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81.
胜利油田注水管柱腐蚀机理与防治技术   总被引:4,自引:1,他引:3  
针对油田注水开发过程中井下油管和配套工具普遍存在的腐蚀现象以及所带来的问题,在对胜利油田近年来注水管柱腐蚀状况进行统计分析的基础上,认为注水管柱的腐蚀机理主要是溶解气腐蚀和垢下腐蚀。结合胜利油田在延长注水管柱工作寿命方面所采取的一系列防腐措施,对各种防腐管柱的防腐效果进行了分析。分析结果表明,镍磷镀油管的防腐效果较好且经济,因而注水开发油井推荐采用镍磷镀油管,并建议注水工具全部进行镍磷镀防腐处理。指出注水管柱防腐技术的下一步发展方向是玻璃钢防腐技术和玻璃钢内衬防腐技术。  相似文献   
82.
社会的快速发展不断提升着人们的审美要求,并使人们对自然生态环境的认识更为理性,因此对于现代园林景观设计的要求也不再停留于满足其经济性、实用性的阶段,而是追求集经济、实用、美观和生态可持续发展于一体的综合型景观设计。在新的时代背景下,景观设计的目标越发突出“以人为本”的生态景观建设,现代景观设计与生态环境紧密相连,辩证统一。因此,现代景观设计的研究和实践是要更好的把健康、正确的景观设计理念和方法发扬下去,并为社会创造更多的经济效益,同时也是人类回归与自然和谐相处的必然趋势。  相似文献   
83.
李荣强  石建刚  何开全 《微电子学》2004,34(6):689-693,697
介绍了一种16位高速D/A转换器的电路设计、工艺制作和测试结果。该电路为高性能数字/模拟混合电路,工作电压士5.0V,转换速率≥30MSPS,建立时间50ns,增益误差士8%FSR,积分非线性误差LSB,并行输入类型,电流工作模式,功耗500mW,采用2.0μm BiCMOS工艺制作。该工艺包括减压薄外延、高压氧化等平面隔离、可修调SiCr电阻、双层金属布线、12次离子注入、21次光刻。NPN晶体管特征频率fT为4.0GHz;CMOS管的栅氧化层为30nm,耐压为12.0V。  相似文献   
84.
高性能模拟集成电路工艺技术   总被引:4,自引:2,他引:2  
介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状,讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展。重点介绍了BiCMOS工艺的研完与开发,指出了模拟集成电路工艺的发展趋势。  相似文献   
85.
铝合金硬质阳极氧化技术的现代进展   总被引:7,自引:1,他引:6  
刘爱民  李荣强 《材料保护》1997,30(11):12-15
系统地评述了铝合金硬质阳极氧化技术的现代进展。特别介绍了自80年代以来发明的几项最新技术:铝合金硬质阳极氧化复合固体润滑技术,协合含氟聚合物涂层技术和微弧氧化陶瓷涂层技术。  相似文献   
86.
采用氧化石墨烯(GO)、羧基化碳纳米管(CMWNTs)、壳聚糖(CS)复合膜来滴涂玻碳电极(GCE)得到修饰电极GO-CMWNTs-CS-GCE,并用于检测NO_2~-。采用循环伏安法考察亚硝酸根的电化学行为,探究了亚硝酸根的检测条件。结果表明,在扫速0.1 V/s,pH 4.7(PBS缓冲溶液)的条件下,修饰电极对NO_2~-的氧化有显著的电催化活性,线性范围为1.0×10~(-7)~0.40 mol/L;信噪比为S/N=3时,检出限为1.1×10-8mol/L。修饰电极呈现良好的稳定性、重现性和抗干扰性,可用于腐败小白菜中亚硝酸盐的测定。  相似文献   
87.
采用先进的2 μm互补双极CMOS工艺,研制出一种高精度双路低压差线性调整器(LDO).该电路具有使能控制、误差输出、过温保护、短路保护等功能,只需外接一个0.47 μF的瓷介电容,即可实现稳定工作;简化了外围设计,降低了成本,提高了应用的可靠性.  相似文献   
88.
张军丽  李荣强 《广东化工》2010,37(7):162-163
总结课程教学过程中的体会,结合专业基础课环境化学的特点,从精简和更新教学内容、采用创新性互动式教学方法、多媒体教学等教学手段,强化课堂教学,加强实验教学质量,使化学实验教学由验证性转变为创新性等几方面提出了些尝试和探索,引导学生在实践中学以致用,培养和发展学生综合素质,以提高教学质量和学生学习该课程的兴趣。  相似文献   
89.
传统消防水带系统在安装和启动过程中步骤繁琐,导致在紧急情况下反应不及时。文章提出了一种新型的快速安装消防水带系统。该系统以简化安装流程和提高应急响应速度为目标,通过采用轻量、高强度的材料和智能化控制技术,使水带系统能够在最短时间内实现从安装到启动的全过程操作,旨在为城市防火工作提供更为高效可靠的技术支持,降低火灾事故的损失。  相似文献   
90.
杨鑫  谭开洲  黄绍春  李荣强 《微电子学》2019,49(3):346-350, 355
提出了一种180 V光电探测器与10 V BiCMOS信号处理器的单片光电集成器件。研究发现,器件中n+p结的高边缘电场值对探测效率的影响较大。利用Silvaco TCAD软件进行了仿真设计,研究了高边缘电场对该集成器件中光电探测器的关键参数的影响。引入金属场板,提高了探测效率。仿真结果表明,该单片集成器件实现了光电探测器与信号处理器的工艺兼容和电压兼容。对比未引入金属场板和引入金属场板的情况,在入射光波长为1.06 μm处,外量子效率分别为4.68%和36.3%,响应度分别为0.04 A·W-1·cm-2和0.31 A·W-1·cm-2。  相似文献   
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