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本文尝试提出传统中小型火力发电厂生产过程信息化的解决方案.目的在于为当前电力竞价上网中遇到的实时动态成本提供准确可靠的数据。方案充分发挥现有设备的性能,力求性能费用比最低。 相似文献
52.
李志国 《电子产品可靠性与环境试验》1995,(6):19-25
4 欧姆接触的退化 源和漏欧姆接触电阻直接影响着寄生串联电阻R_s和R_d,并由此而影响器件的特征参数如I_(dss),g_m,P_o,N_F等。 GaAs上的欧姆接触最常采用的是Au-Ge-Ni合金系统,因为它能提供高频、大功率应用所需的低接触电阻(0.1-0.5Ωmm)。 表4总结了对试验样品的Au-Ge-Ni欧姆接触进行研究得出的最新结论。接触电阻的增加归因于四种效应:(1)Au对Ga的过量吸杂作用造成Ga外扩散,在接触下产生一个电阻率较高、成份失配的多缺陷区域。在最上面的Au层和Au-Ge-Ni之间加入合适的扩散阻挡层可以减少这种影响。(2)覆盖层结构会对接触产生不利影响,这可能是由于有互扩散的原因。(3)Au和Ni的内扩散会降低接触区下面半导体的掺杂浓度。(4)热退火会使NiAs(Ge)或Ni_2GeAs晶相和GaAs之间的接触面积减小。 相似文献
53.
通过器件级仿真来评估ESD保护器件的鲁棒性的方法,对ESD电路的关键设计参数进行了研究.通过器件仿真软件MEDICI对栅极到源极接触孔的距离,栅极到漏极接触孔的距离以及栅极的宽度和长度对ESD性能的影响进行了研究,并分析了它们的失效机理.从而得出经验公式,可以在流片前估算出器件的ESD失效电压.通过在设计阶段预测器件的ESD性能可以缩短设计周期,节约成本. 相似文献
54.
基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性 总被引:2,自引:0,他引:2
基于Arrhenius模型,对功率器件垂直导电双扩散(VDMOS)场效应晶体管的可靠性进行了评价,并对其主要失效机理进行了分析.通过样管在不同结温下的恒定温度应力加速寿命实验,利用Arrhenius方程和最好线性无偏差估计法(BLUE)对结果进行数据处理,得到其失效激活能E=0.54 eV,在偏置VDs=7.5 V,IDs=0.8 A,推导出功率VDMOS在室温下工作的寿命特征值为3.67×106 h.失效分析发现,栅极累积失效是影响功率VDMOS漏源电流,IDs退化的主要失效机理. 相似文献
55.
近年来,随着国家信息化的不断发展,利用信息化手段加强企业管理执行力成为国有企业深化改革的一项重要战略。但是在企业信息化的进程中,办公自动化应该做什么?可以做什么?怎样才能发挥最大效益?往往是一个不容易弄清楚的问题,随州分公司从2004年就开始了这方面的探索,现在已经充分感受到企业信息化建设给随州分公司带来的巨大变化,通过企业信息化建设,随州分公司的管理更加科学和规范,我们更加深刻地意识到信息化建设的必要性和重要性。 相似文献
56.
57.
58.
本文以广州市白云国际会议中心周边市政道路工程中既有高架桥桩基托换为例,探讨了托换监测设计上的重点与难点,可为类似工程提供参考。 相似文献
59.
本文结合我国高速铁路建设实例,通过对24m跨度先、后张梁进行有限元分析,得出其应力、刚度、剪力滞后、畸变、翘曲、局部效应等力学性能结果。通过两种梁型的对比,论证了先张法预应力混凝土箱梁在高速铁路中应用的可行性,并用于指导设计。 相似文献
60.