| p-GaN／Au欧姆接触的研究 |
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| 引用本文： | 成彩晶,司俊杰,鲁正雄,赵鸿燕,赵岚,丁嘉欣,孙维国,陈志忠,张国义.p-GaN／Au欧姆接触的研究[J].红外,2006,27(8):20-23. |
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| 作者姓名： | 成彩晶 司俊杰 鲁正雄 赵鸿燕 赵岚 丁嘉欣 孙维国 陈志忠 张国义 |
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| 作者单位： | 1. 中国空空导弹研究院,洛阳,471009
2. 北京大学物理系,北京,100871 |
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| 摘 要： | 本文对p-GaN/Au的接触电阻率进行了研究．用沸腾的王水处理p-GaN表面后,p-GaN/Au可直接形成电阻率为0．045Ω·cm~2的欧姆接触．接触电阻率测试和I-V特性曲线测试表明,在N_2气氛围中退火可影响p-GaN/Au接触电阻率的大小．在700℃温度下退火5min后,接触电阻率最小,其值为0．034Ω·cm~2,而在900℃温度下退火5min后,I-V特性曲线是非线性的。分析表明,在700℃温度下退火后,p-GaN/Au的界面间的反应使接触面增大,而在900℃温度下退火后,p-GaN表面的N会扩散到Au层里在p-GaN表面层产生N空位,这是p-GaN/Au接触电阻率变化的主要原因．
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| 关 键 词： | 表面处理 退火 接触电阻率 I-V特性 |
| 文章编号： | 1672-8785（2006）08-0020-04 |
| 收稿时间： | 2006-03-10 |
| 修稿时间： | 2006-03-10 |
Research on p-type GaN / Au Ohmic Contact |
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| CHENG Cai-jing SI Jun-jie LU Zheng-xiong ZHAO Hong-yan ZHAO Lan DING Jia-xin SUN Wei-guo.Research on p-type GaN / Au Ohmic Contact[J].Infrared,2006,27(8):20-23. |
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| Authors: | CHENG Cai-jing SI Jun-jie LU Zheng-xiong ZHAO Hong-yan ZHAO Lan DING Jia-xin SUN Wei-guo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | surface treament annealing specific contact resistance I-V characteristics |
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