CrO共掺杂对GaN电子结构和光学性质的影响

利用第一性原理方法研究了O、Cr和CrO共掺杂对宽禁带半导体材料GaN的结构、能带和光学性质的影响.结果表明CrO共掺的方法可以在原GaN晶体中产生中间能带,CrO共掺的方法较单个氧原子掺杂可以降低材料的形成能.中间能带的出现实现了材料对低能光子的吸收,增强了其对太阳光谱中红外波段的能量利用,从理论上预言CrO共掺Ga...     

碲铌铅玻璃的椭圆偏振光谱研究

折射率,色散和吸收系数是用于超高速全光开关的光学材料的重要品质指数。本文用椭圆偏振仪对碲铌铅（TNP）玻璃试样作波长自动扫描测量,测得在波长λ＝258.3-826.6nm范围内的折射率图谱与消光系数图谱,从而可计算各试样的阿贝数ud和非线性折射率n2,结果表明TNP玻璃具有较高的n2,因此TNP玻璃是可以作为超高速全光开关候选材料之一。     

基于W-SiO2双金属陶瓷结构的高效率太阳能选择性吸收薄膜的优化和制备

理论优化并成功制备了一种以W-SiO₂双金属陶瓷作为吸收层的太阳能选择性吸收薄膜,同时提高了薄膜在太阳辐射波段的吸收并降低了在红外波段的热辐射。研究了包括金属反射层材料、吸收层金属体积分数等因素对薄膜整体吸收效率的影响。基于对Si和K9玻璃基底上生长的不同金属体积分数的W-SiO₂陶瓷薄膜光学常数的研究,利用磁控溅射方法制备出如下膜系：W （~150 nm） / W-SiO₂ （94 nm, 0.67HVF） / W-SiO₂ （34 nm, 0.27LVF） / SiO₂ （47 nm）。膜系实际测量结果与仿真结果完全吻合,在250～1 500 nm宽光谱波段实现了高达95.3%的吸收率,并且在600 K温度下达到0.124的低热辐射率。该四层膜系结构简单,易于制备,有很强的实际应用前景。     

Co-Ag颗粒膜的磁光克尔效应

采用离子束溅射法制备了Ｃｏ－Ａｇ颗粒膜,并分别在１００℃、２５０℃、４００℃、５００℃下进行了退火。利用磁光克尔谱仪、椭圆偏振光谱仪对样品的光学常数、复介电函数、磁光克尔参数在室温下进行了测量。对于Ｃｏ２０Ａｇ８０系列样品,随着退火温度的升高磁光克尔旋转角θｋ增大,且在Ａｇ的等离子振荡边附近出现了大的增强峰,峰的位置随退火温度的升高出现红移。通过理论计算分析,这种克尔效应的增强是Ａｇ等离子振荡边作     

同时旋转起偏器和检偏器的红外椭圆偏振光谱仪研制

研制成测量材料光学特性的红外椭圆偏振光谱仪，其测量波长范围为２．５～１２．５μｍ，入射角度在２０°～９０°连续可变．系统数据采集、前放自动增益控制、入射角度和波长设置及扫描均由计算机自动控制．给出了金反射率和ＧａＡｓ体材料折射率椭偏测量，并与其它方法进行了对比，并分析了实验测量技巧和主要实验误差     

新型红外反射式偏振器的设计与研制

常用的反射偏振器是利用Brewster角原理,由被抛光的介质基底表面及透明或吸收基底镀以薄膜而组成。文章给出了一种在红外区直接在Si晶体表面应用Brewster角原理使P分量反射后受到抑制,从而得到S分量反射的新型红外偏振器的设计与研制实例,并对其性能做了简单的物理测量。     

P~ 注入硅损伤层的椭圆偏振术研究

用椭圆偏振术研究了不同剂量P~ 注入硅样品损伤层的复折射率n|~=n-ik. 提出一个简单的模型对折射率n在临界剂量处出现峰值作了唯象的解释.     

P~+注入硅损伤层的椭圆偏振术研究

用椭圆偏振术研究了不同剂量P~+注入硅样品损伤层的复折射率n|~=n-ik. 提出一个简单的模型对折射率n在临界剂量处出现峰值作了唯象的解释.     

25keV As^＋大倾斜角注入的损伤分析

通过２５ｋｅＶ的Ａｓ＋注入硅中．用背散射沟道分析技术和椭圆偏振光测量技术分析了在倾斜角分别为７°、１５°、３０°、４５°和６０°时的损伤分布，揭示了大倾斜角注入在注入能量较低时的一些物理现象．     

基于因特网的STM远程实时控制系统的设计与实现

在分析因特网信息传输机制的基础上,采用TCP／IP协议和客户机／服务器模式实现了多用户远程分权控制STM（扫描隧道显微镜）仪器。分析了远程实时控制系统对设备硬件及网络带宽的要求,初步探讨了因特网远程实验过程中的网络与设备安全问题与解决方案,应用本软件系统可以对远程设备进行实时控制,同时用户与操作者之间可以进行在进行任意两者之间的语音与视觉交流,从而实现了科学与实验的设备无关性,突破了现有科学研究对操作时间与地点的限制,为大幅度提高现有设备的使用效率和创建新的科研模式奠定了基础,本系统成功地实现了北京－上海两地之间的远程演示。