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GaN 纳米结构的制备 总被引:4,自引:0,他引:4
提出一种通过对溅射Ga2O3薄膜后氮化技术制备GaN纳米结构的方法,已成功地制备出CaN纳米线、纳米棒和纳米带。该方法既不需要催化剂,也不需要模板限制,不仅避免了杂质污染,而且简化了纳米结构的制造工艺,对于纳米结构的应用非常有利。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(sAD)研究了CaN纳米结构的形貌和晶格结构。结果表明CaN纳米结构是具有六角纤锌矿结构的GaN晶体,不存在Ga2O3或Ga的其他相。研究结果证明在高温氮化过程中由于晶格缺陷的降低和晶化的改进能够得到高质量的GaN晶体。简要地讨论了GaN纳米结构的生长机制。 相似文献
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用射频磁控溅射法在不同衬底上制备出了MgxZn1-xO薄膜。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究结果表明,薄膜为六角纤锌矿结构,具有(002)方向择优取向;随氧分压增加,(002)衍射峰的角度变大,表征薄膜表面粗糙程度的方均根粗糙度减小。室温光致发光谱中有多个紫外及可见光致发光峰,其中344nm发光峰应来源于近带边发射。室温透射谱表明薄膜在可见光区具有极高的透过率,薄膜的吸收边位于340nm附近,进而估算出Mg、Zn1-xO薄膜的带隙宽度为3.59eV,与光致发光结果一致。 相似文献
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纳米二氧化钛(TiO_2)催化剂由于其高效、价廉、无毒、稳定等优点,被认为是一种极具应用前景的环境友好型光催化材料,它在空气净化、环境治理、光解水制氢、废水处理等环保领域得到了广泛的研究和应用。在对TiO_2改性研究中发现,稀土金属掺杂是较为有效和经济的手段,稀土离子的掺入不仅可以提高对有机污染物吸附量,还可以延迟锐钛矿相向金红石相的转变,增强TiO_2的光催化性能。目前,有关稀土掺杂TiO_2的综合性报道较少。本文简单介绍了稀土掺杂纳米TiO_2提高其光催化性能的机理,从单一稀土元素掺杂、稀土元素与其他元素共掺杂、稀土元素与稀土元素共掺杂纳米TiO_2光催化剂3个方面阐述了稀土掺杂纳米TiO_2光催化剂的研究进展,并在最后指出了稀土掺杂纳米TiO_2中存在的问题和未来的研究方向。 相似文献
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使用水平石英管式电炉,以二氧化锡和石墨的混合物为原材料、高纯氮气为载气,在850℃温度下用直接热蒸发法制备二氧化锡纳米线.衬底硅片的直径为10mm,其上覆盖一层5nm厚的金催化剂.原材料放在石英舟中,离原材料30mm的下风口处放置硅衬底,原材料和硅衬底都放置在石英管的中部电炉的恒温区内.用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察到二氧化锡的纳米线结构;X射线衍射(XRD)表明二氧化锡纳米线具有四方金红石结构;选区电子衍射(SAED)照片表明二氧化锡纳米线具有完善的晶体结构.不同生长时间下制备样品的扫描电子显微镜和透射电子显微镜照片再现了二氧化锡纳米线的生长过程,该纳米线的生长符合传统的VLS生长机制. 相似文献
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RFMEMS技术在民用和军事方面有巨大的潜力,作为其核心器件的RFMEMS开关很有希望在雷达和通信领域之中成为关键器件。电磁驱动RFMEMS开关具有工作电压比较低,驱动力大,可以工作在恶劣的环境等优点,使其成为近年来RFMEMS开关研究的一个热点。 相似文献