一种有效的IC成品率估算模型

从缺陷造成电路故障的机理出发,给出了芯片故障概率和成品率的计算新模型.利用IC功能成品率仿真系统XD-YES对实际电路XT-1成品率参数的提取,同时利用新模型进行计算,其结果与实际结果符合很好.     

等离子体边缘损伤的横向分布测量

等离子体刻蚀工艺中，栅边缘直接暴露在等离子体环境中，UV射线和粒子轰击会在栅漏交叠区栅氧化层中和硅二氧化硅界面处产生大量的陷阱，这些陷阱的分布和数量对器件的长期可靠性将会产生重大的影响，采用低频电荷泵技术测量了栅边缘损伤的横向分布，为评估栅边缘损伤提供了一个良好的手段。     

应用逆算子方法定量分析线性缓变p－n结

逆算子方法是一类新的求解强非线性问题的非数值方法．本文采用此类方法分析线性缓变ｐ－ｎ结．先把分析问题表述为一维非线性Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，再应用逆算子方法求解该强非线性常微分方程，并采用Ｍａｔｈｅｍａｔｉｃａ软件推导其近似解析解，还对求得的近似解作了误差分析研究．模拟计算结果较为精确、可靠，基本上实现了线性缓变ｐ－ｎ结的定量分析，有助于更深入地定量研究ｐ－ｎ结的物理机理．此项研究表明，逆算子方法具有一定的优越性，它将为半导体器件的数值分析开辟一条新的途径．     

Effects of the fluorine plasma treatment on low-density drain AlGaN/GaN HEMT

Low-density drain high-electron mobility transistors (LDD-HEMTs) with different F^- plasma treatment were investigated by simulations and experiments. The LDD region was performed by introducing negatively charged fluorine ions, which modified the surface field distribution on the drain side of the HEMT, and the enhancement of breakdown voltage were achieved. With the increased fluorine plasma treatment power and LDD region length, the breakdown voltage can be maximumly improved by 70%, and no severe reductions on output current and transconductance were observed. To confirm the temperature stability of the devices, annealing experiments were carried out at 400℃ for 2 min in ambient N₂. Moreover, the gate leakage current and breakdown voltage before and after annealing were compared and analyzed, respectively.     

集成电路可制造性工程与设计方法学

集成电路可制造性工怀设计是近年来发展很快的研究领域，它集ＩＣ设计、制造、封装和测试过程为一体，在统一框图（即产品制造成本和成品率驱动下）下，对产品进行规划和设计，应用该设计可以大大缩短ＩＣ产品研制周期，降低制造成本，提高成品率和可靠性，本文将综述该领域的研究进展，并阐述进一步的研究方向。     

集成电路可制造性经济学模型（二）：后道工序及综合效益模型

文章在讨论集成电路（ＩＣ）制造后工序特点基础上，提出了广义后道工序成本模型，该模型综合考虑了ＩＣ封装、总测及老化工序全过程，系统得到了可设计的经济学模型。最后，文章给出了一个集成电路工厂在某产品生命周期内的综合效益最优化模型，为ＩＣ可制造性设计和ＩＣ制造提供了经济学依据。     

IC真实缺陷的边界提取和缺陷尺寸与形状的表征

为了对ＩＣ制造中真实多余物缺陷进行分类与识别,ＩＣ多余物缺陷的特征提取是非常重要的一步,文中首先提出一种基于数学形态学的ＩＣ真实多余物缺陷边界的检测方法,其次对边界进行了链码描述,最后对边界所表示的多余物缺陷进行了尺寸测量与形状分析,在预处理阶段,利用彩色ＨＳＶ模型分割原ＩＣ图像,然后用图形学开运算消除背景噪音,对开后的结果图像进行形态膨胀及形态腐蚀运算,消除多余物缺陷中的小洞噪音以获得从复杂背景     

AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究

通过实验测量对AlGaN/GaN HEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究.AlGaN/GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得.文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化,钝化后直流电流崩塌明显减少,仍然存在小的崩塌是由于GaN缓冲层中的陷阱对电子的捕获.传输线模型测量表明,钝化后电流的增加是由于钝化消除了表面态密度进而增加了沟道载流子密度.     

AlGaN/GaN HEMT功率放大器设计

在小信号S参数不适于微波功率放大器的设计而大信号S参数不易获得的情况下,利用ADS软件,采用负载牵引法和输入端共轭匹配,成功的设计出AlGaN/GaN HEMT微波功率放大器.为了解决晶体管端口出现负阻的问题,设计了输入输出端并联电阻和反馈网络两种方法,最后得到理想的结果为:工作绝对稳定,带宽3.6GHz～8.0GHz,最高增益11.04dB,最大输出功率33dBm,最大PAE达到29.2%,电压驻波比较小.     

npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.