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101.
102.
以钯为活性组分,改性Al2O3为载体,采用浸渍法制备了用于裂解汽油一段选择加氢的LY-9801 D催化剂。物性表征表明,与LY-9801催化剂相比,LY-9801 D催化剂载体致密性好,堆密度和压碎强度高。在中国石油兰州石化分公司大乙烯装置上的工业应用表明,在操作条件为进料量22~30 t/h(设计值为28 t/h),反应器入口温度28~36℃,压力2.65 MPa,氢气/原料体积比100~200时,装置运行14个月,反应器入口温度仅为36℃,加氢产品双烯值小于2.5×10-2g/g,达到设计值要求。 相似文献
103.
104.
<正>一、概述某水库大坝为均质土坝,坝高18.5m。坝身填土主要为中~重粉质壤土、粉质粘土局部填土中夹砾石,填土多呈软~可塑状。大坝修建于上世纪60年代,筑坝施工主要采用人工挑抬、分队分组作业。填土主要是就地取材,坝身填土土料混杂、不密实,局部 相似文献
105.
106.
The effect of active layer deposition temperature on the electrical performance of amorphous InGaZnO (a-IGZO) thin film transistors (TFTs) is investigated. With increasing annealing temperature, TFT performance is firstly improved and then degraded generally. Here TFTs with best performance defined as "optimized-annealed" are selected to study the effect of active layer deposition temperature. The field effect mobility reaches maximum at deposition temperature of 150℃ while the room-temperature fabricated device shows the best subthreshold swing and off-current. From Hall measurement results, the carrier concentration is much higher for intentional heated a-IGZO films, which may account for the high off-current in the corresponding TFT devices. XPS characterization results also reveal that deposition temperature affects the atomic ratio and Ols spectra apparently. Importantly, the variation of field effect mobility of a-IGZO TFTs with deposition temperature does not coincide with the tendencies in Hall mobility of a-IGZO thin films, Based on the further analysis of the experimental results on a-IGZO thin films and the corresponding TFT devices, the trap states at front channel interface rather than IGZO bulk layer properties may be mainly responsible for the variations of field effect mobility and subthreshold swing with IGZO deposition temperature. 相似文献
107.
原子荧光光谱法同时测定饮用水中砷和硒 总被引:2,自引:0,他引:2
1试验方法1.1仪器和试剂1.1.1仪器:海光AFS0230型全自动双道氢化物发生原子荧光光度计砷编码空心阴极灯硒编码空心阴极灯 相似文献
108.
109.
共沸蒸馏法制备TiO2、SnO2纳米粉体 总被引:2,自引:0,他引:2
采用共沸蒸馏法分别制备了TiO2、SnO2纳米粉体,并应用XRD和TEM等分析方法对所得粉体进行了表征.结果表明:采用共沸蒸馏法制备出了分散性较好、粒径约为7nm的TiO2纳米粉体和粒径约为10nm的SnO2纳米粉体. 相似文献
110.
目的 提高锂离子电池TiO2负极的电化学性能.方法 采用微弧氧化技术在钛箔表面制备TiO2膜,再通过磁控溅射技术在TiO2膜上沉积Si/SiO2,制备出一种富含硅元素的微弧氧化复合膜.将该复合膜作为锂离子电池负极,锂片为对电极,组装电池.采用电池测试系统测量电池容量、循环稳定性等性能,通过电化学工作站获得循环伏安曲线、电化学阻抗谱等特性.结果 复合膜的组成为TiO2/SiO2/Si,呈现多孔状形貌.TiO2、SiO2和Si都参与了与锂离子的氧化还原反应,在100μA/cm2的电流密度下,经100圈循环后,复合膜负极的比容量保持在530(mA·h)/g左右,且在1000μA/cm2的大电流密度条件下,充放电后,复合膜负极的比容量能够恢复到初始值的95%,表现出较高的比容量、良好的循环稳定性和倍率性能,复合膜负极性能明显优于以纯TiO2为负极的锂离子电池.结论 在钛箔表面,微弧氧化技术可高效地制备多孔状、无粘结剂的TiO2负极材料,与磁控溅射技术相结合,可进一步制备出高容量的复合膜负极,具有良好的应用前景. 相似文献