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61.
针对传统双谱分析从理论上仅能抑制高斯噪声,但对非高斯噪声无能为力的不足,提出了一种利用经验模式分解(empirical mode decomposition,简称EMD)和双谱分析的故障特征提取方法,并应用于滚动轴承故障诊断中。首先,对信号进行EMD分解;其次,利用能量相关法去除EMD分解过程中出现的伪本征模态分量(intrinsic mode function,简称IMF);最后,对得到的真实IMF进行双谱分析提取故障特征。仿真和实验结果表明,所提出的方法优于功率谱分析和传统双谱分析,能够更有效地提取强噪声背景下的机械故障特征信息,为滚动轴承的故障特征提取提供了一种新的方法。  相似文献   
62.
本文论述了一种新颖的三层镍-铬装饰电镀体系.三层镍中的中间层是由各自含P、As、Se、Te等元素的镍层组成,也可由含Co、Sn、Cr等元素的镍层组成.这种镀层具有较负的电位,因此使三层镍层的成份更易于调整,并使三层镍层之间的电位差达到更佳的配合,即中间层相对底层和顶层是阳极性的,而底层相对于表层是阴极性的,从而极大地提高了镀层对基体的保护能力.该镀层从含水溶液的上述元素化合物的镀镍槽液中沉积.三层镍-铬结构包括连接基体的无硫半光亮镍底层,含磷等元素的中间镍层,以及镜面光亮的含硫光亮镍顶层,最后在常规镀铬液中电镀的一层簿装饰铬层.  相似文献   
63.
本文介绍了改进后的氧化物隔离等平面-I工艺在专用集成电路中的应用,采用这种工艺制作的650MHz÷10/11预置分频器通过了军用考核(-55℃~+85℃)标准,常温下最高工作频率可达740MHz。  相似文献   
64.
在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si (LT-Si)技术,大大减少了弛豫SiGe层所需的厚度. TEM结果表明,应变Si层线位错密度低于1E6cm-2.原子力显微镜(AFM)测试表明,其表面均方粗糙度小于1.02nm.器件测试结果表明,与相同条件下的体Si pMOSFET相比,空穴迁移率提高了25%.  相似文献   
65.
采用MBE差分外延生长SiGe HBT基区,等平面隔离,多晶硅注入、快速退火形成发射区等工艺,实现了SiGe器件的平面集成。基于上述工艺技术研制的SiGe低噪声放大器(LNA),获得了1.7 GHz的带宽,23 dB的增益和3.5 dB的噪声系数。  相似文献   
66.
采用先进的2μm互补双极CMOS工艺,研制出一种高精度双路低压差线性调整器(LDO)。该电路具有使能控制、误差输出、过温保护、短路保护等功能,只需外接一个0.47μF的瓷介电容,即可实现稳定工作;简化了外围设计,降低了成本,提高了应用的可靠性。  相似文献   
67.
基于BiCMOS技术,进行了高速数字/模拟转换器研究.以并行输入类型,电流工作模式的16位D/A转换器为载体,进行了电路设计、工艺制作和测试.在±5.0V工作电压下,测试得到转换速率≥30MSPS,建立时间为50ns,增益误差为±8%FSR,积分非线性误差为1/2 LSB,功耗为500mW.  相似文献   
68.
为揭示岩石应力敏感的微观力学机理,加深对应力敏感性的理解,基于可以真实描述岩石内部结构特征的CT扫描技术,结合数字岩心和孔隙网络模型理论进行了几何拓扑结构分析,获得了有效应力与孔隙结构的关系及有效应力与渗透率的关系,对比了有效应力升高、降低2个过程中的孔隙结构参数和渗流能力。结果表明:随着有效应力升高,孔隙半径分布曲线向左偏移,形状因子概率曲线向右偏移,孔喉连通性变差,渗透率降低;随着有效应力降低,孔隙半径分布曲线、形状因子概率曲线、孔喉连通性和渗透率的变化规律均与有效应力升高时相反。孔隙结构变形存在应力敏感滞后性,且有效应力降低后渗透率不能恢复。这说明应力敏感对于岩石孔隙的变形以及流体在其中流动的影响不能忽略。   相似文献   
69.
针对目前旋转机械早期故障诊断系统的现状和工程实际需要,基于Windows系统为开发平台,采用图形化语言技术和Matlab为开发工具,研制一套基于GUI的旋转机械早期故障诊断系统。系统主要包括信号读取与显示模块、信号分析诊断模块、分析结果显示等功能模块。可实现对信号读取、滤波、时域分析、频域分析、经验模态分解与希尔伯特变换、双谱分析、自适应带宽限制信号BS-EMD混叠消除、流形学习降维及故障分类识别等功能。最后进行实验测试分析,验证其可靠性和实用性。  相似文献   
70.
针对煤与瓦斯突出防治工作实际,制定和实施防治煤与瓦斯突出管理工作程序,合理设置管理控制点,制定控制标准,保障了瓦斯治理工作的规范化和有序性。  相似文献   
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