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用低温Hall、深能级瞬态谱仪和红外吸收谱仪研究了大剂量中子嬗变掺杂直拉硅中的深能级电子陷阱和浅施主能级。对这些深浅能级的形成和退火行为进行了研究。发现由于大剂量中子辐照而产生的浅施主是与氧、碳及氧的微沉淀有关的硅-氧-碳络合物。并对大剂量辐照所导致的各种深能级电子陷阱的结构进行了讨论。 相似文献
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1 IntroductionRecently ,itwasreportedthatthreekindsofnewmicro defectsinCzochralski grownsilicon(CZ Si)crystalsseriouslyaf fectthegateoxideintegrity (GOI)yield .Thesemicro defectsarecrystaloriginatedparticles (COP ) [1],flowpatterndefects(FPD ) [2 ],andlaserscattering… 相似文献