激光修补技术在修复薄膜图形缺陷上的应用——薄膜图形缺陷激光修补机

阐述了应用激光修补技术在玻璃基板上去除金属及其化合物薄膜和在玻璃基板上沉积金属薄膜的图形缺陷修补原理与方法;简述了影响薄膜图形缺陷修补质量与效率的关键技术;简单介绍了薄膜图形缺陷激光修补机的系统构成及其技术与性能指标.     

不同磨料对微晶玻璃化学机械抛光的影响

为了提高微晶玻璃化学机械抛光(CMP)的材料去除速率(MRR),降低其表面粗糙度,利用自制的抛光液对微晶玻璃进行化学机械抛光,研究了4种含不同磨料(Si O2、Al2O3、Fe2O3、Ce O2)的抛光液对微晶玻璃化学机械抛光MRR和表面粗糙度的影响.利用纳米粒度仪检测抛光液中磨料的粒径分布和Zeta电位,利用原子力显微镜观察微晶玻璃抛光前后的表面形貌.实验结果表明,在相同条件下,采用Ce O2作为磨料进行化学机械抛光时可以获得最好的表面质量,抛光后材料的表面粗糙度Ra=0.4 nm,MRR=100.4 nm/min.进一步研究了抛光液中不同质量分数的Ce O2磨料对微晶玻璃化学机械抛光的影响,结果表明,当抛光液中Ce O2质量分数为7%时,最高MRR达到185 nm/min,表面粗糙度Ra=1.9 nm;而当抛光液中Ce O2质量分数为5%时,MRR=100.4 nm/min,表面粗糙度最低Ra=0.4 nm.Ce O2磨料抛光后的微晶玻璃能获得较低表面粗糙度和较高MRR.     

基于Preston方程的反射杯抛磨工艺参数研究

反射杯是液电冲击波式碎石机的关键部件之一,目前国内主要依靠手工抛磨。为了实现反射杯尺寸精度、表面粗糙度和品质稳定、高效生产,在经改造的数控车床上,对一种气囊式抛磨头的反射杯抛磨工艺进行研究。在Preston去除函数解析的基础上结合椭圆赫兹接触理论,确定影响反射杯内表面材料去除量的重要参数。为了保证抛磨的质量要求,优化了抛磨轨迹。试验结果表明,达到了反射杯尺寸精度和表面粗糙度要求。     

树脂基水合氧化铈复合材料深度去除污水中磷酸盐

通过"前驱体导入-原位沉积"的工艺路线,将水合氧化铈(HCO)纳米颗粒负载入强碱阴离子交换树脂(SAE)孔道内,制得复合纳米吸附剂HCO@SAE并用于污水中磷酸盐的深度去除。试验结果表明:与其母体材料SAE、粉末活性炭(PAC)和大孔吸附树脂XAD-4相比,HCO@SAE具有最佳的磷酸盐吸附性能。溶液pH值对HCO@SAE吸附磷酸盐的性能有较大影响,且在中性条件下可获得最大的磷酸盐吸附量(30.96 mgP/g)。得益于负载HCO纳米颗粒对磷酸盐的专属内配位络合作用,HCO@SAE能够在共存高浓度竞争离子的条件下实现对磷酸盐的选择性吸附。采用NaOH-NaCl混合溶液作为脱附剂可实现对吸附饱和HCO@SAE的高效再生,再生后吸附性能保持稳定,从而实现多批次循环吸附操作。     

浅析城镇污水处理过程中关于污泥泥龄的选择

活性污泥系统设计中最基本和最重要的决策是选择泥龄.选择污水处理厂的泥龄取决于许多因素,根据不同的工艺流程、不同的目的和出水水质要求对泥龄有不同的要求.本文就短泥龄、适中泥龄和长泥龄的特点及工艺控制进行了探讨.     

