| 基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性 |
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| 引用本文： | 白云霞,郭春生,冯士维,孟海杰,吕长志,李志国.基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性[J].半导体技术,2009,34(1). |
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| 作者姓名： | 白云霞 郭春生 冯士维 孟海杰 吕长志 李志国 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，北京工业大学博士科研启动基金，北京工业大学校青年基金 |
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| 摘 要： | 基于Arrhenius模型,对功率器件垂直导电双扩散(VDMOS)场效应晶体管的可靠性进行了评价,并对其主要失效机理进行了分析.通过样管在不同结温下的恒定温度应力加速寿命实验,利用Arrhenius方程和最好线性无偏差估计法(BLUE)对结果进行数据处理,得到其失效激活能E=0.54 eV,在偏置VDs=7.5 V,IDs=0.8 A,推导出功率VDMOS在室温下工作的寿命特征值为3.67×106 h.失效分析发现,栅极累积失效是影响功率VDMOS漏源电流,IDs退化的主要失效机理.
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| 关 键 词： | 垂直双扩散场金属氧化物半导体 失效激活能 失效机理 Arrhenius模型 最好线性无偏差估计法 |
Express Reliability Evaluation of Power VDMOS Based on Arrhenius Model |
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| Bai Yunxia,Guo Chunsheng,Feng Shiwei,Meng Haijie,Lü Changzhi,Li Zhiguo.Express Reliability Evaluation of Power VDMOS Based on Arrhenius Model[J].Semiconductor Technology,2009,34(1). |
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| Authors: | Bai Yunxia Guo Chunsheng Feng Shiwei Meng Haijie Lü Changzhi Li Zhiguo |
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| Affiliation: | School of Electronic Information & Control Engineering;Beijing University of Technology;Beijing 100124;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | VDMOS failure activation energy failure mechanism Arrhenius model BLUE |
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