低温共烧陶瓷(LTCC)技术应用进展

作为一种新兴的集成封装技术,低温共烧陶瓷(LTCC)技术以其优良的高频和高速传输特性、小型化、高可靠而备受关注.介绍了低温共烧陶瓷技术的工艺、材料特性、应用及发展趋势,分析其在功能模块领域应用的可行性.     

磁性微电子机械系统(MMEMS)的应用

微电子机械系统(MEMS)技术结合磁性材料的特性,会产生许多新的功能,并在很多领域得到应用,如信息技术、汽车工业、生物医学,航空以及科学仪器等.本文阐述了在微米尺寸下,磁性MEMS相对于静电和压电执行器,在强度、偏振、执行距离等方面具有的优势,并就磁性MEMS现有及潜在的应用加以概述.     

一种新型SIR结构LTCC带通滤波器设计与制作

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术及SIR结构,设计制作了一种新型LTCC带通滤波器,采用ADS和HFSS软件进行三维建模和电磁场优化仿真及测试。结果表明:该滤波器中心频率为2.46 GHz左右,3 dB带宽为2.28~2.71 GHz,带外抑制≥25 dB(偏离中心频率±500 MHz),外形尺寸为3.20 mm×1.61 mm×1.03 mm。     

微波调谐铈钇共掺Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的改性机制研究

用改进的溶胶一凝胶法制备光滑致密的预晶化铈（Ce）和锰（Mn）共掺钛酸锶钡（CeMn—SST）薄膜。电容－电压曲线表明,随着薄膜厚度的增加,综合介电性能大幅度改善,8层薄膜显示介电常数约为1300、低于0．007介电损耗、高于58％调谐率及接近180优质因子等优化介电性能,为主要沿（1101晶面层状生长的钙钛矿结构。     

0.03～4.5GHz超宽带低噪声放大器设计与实现

采用负反馈和均衡器结构,选用Avago公司生产的增强型高电子迁移率晶体管ATF55143,利用ADS软件设计、仿真和优化,最终实现了一款覆盖0.03~4.5 GHz频段的低噪声放大器,该模块中的低噪声放大器使用分立元件搭建,匹配电路调试灵活,满足了模块对输入输出驻波的高要求。其增益大于25 d B,平坦度小于等于±0.9 d B,噪声系数小于1.2 d B,输入输出驻波比小于1.75。该放大器模块体积小巧,成本较低,调试灵活,可望在通讯领域得到广泛应用。     

基于LTCC技术的S波段低噪声放大器的小型化设计

分析了低温共烧陶瓷（LTCC）的技术优势和低噪声放大器的工作原理,介绍了该放大器的小型化设计与内埋置方法,提出了一种合理的电路拓扑结构,从而减少了电路的面积与元器件数量。为电路与系统的小型化与低成本设计提供一个参考。     

优异Y-BST薄膜的设计、制备及介电性能

就(Ba+Sr)/Ti的原子摩尔比例、掺杂浓度、薄膜厚度等优化设计钇掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3(Y-BST)薄膜,用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备Y-BST薄膜,研究该薄膜的结构及介电性能。X射线衍射(XRD)表明,薄膜均为立方钙钛矿多晶结构,主要沿(110)晶面生长。随(Ba+Sr)/Ti比值的增加,BST薄膜衍射峰强度增加,晶化增强;Y-BST薄膜随掺杂浓度(>1%摩尔比)的增加,衍射强度减弱,晶化减弱,但随薄膜层数的增加,衍射强度增强,晶化增强。40V和100kHz的电压-电容测试表明,(Ba+Sr)/Ti比值为0.9及掺杂浓度为2%摩尔比的8层Y-BST薄膜具有最优综合介电性能:零偏压下的电容为18pF(介电常数137)、介电损耗小于1%,40V偏压下调谐率约为46%,优质因子约为77,能满足微波调谐需要。同时,就有关机理进行了分析。