低温地板辐射与低温层式通风耦合供暖模式热性能实验研究

随着COVID-19病毒的爆发,舒适、健康的室内环境成为了新的研究焦点.针对传统供暖模式所展示出的缺陷,本研究提出了1种新型的低温地板辐射与低温层式通风耦合供暖模式,并对其热性能、室内热舒适性以及污染物代谢能力进行了对比实验研究.研究结果表明:在相同能耗下,本研究所提出的新型耦合供暖模式相对于其他2种常规采暖模式下的操作温度分别高出0.78℃与0.88℃;室内PMV垂直分布更加均匀,且头足敏感区舒适性强于常规供暖模式;二氧化碳去除效率可高达2.08,大大缩短污染物停留时间,降低人体暴露率.因此本研究所提出的低温地板辐射与低温层式通风耦合供暖模式可以在高浓度室外环境下提供1个舒适、健康的室内环境,具有较大的供暖节能潜力与应用前景.     

加设尼龙滤网对平板膜生物反应器运行特性的影响

利用缺氧/好氧平板膜生物反应器(A/O-MBR)对校园生活污水进行处理,考察了增设尼龙滤网后系统的出水水质、稳定运行特性。结果表明,加设尼龙滤网的膜组件对生活污水中CODCr、NH3-N、TN及TP的去除率均高于未加设尼龙滤网的膜组件。这是因为虽然尼龙滤网的孔径比较大,但在其表面形成了一层自生动态膜,该动态膜能强化载体材料的截留性能,弥补孔径较大的不足,从而提高对水体中各污染物的去除效果。     

氯消毒副产物生成势的影响因素及去除技术探讨

氯消毒副产物的生成势受到前体物含量、加氯量、p H值、季节等多种因素影响。在分析国内外文献资料的基础上,从消毒前、消毒中、消毒后控制的角度分别探讨了氯化消毒副产物的控制去除技术。     

花状形貌TiO2-NTs@Sb-SnO2电极的脉冲电沉积法制备及电催化性能研究

目的通过引入TiO_2纳米管中间层,增加表面活性层与基体的接触和活性物质的负载量,提高电极的稳定性。通过表观形貌构建,增加电极的活性比表面积,提高Sb-SnO_2电极的电催化性能。方法采用TiO_2纳米管阵列(TiO_2-NTs)作中间层,通过两阶段脉冲电沉积法,构建了新型多层次花状形貌的Sb-SnO_2电极。通过调整脉冲信号,实现对电极形貌的控制。结果通过阳极氧化法,在Ti基体表面得到了均一的TiO_2纳米管阵列结构。在电极制备过程中,采用反向脉冲电沉积(8 ms,833 m A/cm2;2 ms,-833 m A/cm2;0.99 s,0 A),得到了均匀的管套管结构,继而得到了TiO_2-NTs@Sb-SnO_2的致密层。通过施加脉冲信号(5 ms,200m A/cm2;195 ms,0 m A/cm2),获得了花状形貌。电化学测试显示,电极的析氧电位达到2 V(vs.SCE),苯酚氧化峰出现在1.7 V左右,电极的电荷传递阻抗为50.4?,加速寿命结果可达到39 h。电化学苯酚降解测试显示,4 h电化学降解后,TiO_2-NTs@Sb-SnO_2电极对苯酚的去除率达到97%,苯酚降解的一级动力学速率常数为14.9×10-3 min-1。结论脉冲电沉积制备的电极具有良好的稳定性和良好的苯酚电催化去除性能。     

基于划刻实验的单晶锗材料去除机理研究

采用Cube压头对单晶锗进行变载与恒载纳米划刻实验, 利用扫描电子显微镜和原子力显微镜对已加工表面进行观测, 根据表面形貌将划刻过程分为延性域、脆塑转变域及脆性域三种, 对各个阶段的表面成型及材料去除方式进行了研究。使用最小二乘法对不同阶段划刻力进行非线性拟合, 并利用相关系数检验拟合函数可靠性, 结果表明划刻力与划刻深度存在强相关性。同时分析了单晶锗的弹性回复率随划刻距离的变化趋势, 结果表明工件的弹性回复率将从纯弹性阶段的1逐步回落至0.76左右。基于脆塑转变临界载荷, 以裂纹萌生位置作为脆塑转变标志, 首次结合工件已加工表面弹性回复, 提出一种适用于计算单晶锗的脆塑转变临界深度模型, 其脆塑转变临界深度为489 nm。