人防工程平战转换措施比较分析

根据人防工程“平战结合”的设计理念，为满足其平时使用需要，各地人防工程均在战时预留了大量的口部及主体结构平战转换项目，需要编制防护功能平战转换技术措施。本文基于工程实例，就人防工程口部及主体结构平战转换相关措施进行了比较分析，得到了比较结果，并对当前存在的问题提出了相关建议。     

船舶综合电力系统的直流区域配电系统分析

文章对我国现代化舰船使用的综合电力系统技术作了详细的研究，并对该系统中直流区域配电系统在隔离故障和优化舰船设计方面的优势作了阐述，较为详细的分析了直流网状网络在舰船容量设置以及故障重构方面的突出优点，并且立足于该直流区域的配电网状系统，对该系统的网络配电中的继电保护的主要研究内容作了深入的研究。     

卡拉水电站主厂房与主变洞间距优化研究

以卡拉水电站为工程依托，采用3DEC离散元方法，建立了40、50、60 m和70 m等4种不同间距洞室群的3DEC计算模型，分析主厂房与主变洞在不同间距下的围岩变形、应力及塑性区分布特征。结果表明，主厂房与主变洞的间距为60 m时，相邻洞室变形不形成干扰，岩柱间存在弹性区，岩柱应力松弛相对较小。建议卡拉水电站主厂房与主变洞的间距设置为60 m。     

近红外光谱分析在农业领域应用中的几个问题

分析近红外在农业领域应用的特殊性,分析近红外分析过程中影响模型性能的若干因素,讨论近红外分析准确度的评价方法,预测标准差SEP不宜作为近红外分析性能的指标性参数,提出近红外分析在农业应用中值得重视的研究方向。     

包装印刷专业《计算机排版》课程教学改革探析

包装印刷专业教学中的专业课内容应该与印刷企业实际生产紧密联系。作为专业重点课程之一的《计算机排版》同样也应该与印刷工艺实际情况相关联,这样学生在今后从事相关工作岗位时才能更快适应工作的需要。本文以教学实践为依据,针对《计算机排版》的课程教学改革进行了分析与研究。     

基于RF曲线拟合算法的频域模态分析

对于线性是不变系统来说,结构的动力学特性包含在系统的极点和留数之中。如果已通过实验及数据处理得到了系统的输入、输出信息,如何正确有效地进行曲线拟合,成为模态分析与参数辨识的核心问题。Rational Fit(RF)是一种基于有理分式拟合的新算法,通过引入"极点替换函数",将非线性辨识方程转为线性最小二乘问题。本文将RF算法移植到频域模态参数辨识领域,详细讨论了频域数据模式的拟合算法。数值计算结果表明,与现有的各种频域拟合算法相比,RF算法具有很高的数值精度,拟合误差随模型阶次的增长具有数值鲁棒性,为模型定阶、稳态图重构提供了一种新的方法。     

RH—TOP精炼终点钢水温度的预报模型

采用多元回归分析方法分别建立了未吹氧和吹氧工艺条件下RH-TOP精炼终点钢水温度的预测模型。对预测温度统计分析结果表明：未吹氧条件下,模型对RH—TOP精炼终点温度的预测误差在±5℃和±10℃时的命中率分别为83％和99％;吹氧条件下,模型对RH精炼终点温度的预测误差在±5℃和±10℃时的命中率分别为79％和96％。     

2010年十大假新闻

2010年11月15日,中共中央宣传部、中共中央对外宣传办公室、国家广播电影电视总局、新闻出版总署、中华全国新闻工作者协会联合下发<关于深入开展"杜绝虚假报道增强社会责任加强新闻职业道德建设"专项教育活动的通知>,定于2010年11月至2011年4月在全国新闻单位开展为期半年的"杜绝虚假报道增强社会贵任加强新闻职业道德建设"专项活动,并指定<三项学习教育通讯>、<中国新闻出版报>、<中国记者>、<新闻战线>、<新闻记者>及各地主要新闻期刊组织相关讨论并刊登系列文章.欣慰之余,更感到责任重大.鞭策我们一如既往地评选2010年度十大假新闻.     

爷爷沈千祥和泥城暴动

在东海之滨的泥城镇有个"千祥村",这是上海解放后,人民政府用我们爷爷沈千祥烈士的名字命名他的出生地,以志永恒的纪念.爷爷牺牲时,才31岁,我们从未见过他的面容,从未听过他的声音.在我们成长的岁月中,听爸爸妈妈陆陆续续讲述过去的故事,我们才知道爷爷追求真理和为人民翻身解放而英勇牺牲的事迹.     

Characteristics and optimization of 4H-SiC MESFET with a novel p-type spacer layer incorporated with a field-plate structure based on improved trap models

A novel structure of 4H-SiC MESFETs is proposed that focuses on surface trap suppression.Characteristics of the device have been investigated based on physical models for material properties and improved trap models.By comparing with the performance of the well-utilized buried-gate incorporated with a field-plate （BG-FP） structure,it is shown that the proposed structure improves device properties in comprehensive aspects. A p-type spacer layer introduced in the channel layer suppresses the surface trap effect and reduces the gate-drain capacitance(C_gd) under a large drain voltage.A p-type spacer layer incorporated with a field-plate improves the electric field distribution on the gate edge while the spacer layer induces less C_gd than a conventional FP.For microwave applications,4H-SiC MESFET for the proposed structure has a larger gate-lag ratio in the saturation region due to better surface trap isolation from the conductive channel.For high power applications,the proposed structure is able to endure higher operating voltage as well.The maximum saturation current density of 460 mA/mm is yielded.Also,the gate-lag ratio under a drain voltage of 20 V is close to 90%.In addition,5%and 17.8%improvements in f_T and f_max are obtained compared with a BG-FP MESFET in AC simulation,respectively.Parameters and dimensions of the proposed structure are optimized to make the best of the device for microwave applications and to provide a reference for device design.