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41.
近十几年来,我国水电站液压设备的开发研制取得了较大进展,各种产品形式层出不穷,产品质量有了很大提高。但油源压力等级一直在低压徘徊,制约着液压技术的最新成果在该领域的顺利应用,十分不利于电站液压技术的进一步发展与提高。本文从几个侧面概要地分析了在电站液压设备中普及高压等级的必要性与可行性,以便大量采用标准液压件,使电站液压技术及时与现代液压技术接轨,从而推动和促进我国电站液压控制技术迅速跻身世界先进行列。  相似文献   
42.
在一个大型剪切试验架上,对膨胀式(Swellex)锚杆、实心钢锚杆、实心和空心玻璃纤维锚杆作剪切试验。锚杆对节理岩石中节理面的倾斜方向、法向应力和安装锚杆试件的类型是各种各样的。剪切试验表明,新型空心锚杆(膨胀式和劈裂式锚杆)破坏前允许的剪切位移比实心锚杆的大。然而,在断面面积相同的情况下,空心锚杆比实心锚杆有较低的抗剪强度。玻璃纤维空心锚杆的加固能力比钢锚杆的低。锚杆对剪切面(节理面)的倾斜方向在锚杆破坏前对抗剪强度和剪切位移有很大影响。锚杆沿施加剪切和拉伸荷载方向的倾斜,使抗剪强度最大。  相似文献   
43.
承压板法变形试验表面位移的反分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文利用传统的承压板法变形试验的表面位移,反算出水平成层各层岩体的变形(弹性)指标。数学上利用应力函数、积分变换和大范围收敛的牛顿迭代法求解。通过对葫芦口水库在满足承压板法的边界条件下,实测值与反算值是非常接近的,最后提出了改进承压板法变形试验的建议。表面位移反分析法将使传统的承压板试验向前发展一大步。  相似文献   
44.
水电工程安全监测工作包括监测设计和监测实施两大环节。本文侧重总结了某重,支水电工程监测实施中的一些基本经验教训,对改进今后的监测实施提出了建议。  相似文献   
45.
水电工程安全监测工作包括监测设计和监测实施两大环节。本测重总结了某重点水电工程监测实施中的一些基本经验教训,对改进今后的监测实施提出了建议。  相似文献   
46.
以小米和大豆为主要原料,按国家婴幼儿断奶期辅助食品标准(GB10769-1997)配制了婴幼儿断奶期辅食,并以C57纯系断乳小鼠为模型,通过跳台实验和Morris水迷宫实验考察该米粉对小鼠学习记忆能力的影响。与以普通饲料和市售婴幼儿米粉饲喂的小鼠相比,该辅食饲喂的小鼠在跳台实验中学习成绩不突出,但记忆成绩相对较高,Morris水迷宫实验中穿越平台的次数显著高于其它小鼠。小鼠的学习记忆能力因食用以小米和大豆为原料制备的辅食得到了较好的改善。  相似文献   
47.
根据目前地埋式燃气调压柜的使用情况,介绍了地埋式燃气调压柜的建设和管理经验,并介绍了其安装和使用过程中需要注意的事项。  相似文献   
48.
设计了一个过采样、高阶一位单环∑△模数转换器以及后级降采样数字滤波器。整个芯片采用TSMC 0.18µm CMOS工艺实现,芯片面积1mm×2mm,功耗为56mW。 调制器采用1.8V全差分电路结构,在过采样率64,时钟频率81.92MHz,640kHz带宽内,实测精度达到了15.32位,动态范围94dB。降采样数字滤波器的通带波纹小于0.01dB,阻带衰减75dB,过渡带为640kHz-740kHz。  相似文献   
49.
This work presents an oversampled high-order single-loop single-bit sigma–delta analog-to-digital converter followed by a multi-stage decimation filter.Design details and measurement results for the whole chip are presented for a TSMC 0.18μm CMOS implementation to achieve virtually ideal 16-b performance over a baseband of 640 kHz.The modulator in this work is a fully differential circuit that operates from a single 1.8 V power supply. With an oversampling ratio of 64 and a clock rate of 81.92 MHz,the modulator achieves a 94 dB dynamic range. The decimator achieves a pass-band ripple of less than 0.01 dB,a stop-band attenuation of 80 dB and a transition band from 640 to 740 kHz.The whole chip consumes only 56 mW for a 1.28 MHz output rate and occupies a die area of 1×2 mm^2.  相似文献   
50.
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