MEMS技术用于红外器件制作

MEMS技术是一项新兴的微细加工技术，已开始在各领域有了广泛应用。它可将信息获取、处理和执行等功能集成为一体化的微电子机械系统(MEMS)或微光电子机械系统(MO-EMS)，具有微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等特点，因此也开始被红外技术领域所采用，为该领域研究提供了一条新途径。文中简要介绍了MEMS技术的主要特点和工艺，并对MEMS技术在红外器件研制方面的应用作了详细叙述。     

基于MEMS技术的气动式红外探测器的计算机模拟

提出了一种可工作于室温环境下、基于MEMS技术的气动式红外探测器,它由束缚于微型腔体内、对特定波段的红外辐射具有吸收作用的气体介质构成.通过气体介质热膨胀引起的弹性薄膜形变,可获得包含红外辐射源信息的信号.建立了符合器件工作机制的物理模型,并通过有限元模型和流体-热-结构耦合模拟获得了微型腔体内气体介质的温度、速度场分布以及弹性薄膜的形变.     

射频溅射法镀LD腔面光学薄膜的工艺研究

介绍了用普通多靶射频溅射台镀半导体激光器腔面光学膜的工艺方法,给出了实验的工艺条件、采用的光学膜的材料以及具体的工艺参数,讨论了此方法镀光学膜的结果以及优点。     

SiGe/Si HBT发射结的寄生势垒及其对器件室温和低温特性的影响

研究了SiGe/Si HBT基区B杂质的偏析和外扩散对器件的影响.发现用MBE生长的SiGe基区中,在材料生长时B杂质的上述行为会严重破坏器件的室温电流增益并改变器件的低温性能.采用数值计算分析了B杂质的上述行为与在发射结产生的寄生势垒的关系,解释了器件温度特性的实验结果.并根据计算模拟和实验,讨论了SiGe隔离层的作用和优化的厚度.     

不同形状台面的AIGaAs湿氮氧化规律研究

详细研究了凸形、凹形与条形台面的A1GaAs湿氮氧化规律。对三种形状的台面分别进行氧化长度的观察测试，发现凸形、条形及凹形台面的氧化速率顺次下降，且随氧化时间的加长，差距明显增大。运用氧化动力学方法分析，是由于不同形状台面内的氧化剂浓度及氧化剂扩散速率不同引起；并推导得出台面形状、尺寸与氧化速率的对应关系。所推导的氧化规律模拟曲线与实验数据基本吻合。进一步指出当台尺寸较小时，由于氧化剂在气相传送中也受到了限制，凹形台面氧化速率的实验值与理论值会出现较大偏差。     

AlGaAs湿法氧化的热稳定性研究

文中针对AlGaAs湿法氧化后器件热稳定性变差,导致性能下降的问题进行了研究。对不同氧化条件下样品的热稳定性进行了比较,证明采用降低炉温、延长氧化时间以及经过预加热处理等方法可以有效提高器件的热稳定性。利用拉曼谱分析了AlGaAs湿法氧化技术中影响热稳定性的因素,认为器件的热稳定性在一定程度上取决于湿法氧化生成物中挥发性产物含量的多少。     

SiGe／Si HBT及逆向制造方法

叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管的工作原理以及一种双台面结构的逆向制造方法。     

新型红外探测器可动薄膜微腔的腐蚀工艺研究

基于气体直接吸收机理、微机械技术实现的气动红外探测器是对中远波段实现室温探测的新型红外探测器。该探测器的关键结构———微气腔和可动薄膜的腐蚀工艺研究对整个器件的制作有重要意义。根据探测器结构提出了对腐蚀工艺的要求,采用EPW湿法腐蚀的工艺,通过实验研究器件结构制作的最佳腐蚀条件和腐蚀速度,保证了工艺的可控性和器件结构的质量。     

射频磁控溅射腔面镀膜半导体激光器的可靠性

利用射频磁控溅射法对半导体激光器的腔面镀 Si O2 膜 ,并对镀膜后的器件在恒定电流下进行了加速寿命实验 ,结果表明镀膜后器件的特性得到了很大改善。器件平均输出功率提高了 49.8% ,平均阈值电流下降了 7% ,平均斜率效率提高了 5 0 % ,而且射频磁控溅射方法所镀的膜具有粘附性好、膜层致密、厚度易控制、稳定性好、成本低等优点 ,器件的可靠性也有明显提高。     

650纳米谐振腔发光二极管外延生长及性能研究

采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长了波长为650nm的谐振腔发光二极管（RCLED）。为提高界面生长质量,降低压降,采用AlGaInP材料系制作上DBRs。利用光致发光谱（PL）与电致发光谱（EL）研究了其发光特性。得到的器件在20mA注入电流下光功率平均为0.5mW,压降2.2V,光谱半峰宽（FWHM）约10nm。