全文获取类型
收费全文 | 21189篇 |
免费 | 2755篇 |
国内免费 | 1604篇 |
学科分类
工业技术 | 25548篇 |
出版年
2024年 | 54篇 |
2023年 | 331篇 |
2022年 | 490篇 |
2021年 | 713篇 |
2020年 | 825篇 |
2019年 | 848篇 |
2018年 | 830篇 |
2017年 | 942篇 |
2016年 | 916篇 |
2015年 | 789篇 |
2014年 | 1153篇 |
2013年 | 1343篇 |
2012年 | 1460篇 |
2011年 | 1500篇 |
2010年 | 1024篇 |
2009年 | 1068篇 |
2008年 | 950篇 |
2007年 | 1285篇 |
2006年 | 1219篇 |
2005年 | 1032篇 |
2004年 | 934篇 |
2003年 | 868篇 |
2002年 | 822篇 |
2001年 | 718篇 |
2000年 | 588篇 |
1999年 | 439篇 |
1998年 | 357篇 |
1997年 | 301篇 |
1996年 | 282篇 |
1995年 | 230篇 |
1994年 | 225篇 |
1993年 | 153篇 |
1992年 | 169篇 |
1991年 | 135篇 |
1990年 | 126篇 |
1989年 | 92篇 |
1988年 | 69篇 |
1987年 | 55篇 |
1986年 | 60篇 |
1985年 | 39篇 |
1984年 | 32篇 |
1983年 | 15篇 |
1982年 | 20篇 |
1981年 | 17篇 |
1980年 | 5篇 |
1978年 | 5篇 |
1975年 | 3篇 |
1974年 | 4篇 |
1959年 | 4篇 |
1951年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
本文概述了离子注入过程中污染产生的原因和防止污染的措施,特别强调了对微粒污染和金属污染的防护以满足ULSI加工对离子注入的要求。 相似文献
42.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
43.
氧化锌压敏电阻的老化机理 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了ZnO压敏电阻的老化现象,提出了一种新的老化机理-线性链理论。该理论认为,在外电场作用下,压敏电阻势垒高度降低;当降低到一定值时,晶界可变电阻转化为线性晶界电阻,从而压敏链转化为线性链。线性链是稳定的,因而压敏电阻老化到一定程度后其电性能将不能完全恢复。 相似文献
44.
本文研究了金属(Cu)/金属(Ag衬底)系统的荷能束辐照引起的表面偏析现象。观察到Cu在多晶Ag衬底上溅射淀积过程中,Ag原子在Cu膜表面的偏析,且淀积Cu原子能量越大,Ag原子偏析程度越大,即观察到了淀积Cu原子10~(-1)~1eV量级的平均能量差异对膜层表面偏析行为的影响。对溅射淀积所得膜层进行keV量级的离子束辐照,Ag原子的表面偏析程度更甚。 相似文献
45.
46.
47.
48.
49.
日产NHR-90W型催化剂失活原因分析 总被引:1,自引:0,他引:1
对日产NHR -90W催化剂在抚顺石化分公司石油二厂 6万t/a石蜡加氢装置运行情况进行了研究 ,证明该催化剂活性较高 ,对原料的适应性也较强。同时 ,对造成催化剂短期内失活的原因进行了分析 ,认为原料中铁离子含量过高是造成催化剂失活的主要原因。对相关装置生产控制提出了建议 相似文献
50.
甲基丙烯酸乙酯合成工艺研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以大孔强酸性离子交换树脂为催化剂,甲基丙烯酸(MAA)与乙醇直接酯化合成甲基丙烯酸乙酯(EMA)。在MAA与乙醇摩尔比为1:3、反应温度89~93℃、空速0.3h~(-1)的条件下,MAA转化率不低于98%,EMA的选择性不低于99%。 相似文献