| LPE法在Si衬底上生长SiGe层的方法及电子特性的研究 |
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| 引用本文： | 陈建新,邹德恕,张时明,韩军,沈光地.LPE法在Si衬底上生长SiGe层的方法及电子特性的研究[J].半导体学报,1996,17(12):886-890. |
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| 作者姓名： | 陈建新 邹德恕 张时明 韩军 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子工程系，北京市光电子技术实验室 |
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| 摘 要： | 本文介绍了在电阻率为（７７～３００）ｋΩ·ｃｍ的ｎ型（１１１）Ｓｉ衬底上用ＬＰＥ法生长高质量Ｓｉ１－ＸＧｅｘ单晶薄层（其厚度一般为１～３μｍ）的生长条件，并对引入的缺陷进行了ＴＥＭ研究，结果表明其缺陷密度和用ＭＢＥ及超高真空ＣＶＤ法生长的同样厚度和组分的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ薄层的缺陷密度相等甚至更低．霍尔迁移率μＨ与温度有μＨ∝Ｔｍ的关系，（在Ｔ＝８０～３００Ｋ时，ｍ＝－０．９５）．当ｘ＞０．８５时，μＨ的测量值和由Ｋｒｉｓｈｎａｍｕｒｔｈｙ计算的理论值相符，ｘ＜０．８５，测量值仅为理论值的７０％．由Ｂｉ杂质
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| 关 键 词： | SiGe LPE法硅 外延生长 电子特性 |
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