产后康复按摩在分娩后宫腔组织物残留辅助治疗中的应用

目的 探讨产后康复按摩在分娩后宫腔组织物残留辅助治疗中的应用效果.方法 随机抽取产后胎盘、胎膜组织宫腔排出不完整的自然分娩的健康产妇和剖宫产妇100例,随机分为实验组和对照组各50例.对照组常规护理及静脉滴注子宫收缩剂治疗,实验组在此基础上给予推拿按摩治疗,观察2组产妇子宫复旧、阴道出血、宫腔内组织残留物的排出情况.结果 实验组产妇子宫复旧(阴道出血)、宫腔内组织残留物的排出干净情况与对照组相比差异具有统计学意义(P＜0.01).结论 产后康复按摩技术可促进子宫收缩、促进宫腔内组织残留物的排出,达到预防和治疗产后出血的目的,可促进产妇的康复、提高医疗护理质量.     

一种双正弦幅值积分器解耦锁相环的设计

针对在电网三相电压不平衡时传统锁相环不能准确检测基波正序相位的问题,设计了一种双正弦幅值积分器解耦锁相环(decoupled double sinusoidal amplitude integrator phase-locked loop, DDSAI-PLL)。该锁相环利用正弦幅值积分器的频率选择特性,在αβ坐标系下采用正负序解耦结构实现了正序分量的完全提取。同时引入一阶负反馈系统作为频率自适应环节,使锁相环在电网频率发生偏移时仍然可以对基波正序频率进行准确估计。建立了DDSAI-PLL的数学模型,并对其关键参数进行了设计。最后使用DSP实现该锁相环,并在电压畸变条件下与传统的同步参考坐标系锁相环(SRF-PLL)进行了对比实验,结果证明了所提锁相方法的有效性。     

Eu掺杂TiO2纳米晶的制备及其发光性能

TiO2:Eu3+是一种新型优质的纳米红光发光材料,采用溶胶-凝胶法制备了TiO2:Eu3+纳米晶,研究了TiO2:Eu3+纳米晶的发光特性及退火温度对其发射光谱的影响.利用XRD,PL,PLE对样品进行了表征.结果表明TiO2:Eu3+纳米晶在600 ℃退火时呈现单一的锐钛矿结构,晶粒尺寸约为13.2 nm,900 ℃退火时呈现单一的金红石结构,晶粒尺寸约为44.1 nm;用468 nm激发光源激发时样品显示出强红光发射,对应于Eu3+粒子的5D0 →7F2超灵敏跃迁;荧光强度随着退火温度的升高先增强后减弱,最佳退火温度为700 ℃,最佳保温时间为8 h.     

物流公共信息平台功能定位及其体系结构研究

为对物流公共信息平台进行功能定位并建立其体系结构,首先阐述物流公共信息平台的基本功能,确定了物流公共信息平台系统的体系结构,又进一步全面、系统地构建出物流公共信息平台的总架构,最后进行平台系统的功能设计.     

翻译症的关联阐释

翻译症主要指译文对原文的过度依赖而表现出的不地道、不规范现象。从关联视角审视该现象,可以发现,翻译过程中的理解和表达都有可能产生翻译症。     

聚乙烯吡咯烷酮-羧甲基壳聚糖原位水凝胶的研究

将聚乙烯吡咯烷酮溶液和羧甲基壳聚糖溶液简单混合,通过调整体系pH值可制备出原位水凝胶.经衰减全反射傅里叶红外光谱分析表明,羧甲基壳聚糖与聚乙烯吡咯烷酮之间存在相互作用.该凝胶具有良好的溶胀性能及生物相容性,无细胞毒性.     

高温高精度新型WRe传感器

<正>随着工业和科学的不断发展,企业对温度测量领域及测量精度的要求越来越高,传统的温度传感器在高温区很难做到。现在工业上发展需要0～1800℃甚至到2000℃直接测温的温度传感器。这就给我们科技工作者提出了新课题,要求我们创新。我们经过了10年的努力研究出一种满足现代工业需求的新型温度传感器——WRe5/26温度传感器。     

用多光束干涉实现纳米级阵列图形的长焦深光刻

用多束相干光适当组合干涉曝光,得到的图形与基片在干涉场内的纵向位置z无关,与x、y位置呈周期关系,光的相干长度对应传统光学光刻的焦深。该方法适合大尺寸基片上纳米级孔、锥阵列图形的制作。模拟了双光束双曝光、三光束单曝光和四光束单曝光的干涉场光强分布,用波长为441.6nm的激光曝光得到尺寸为200nm的孔阵和点阵的图形。     

波前分割无掩模激光干涉光刻的实现方法

激光干涉光刻不受传统光学光刻系统光源和数值孔径的限制,其极限尺寸CD达到曝光波长 的1/4,研究了波前分割双光束、三光束方法及四光束无掩模激光干涉光刻方法,提出了可用于五光束和多种多光束和多次曝光的梯形棱镜波前分割干涉光刻方法。用自行建立的梯形棱镜波前分割系统进行了多光束干涉曝光实验,得到孔尺寸约220nm的阵列图形。     

振幅分割无掩模激光干涉光刻的实现方法

无掩模激光干涉光刻中的分束方法一般有波前分割和振幅分割。研究和比较了振幅分割无 掩模激光干涉光刻方法和系统,包括振幅分割双光束干涉系统、三光束干涉系统、液浸式深紫外干涉系统及全自动干涉光刻系统。建立了双光束双曝光干涉光刻实验系统。模拟和实验结果表明,对点阵或孔阵图形,在同样的图形尺度下,无掩模干涉光刻比传统光刻简单得多。