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5G是新基建的主要领域之一。当前,5G基站建设正由起步阶段向快速发展阶段演进。随着5G基站建设步伐的加快,基于频率高、衰退强度大的原因,5G基站建设密度和数量将会迅猛增长,这不仅增加了干扰其他邻频的无线电业务(例如C波段卫星地球站)的几率,其自身受到外部干扰的几率也大大增加。本文通过一起ATM机对5G造成干扰的案例,对微功率设备管理进行了研究;结合工作经验,分析了5G频率使用保护存在的困难及解决办法。 相似文献
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论述了位于不同层面的缺陷地结构(DGS)应用于功率放大器的设计。一种是在微带线的两侧接地面刻蚀DGS,另一种是在微带线的背面接地刻蚀DGS,通过ADS Momentum仿真确定DGS的尺寸,并将这两种DGS应用到一款4 W功率放大器中进行仿真和实际制板测试。实测结果显示在微带线两侧接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.76 d Bm时改善二次谐波13 d B,且输出功率和功率附加效率(PAE)优于不刻蚀DGS的功率放大器。在微带线背面接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.21 d Bm时改善二次谐波28 d B,由于DGS结构改变了正面微带线的特征阻抗,所以输出功率和功率附加效率低于不刻蚀DGS的功率放大器。 相似文献
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