唯一性检测在椭圆偏振光谱薄膜拟合中的应用

利用椭圆偏振光谱进行薄膜样品的测量数据分析拟合时,薄膜厚度与介电常数具有很强的关联性。不同色散模型的选取也会对拟合结果产生明显的影响,引起较大误差。介绍了唯一性检测在椭偏拟合中的实现方法。并以二氧化钛样品为例,利用唯一性检测对比了不同色散模型、不同厚度、不同测量波段、不同入射角度时的唯一性检测结果。结果表明,唯一性检测能够有效标定出椭偏测量和拟合过程中所产生的误差,同时能够对不同色散模型进行量化对比,提升拟合精度。     

光在金属界面的传输特性研究

采用射频溅射方法制备了贵金属银薄膜样品.通过椭圆偏振光谱方法在1.5～4.5eV光子能量区测量获得了复介电函数和复折射率.针对3个不同波长的复折射率常数,对于光从大气入射到金属银边界,以及从金属银入射到大气边界的情况进行了具体模拟计算和分析,发现即使在平行金属膜条件下,光在大气一侧的出射角也不等于初始入射角,并且与波长、光学常数和入射角等有关的等效折射率常数和折射角均为正值,在整个光谱区不改变符号,与实验观察的结果不相符合.实例计算所揭示的这些涉及到光在金属中的传输特性仍有待于更多的实验和理论研究.     

一种测量薄膜磁性的表面磁光克尔效应装置

介绍表面磁光克尔效应谱（SMOKE）的一种新方案。通过适当分光并测量信号束和参考束的光强比，可以明显改善由于激光的光强不稳造成的误差，还使得随机偏振激光器也能用于SMOKE装置。同时该方案中没有采用信号调制，因此对探测器等硬件要求很低。实验结果表明，采用光强稳定度为5％的普通国产He－Ne随机偏振激光器，其测量灵敏度能够达到目前国际上通常用于超薄膜磁性测量的SMOKE的同类水平。     

磁光法拉第和克尔效应原理及其测量

介绍了磁光法拉第效应、克尔效应原理及有关的测量方法。     

短周期GaAs／AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验

我们制备了Ｍ＝２，４，６和１０的一系列短周期（ＧａＡｓ）Ｍ／（ＡｌＡｓ）Ｍ厂超晶格样品并测量了其椭偏光谱．对这些样品的光频介电函数港进行了分析，并与夏建白等的理论计算结果作了直接比较上述理论计算是对Ｍ＝４，６和１０的超晶格样品作出的，并给出相应的介电函数谱曲线．在光子能量３．５～４．５ｅＶ范围的Ｅ１峰与瓦峰附近的实验谱的主要特征，与理论计算结果相一致实验谱中的Ｅ１峰比理论谱要强些，不同Ｍ值的超晶格样品之间的Ｅ１峰之差异也大于理论结果。     

磁控溅射制备TbFeCo薄膜及其光学和磁光性质研究

采用放电等离子烧结(SPS)TbFeCo合金靶,分别在Si衬底和K9玻璃衬底上磁控溅射制备了磁光薄膜TbFeCo/Si和TbFeCo/K9;利用扫描型可变入射角全自动椭偏仪,室温下测量了复介电常数谱,测量结果表明两样品介电函数值有较大差异,说明衬底对薄膜的光学性质有重要影响.用磁光Kerr谱仪,在室温下分别测量了TbFeCo薄膜的极向Kerr回线和横向Kerr回线,发现所制备TbFeCo薄膜不具有垂直磁化性质,而呈现出面内磁化性质.     

Ga δ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应

通过直接测量激光照射前后电阻随温度的变化关系,研究了Ga δ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应。被研究的两块样品都显示了稳恒光电导效应,其中一块样品稳恒光电导的淬灭温度为120K,另一块样品的淬灭温度接近290K。描述了对这类超晶格稳恒光电导现象的测量结果,讨论了掺杂过程对光电导淬灭温度的影响。     

掺GeZnSe的稳恒光电导及其局域性效应

在一定的温度以下 ,某些半导体材料的光电导效应在激发光源撤去以后会持久地保持下去 ,当温度升高超过这个温度 (称为淬变温度 )以后 ,这种持续的光电导现象会消除 ,称为稳恒光电导现象 .而且这种光电导效应具有很强的局域性 .采用电学测量方法 ,通过测量激光照射前后电导率随温度的变化研究了掺 Ge的 Zn Se的稳恒光电导效应 ,结果发现淬变温度高达 2 1 0 K的稳恒光电导效应 .并通过研究光电阻随光照位置变化的趋势研究了这种光电导的局域性特性 ,结果发现在淬变温度以上局域性随稳恒光电导消失而消失     

运用铬钨合金提升四层膜系结构的宽光谱光热转换效率

基于铬钨合金能带结构的研究,得到了可表述任意铬钨合金组分光学性质的数学模型,并将其应用于实际光热器件特性分析.根据由模型获得特定组分铬钨合金的光学性质,设计了一个含有单层铬钨合金吸收层的四层膜结构,显示出优异的宽光谱(300～1 000 nm)光热转换性能.     

采用不同中间夹层的双记录层磁光光盘热光特性比较

磁光存储技术是一种颇受关注的下一代光存储技术.为提高单个磁光光盘的存储容量,途径之一是采用多值存储、多波长读出技术,实现所谓三维磁光存储.通常使用不同波长的蓝光来实现信号的读写操作.如果不同波长的激光在磁光存储多层膜中产生热场分布的差异较大,将有利于提高读出信号的信噪比.本文结合光学矩阵法及有限元方法分析了中间夹层分别为SiN、GaP时,磁光存储多层膜的热光特性.结果表明在蓝光波段,用GaP层替代传统的SiN中间夹层,将使磁光光盘具有更好的热光特性.