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1.
用传统的固相反应法将LiNbO3(LN)加入(Bi0.5Na0.5)TiO3-(Bi0.5K0.5)TiO3-BaTiO3制得无铅压电陶瓷。研究了该复合体系的压电和铁电性能,着重研究加入LiNbO3对0.852BNT-0.110BKT-0.038BT这一组分的相结构和电性能影响。加LN形成的材料结构分析(XRD)表明,LiNbO3能完全固溶入钙钛矿结构。加入0.05LN导致弥散相变,材料由四方相和菱方相两相共存转变为伪立方相,电滞回线呈现顺电相的特征。加入0.02LN形成的四元系电性能最佳:压电常数d33=245pC/N,机电耦合系数kp=0.20,kt=0.495,室温介电常数εr=1502,剩余极化强度Pr=26μC/cm2。在此基础上,研究了复合LN对去极化温度Td的作用,结果表明,引入LN会降低这一体系的去极化温度。  相似文献   
2.
利用XRD和SEM观察了在不同衬底材料上用So1-Gel法制备的PZT铁电陶瓷薄膜的显微结构。发现PZT薄膜的结晶性能受衬底材料的影响极大。PZT薄膜在金属铂片上能够很好地结晶,而在单晶硅片上则很难结晶,其在镀铂硅片上的结晶难易程度介于金属铂片与单晶硅片之间。在衬底上制备PT过渡层可以促进PZT薄膜的结晶。  相似文献   
3.
Pb(Sc1/2Ta1/2)O3铁电体的有序结构和介电性质)   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过铌铁矿预合成法制备Pb(Sc1/2Ta1/2)O3(PST)陶瓷,经适当的热处理获得了钙钛矿化合物B位离子的高有序和高无序试样,PST陶瓷的介电性质研究结果表明,高有序试样(S=0.77)的居里温度为29℃,并具有较低的介电常数表现出普通铁电体性质特征,而高元序试样(S=0)具有很高的介电常数,并表现出明显的弥散性相转变和Tm的频率色散行为,即高介电常数的驰豫铁电体性质。文中还利用XRD,SE  相似文献   
4.
基于Kikuchi自洽迭代方法,利用有序-无序相变理论,并取最近邻相互作用近似,研究了Pb(Mg_((1+x)/2)Nb_((2-x)/2)O_3晶粒中在x=0.5时有序区形成的原因,提出Mg~(2+)∶Nb~(5+)=1∶1(离子数比)时,形成B位有序排列最为有利,并且弱的空间电荷场不影响这种有序排列的形成,同时给出了温度-组份的有序-无序相图。  相似文献   
5.
用普通合成法制备了纯钙钛矿结构相的Pb(Fe_(1/2)=Ta_(1/2))O_3(PFT)陶瓷,并进行了900℃退火热处理。对其介电性质测试结果表明,未热处理与热处理过的PFT陶瓷在0.1~100kHz频率下均表现出介电弥散性转变。未热处理的PFT陶瓷最大介电常数对应的温度(T_0)不随测量频率变化;热处理过的PFT陶瓷在此频率范围T_0值表现出明显的频率依赖性(频率色散),即ΔT_0=5℃。由此可以认为PFT是弛豫铁电体。XRD结果表明,未热处理的PFT陶瓷无超晶格衍射;而热处理过的PFT陶瓷则有较弱的(111)超晶格衍射。利用有序-无序转变理论及超顺电结构模型对其结构与性质进行了探讨。  相似文献   
6.
用Sol-Gel法制备了Pb(Zr_(0.5)Ti_(0.5))O_3(PZT)铁电陶瓷与薄膜,观察了它们的结晶情况并测定了它们的电学性能。利用Sol-Gel法,可降低PZT陶瓷粉料的预烧温度约200℃,所得陶瓷致密,晶粒均匀;具有较好的介电性能。PZT陶瓷显示弥散相变特征。PZT薄膜的晶化受基底影响很大。基底晶格越完整,与PZT薄膜的晶格失配率越小,PZT薄膜的晶化就越好。采用PbTiO_3过渡层促进PZT薄膜在镀铂硅片上晶化。PbTiO_3过渡层与PZT薄膜构成串联电路。其表现电学性能与相应的PZT体材料相近。  相似文献   
7.
制备了纯钙钛矿相Pb(Fe1/2Nb1/2)O3(PFN)陶瓷,研究其介电性能表明,PFN陶瓷无论退火与否都存在弥散性相变(DPT)现象,未退火试样εmax对应的温度Tm不随测量频率变化,退火试样的Tm随频率变化,即表现出Tm频率色散现象,结合XRD分析,指出PFN应属弛豫铁电体。  相似文献   
8.
用Sol-Gel法在镀铂硅片上制备了具有良好铁电性能的PLZT薄膜,研究了影响薄膜显微结构与电学性能的工艺因素,适宜的前体溶液浓度和水解度,低的热处理变温速率对防止薄电裂有利,PbTiO3过渡怪改善PLZT薄膜的形核过程,使之纯钙钛矿结晶相,PbTiO3过渡层及薄膜内细小的晶粒和空间荷电使薄膜剩余极化强度下降,矫顽场强上上升。  相似文献   
9.
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10.
本文阐述了目前国内外油田计量所采用的工艺流程、仪器仪表和设备,概述了我国油田计量工作存在的问题,并结合具体情况,提出了油、气、水计量的改进方案。  相似文献   
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