环形振荡器频率的方法和效果。 试验大体上可以分为三个阶段。从1位单元到144位大规模集成电路存贮器试验的第一阶段。在第二阶段里产生的大部份不良情况是与表面有关。最后第三阶段的样品,把防止衬底泄漏电流的p型扩散作了改进;作为SiO_2针孔的解决办法,加厚了栅氧化膜并改进表面保护;随着进一步减少操作中的灰尘,在设计上对原图进行了修改,把源和漏配置成梳状图形,以减小芯片面积,增大电流和工作容限。 由于以上改进,使寿命从第一阶段到第三阶段得到大约10~3的提高。     

三晶体管单元1024位500毫微秒MOS随机存取存储器

已经设计出一种作主存贮器用的半导体存贮阵列,对磁存贮工艺提出了强烈的经济竞争。本文提出的阵列是采用仅需4条互连引线的由三个最小几何尺寸MOS晶体管组成的新型高速动态存贮单元。单元集成为按512字×2位组织的带完整译码的1024位阵列。已经证明读周期或写周期为500毫微秒,存取时间为345毫微秒。在工作条件下,每位的平均功率损耗为200微瓦,每位的维持功率为30微瓦,每位的电池组功率为5微瓦。     

增强型硅肖特基势垒场效应晶体管

随着半导体设备更加大形化,因而对器件低功率化、高可靠性的要求就日益强烈。双极集成电路速度快,但消耗功率大,组装密度不高。MOS集成电路功率低,面积与硅片价格乘积小,所以适合于大规模集成。但要实现大容量集成电路存贮器,必须要消耗功率更低和速度更快。