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941.
高性能交流驱动系统中,电机磁链位置能否准确获取将影响系统的动态与稳态性能。异步电机全阶模型同时实现了电机转速作为参数的在线辨识以及电机电流与磁链作为状态变量的实时观测。本文将对全阶模型在估计异步电机参数与变量过程中的磁链收敛特性进行研究。由于全阶模型的非线性特性,采用奇异摄动理论,将全阶模型分解为转速辨识模型与磁链观测模型,两个模型在时间尺度上分离,通过分析磁链观测子系统中系统特征值的分布与阻尼特性,研究了磁链观测的收敛性与影响收敛速度的影响因子。研究结果表明磁链系统在中高速的阻尼特性需要改善,并提出了改善收敛性的对策。仿真和实验验证了分析方法的正确性与所提对策的可行性。 相似文献
942.
采用铁系催化剂制备了具有1,2-结构的聚丁二烯,然后在钒系催化剂存在下进行乙烯和丙烯共聚合,原位合成了以聚丁二烯为第3单体的三元乙丙橡胶。并使用核磁氢谱、傅里叶变换红外光谱、三检测器系统凝胶渗透色谱联用仪和热重分析仪对所得的聚合物进行了表征。结果表明,聚丁二烯的质量大于1.0 g时,催化剂聚合活性缓慢降低。随着聚丁二烯用量的增加,相对分子质量增大,相对分子质量分布变宽。VOCl3-Al2(C2H5)3Cl3-ETCA催化体系中,当n(Al)/n(V)=60,n(ETCA)/n(V)=15时,以聚丁二烯作为第3单体具有最高的聚合活性。新型三元乙丙橡胶中既含有可用于硫化的双键,又具有一定量的长链支化结构,具有潜在的工业应用前景。 相似文献
943.
为减少三维芯核绑定前和绑定后的测试时间,降低测试成本,提出了基于跨度和虚拟层的三维芯核测试外壳扫描链优化方法.所提方法首先通过最大化每条测试外壳扫描链的跨度,使得绑定前高层电路和低层电路的测试外壳扫描链数量尽可能相等.然后,在TSVs(Through Silicon Vias)数量的约束下,逐层的将虚拟层中的扫描元素分配到测试外壳扫描链中,以平衡绑定前后各条测试外壳扫描链的长度.实验结果表明,所提方法有效地减少了三维芯核绑定前后测试的总时间和硬件开销. 相似文献
944.
在无线传感器网络(WSNs)中,节点复制攻击和女巫攻击可扰乱数据融合和阈值选举等网络操作.发起这两种攻击需先通过邻居发现认证过程.考虑到在WSNs中发起邻居认证是不频繁的,提出了一种基于单向密钥链的ID认证防御机制(OKCIDA),降低攻击者在任何时间段发起这两种攻击的可能性.然后基于椭圆曲线离散对数问题,构造对称参数,并组合OKCIDA和利用节点邻居关系,提出了一种无需位置的邻居认证协议(LFNA),以阻止复制节点和女巫节点成功加入网络.最后给出了安全性证明和分析,并在安全和开销方面将LFNA与已有典型防御方案进行了比较,结果表明该方案具有一定的优势. 相似文献
945.
取代传统的状态转移矩阵特征值估计方法,运用随机过程相关理论,对实数编码人工免疫算法的收敛速度估计进行了研究,该方法从满足人工免疫算法概率强收敛的必要条件出发,将其作为一般人工免疫算法符合的充分条件,提出了一种实数编码人工免疫算法指数速度概率强收敛的估计新方法.该方法以种群中最佳抗体的最终收敛为判断依据,避免了传统估计方法过于保守的不足,可用于一类人工免疫算法的收敛性和收敛速度的判断,在人工免疫算法实际应用中如何优化其收敛速度具有一定理论参考意义. 相似文献
946.
947.
为了准确评估实际网络中IEEE 802.11b分布式协调功能(Distributed Coordination Function,DCF)的系统性能,提出了一种三维Markov链路模型,该模型综合考虑了DCF协议退避计数器冻结状态和有限重传次数,并结合M/M/1/K排队模型给出了在负载有限的情况下DCF系统性能的理论模型。仿真结果表明,该模型能准确地预测IEEE 802.11b DCF协议的系统性能。 相似文献
948.
基于紧束缚模型的实空间格点组成的一维线性均匀有序的量子点阵列为研究对象,然后利用演化算符的作用使其在量子点阵列的自旋链上进行单量子比特的信息传输。即使用演化算符 使单比特量子态从量子点阵列起始端为多粒子态 传输到末端态为 ,最后在此基础上计算概率来讨论了单量子比特能从起始端的多粒子态 的第一个量子比特完全传输到态 的末端第N个量子比特是可能的。 相似文献
949.
研究了不同界面修饰层对酞菁氧钒(VOPc)薄膜晶体管性能的影响。通过AFM图谱分析不同界面修饰层上VOPc薄膜的生长行为,通过半导体参数测试仪测试分析不同界面上器件的电学特性。实验结果表明,十八烷基三氯硅烷(OTS-18)修饰后生长的VOPc薄膜,比正辛基三氯硅烷(OTS-8)和苯基三氯硅烷(PTS)修饰后的薄膜晶体尺寸更大、质量更优;基于OTS-18修饰的底栅顶接触型VOPc有机薄膜晶体管,在4种结构器件中具有最高的场效应迁移率(0.51cm2/V·s),相对于未修饰的器件迁移率提高了近40倍。较长的烷基链能够有效地隔绝VOPc分子和二氧化硅之间的相互作用,利于形成大晶粒尺寸、少缺陷的优质薄膜,获得高迁移率的TFT器件。绝缘层表面自组装单分子层的厚度对其上薄膜的生长行为和相应器件的性能影响极为明显,这一结论对有机半导体薄膜生长和器件制备具有指导意义。 相似文献
950.
采用一步法,以N,N-二(4-氨基苯基)-4-(十二烷氧基联苯基)-4’-氨基苯醚(C12-BAAPE)为控制预倾角的功能性二胺,2,2’-双三氟甲基-4,4’-联苯二胺(TFDB)或4,4’-二氨基二苯醚(ODA)为辅助二胺,分别与2,2’-双(3,4-二羧苯基)六氟丙烷四羧酸二酐(6FDA)和4,4’-联苯醚二酐(ODPA)聚合,得到三种主链结构不同的聚酰亚胺(PI-1、PI-2和PI-3)。利用NMR、FT-IR、DSC、TGA、偏光显微镜和预倾角测试仪对聚合物的结构、热性能以及制备的液晶盒的取向性进行了表征,同时测试了3种PI的溶解性能。结果表明,PI-2液晶取向膜的耐摩擦性能明显优于PI-1和PI-3,且具有更高的玻璃化转变温度(Tg)和分解温度(Td),更好的溶解性能。分子模拟(MS)表明,由于PI-2分子主链垂直构象的存在,增加了分子链的刚性,因而提高了取向膜的耐摩擦性能。 相似文献