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<正> 1.结构及工艺制造 SnO_2栅MOS型一氧化碳传感器芯片集成了一氧化碳传感器,内部加热电阻,测温二极管三元件。我们研制的MOS传感器的基本尺寸与参数如下:光刻版栅长为10μm,衬底电阻率为0.5~1Ωcm光刻版栅宽为5338μm,开始电压V_T为2~3V,柵氧厚度为500(?),几何图形如图1。 相似文献
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980nm氧化物限制的垂直腔面发射激光器 总被引:3,自引:0,他引:3
采用低压金属有机化合物气相外延(L P- MOCVD) ,制备了顶端发射氧化物限制、内腔接触结构980 nm的垂直腔面发射激光器.应用了选择氧化和自对准工艺来实现电流限制.在2 8m A脉冲电流驱动下,器件的输出功率为10 .1m W,斜率效率为0 .4 6 2 m W/ m A.脉冲工作下,最高输出功率为13.1m W.室温连续工作下,输出功率为7.1m W,发射波长为974 nm ,光谱半宽为0 .6 nm.研究了氧化孔径对阈值电流和微分电阻的影响,结果表明较小的氧化孔径可以获得低的阈值电流. 相似文献
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介绍了对SiGe/Si材料干法,湿计腐蚀的机理,腐蚀方法,影响腐蚀的主要因素,以及其在制造异1质结晶体管中的应用。 相似文献
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本文介绍了在电阻率为(77~300)kΩ·cm的n型(111)Si衬底上用LPE法生长高质量Si1-XGex单晶薄层(其厚度一般为1~3μm)的生长条件,并对引入的缺陷进行了TEM研究,结果表明其缺陷密度和用MBE及超高真空CVD法生长的同样厚度和组分的Si1-xGex薄层的缺陷密度相等甚至更低.霍尔迁移率μH与温度有μH∝Tm的关系,(在T=80~300K时,m=-0.95).当x>0.85时,μH的测量值和由Krishnamurthy计算的理论值相符,x<0.85,测量值仅为理论值的70%.由Bi杂质 相似文献
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用MBE(分子束外延,Molecular Beam Epitaxy)生长的材料研制了在低温工作的SiGe/Si HBT(异质结双极型晶体管,Heterojunction Bipolar Transistor).其在液氮下的直流增益hfe(Ic/Ib)为16000,交流增益β(ΔIc/ΔIb)为26000,分别比室温增益提高51和73倍.测试了该HBT直流特性从室温到液氮范围内随温度的变化,并作了分析讨论.解释了极低温度时性能随温度变化与理论值的差异. 相似文献
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用磁控溅射SiO2膜作为台面SiGe/SiHBT的表面保护纯化膜和光刻掩膜.测试分析了溅射工艺对SiO2膜的性质和SiGe/SiHBT性能的影响.研究发现,较高的衬底温度(200℃)有得于改善SiO2膜的质量.用溅射SiO2方法制备的HBT的电流增益明显高于用热分解正硅酸乙脂方法淀积SiO2制备的HBT.这说明溅射法避免了高温引起SiGe层应变驰豫所造成的HBT性能变差. 相似文献