全光纤电流互感器λ/4波片制作工艺

根据全光纤电流互感器（FOCT）的光路结构及其工作原理,分析了/4波片的制作效果对FOCT的影响,研究了/4波片的制作工艺,得出了影响波片制作效果的主要因素。通过选择合适的材料和工艺方法,获得了性能优异的全光纤/4波片。试验结果表明:该方法制作的波片提高了FOCT的性能,使其满足了0.2 S级测量用电子式电流互感器的准确度要求。     

聚（3，4-乙撑二氧噻吩）/樟脑磺酸复合材料的合成及其电化学性能

以樟脑磺酸(HCSA)为掺杂剂,FeCl3为氧化剂,通过化学氧化聚合合成了聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/樟脑磺酸(PEDOT/HCSA)复合材料;采用FTIR和SEM对其结构和形貌进行了表征;探讨了掺杂剂与单体摩尔比、氧化剂用量和反应时间对产品导电性能的影响;分析了产品的电化学性能。结果表明,当n〔3,4-乙撑二氧噻吩(EDOT)〕:n(樟脑磺酸):n(氯化铁)=2:1:40,反应时间41 h时,复合材料具有良好的导电性能和电化学性能,电导率为10.4 S/cm,经150次充放电老化后比容量可保持在140 F/g左右,是一种潜在的超级电容器电极材料。     

内衬芯轴夹具在软质材料加工中的应用

通过对一种软质材料零件的加工过程分析,从原理上论述了造成零件加工失败的原因。介绍了内衬芯轴夹具在加工中的应用和具体实施过程,通过控制装夹间隙,较好地满足了零件加工的装夹要求,提高了加工效率,保证了加工质量。     

浅议计算机技术与图像处理

计算机技术的发明为人类的生活和生产带来了极大的方便。计算机技术在各行各业当中有很广泛的应用。在进行图像处理方面,计算机技术具有人类无法比拟的优势。计算机技术能够进行交互式的操作,完成一些比较复杂的处理工作。这也是在当前信息社会之下,图像处理发展的必然趋势,应用计算机技术能够改变传统的图像处理没有办法显示处理程序过程,实现在同一时间里进行大量图像的处理,完成图像处理相关的编写程序,使图像处理变得生动有趣,多种图像处理技术的开发和利用,更好地推动图像处理的完成。     

中小水电厂AGC应用中的问题

分析了水电厂AGC的目标、实现方式、以及实际运行中存在的问题,提出了EMS与电厂AGC柔性连接策略、厂内AGC的次优化策略,以及针对中小水电厂季节性特点的AGC辅助决策方法三种对策,对三种对策进行了分析说明。     

智能化变压器油色谱工作站的研制

利用气相色谱检测电气设备绝缘缺陷，是一种经过多年实践检验的、较成熟的试验方法。但是，传统的计算检测是采用“记录仪”方式，人工用量尺测量峰高（或半峰高宽），然后估算组份含量，既存在较大误差，又需较大工作量，对技术人员的经验技术也要求较高。因此，利用计算...     

发电厂、变电站接地系统设计软件的开发及应用

介绍了一套发电厂、变电站接地系统设计软件GPDS的开发及应用。所用接地参数的算法结合点源法和二次分段技巧 ,兼顾了计算的准确度和速度 ;给出了三维地网中垂直接地极和水平地网均压带的优化布置法 ;应用表明该软件计算准确、设计合理、使用方便 ,适合现场需求     

镀铜石墨复合材料的制备及其性能研究

采用了置换法制取镀铜石墨粉,讨论了铁粉粒度、温度、pH值等对镀铜石墨粉的影响。将镀铜石墨粉制成试样,比较在碳含量相同的条件下镀铜石墨复合材料与普通铜石墨复合材料微观结构、电阻率、抗折强度、肖氏硬度,分析了试样外加石墨粉和添加剂对试样体积收缩率、肖氏硬度、电阻率的影响。     

基体碳材料对锂硫电池性能影响的研究

采用乙炔黑、土状石墨、Cabot Vulcan XC-72炭黑、Cabot Bp2000超级导电炭黑作为硫载体制备了一系列含硫复合材料。通过X射线粉末晶体衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、比表面积分析(BET)等分析测试手段对材料的物理性能进行表征,利用电池测试系统对材料的电化学性能进行了测试。结果表明基体材料表面结构、孔径分布及比表面积等因素都对复合材料的电化学性能造成影响,综合性能最好的基体材料为BP2000超级导电炭黑,其初始放电比容量高达1385.1mAh/g,在室温下经过30次循环之后电池放电比容量仍保持在1080.2mAh/g,容量保持率高达78%。     

Si/VGCF复合材料的储锂性能

以纳米硅颗粒为原料,采用液相法制备了硅纳米粒子与气相生长碳纤维(VGCF)复合的材料(Si/VGCF)。考察了Si/VGCF制备工艺和VGCF的最佳含量,分别采用SEM和TEM表征了Si/VGCF材料形貌和晶体结构,测试和计算了材料电导、BET比表面积和孔尺寸数据。采用循环伏安、恒流充放电和交流阻抗等测试了Si/VGCF复合电极的电化学性能,并与其他碳材料进行了对比分析。结果表明,Si与VGCF形成了多级框架结构,丰富了离子和电子传输网络;同时发达的孔结构也缓解了Si粒子在嵌/脱锂过程中的体积效应,使电极活性材料的利用率和电化学稳定性显著提高。当m(Si)∶m(VGCF)为1:0.5时,Si/VGCF复合电极在500 mA/g的电流密度下,充放电循环100次后,可逆容量高达1470 mA·h/g。