高浓度煤粉燃烧低NOx排放特性的试验研究

为了探讨高浓度煤粉燃烧对NOx排放特性影响的内在机理，在一维火焰炉试验台上，对3种典型煤在不同煤粉浓度燃烧下的NOx前驱物HCN与NH3在主燃区进行了测试，对气相催化还原剂CO及沿炉膛轴向的NOx释放特性进行了分析。试验结果表明：与常规浓度相比，高浓度煤粉燃烧条件下的NOx排放量最大可降低2.2倍。对于不同煤种，最大限度抑制NOx排放的最佳煤粉浓度控制在过量空气系数0.7左右，煤粉燃烧过程中的NOx主要在着火区距炉膛入口0.2~0.4m处产生。在高煤粉浓度下，燃料氮向HCN与NH3的转化率均远远低于常规浓度，同时燃烧过程中产生的大量CO对NOx还原分解的加速是高浓度煤粉燃烧低NOx排放的关键所在。     

解析王熙凤话语人际意义的构建

个体的社会身份在话语中建立和发展。王熙凤是《红楼梦》作者浓墨重彩的一笔,其极致的语言技巧所折射出的人物个性受众多学者多视角的关注。文章基于系统功能语言学理论,拟从语气、情态和评价为切入点解析王熙凤话语的人际意义,主要考察其中传达了怎样的人际意义及如何得以构建的。通过分析其话语中丰富的人际意义构建方式,旨在拓展话语分析的维度和提高话语使用者话语的感知力及表现力的同时,为文学人物形象的分析提供方法上的参考。     

温轧／冷轧两用硅钢轧制油的研制

介绍了温轧／冷轧两用硅钢轧制油的研制过程，理化性能及工业试验结果。     

石英晶体微天平气敏传感器阵列测量系统

为克服现有单气敏传感器测量系统非自动识别气体种类和浓度的缺陷,采用一种基于以太网传输协议的32通道石英晶体微天平(QCM)测量系统。该系统由QCM气敏传感器阵列起振模块和高精度频率计数卡组成。起振模块产生32路石英晶体频率信号;高精度频率计数卡通过FPGA内部计数器直接采样频率信号,通过以太网高速传输到上位机进行数据存储、数据处理及信号波形显示。测试结果表明:系统可以实现实时、多通道、高速、高精度采集和发送数据。     

挤压铸造AZ91D镁合金流动性研究

以不同壁厚的矩形试样为研究对象,运用正交试验设计,研究了壁厚、浇注温度、模具温度、挤压速度对挤压铸造AZ91D镁合金流动性影响规律。试验结果表明:对壁厚为1 mm、2 mm、3 mm试样的流动性影响最大的因素是浇注温度,对4 mm试样则是模具温度。当浇注温度在700℃到750℃变化时,增加浇注温度对提高AZ91D镁合金的流动性是有利的;对厚壁铸件(3 mm和4 mm)通过提高模具温度而增加镁合金的充型能力是非常有效的;增加挤压速度对薄壁试样的流动性影响不是很明显,但是随着试样壁厚的增加,影响逐渐增大。试验结果也表明,挤压铸造工艺不适合于生产壁厚小于3 mm的镁合金铸件,否则难以得到轮廓清晰的完整铸件。     

多桩型软岩复合地基承载特性现场试验研究

为了研究多桩型软岩复合地基的承载特性,选取了具有代表性的多桩型软岩复合地基工程,对复合地基大直径桩和CFG桩桩身轴力及桩间土应力进行了长期监测,并根据测试结果对软岩复合地基承载特性进行了分析。分析结果表明,软岩复合地基的承载特性与一般刚性桩复合地基的承载特性相似,复合地基中大直径桩与CFG桩桩身轴力随深度增加呈现先增大后减小的分布特征,在桩顶一定范围内桩侧存在负摩阻力,桩间土应力则随着与桩中心距的增加而增大。当建筑结构主体完工后,现场实测得到大直径桩桩顶平均压力约1847k N,CFG桩桩顶平均压力约105k N,复合地基表面桩间土应力在70~200k Pa之间,根据实测结果推算出的强风化泥岩中平均应力约为273k Pa。从测试分析结果中可以看出,软岩复合地基充分利用了地基中强风化泥岩的天然地基承载力,具有较好的经济性。     

湿排粉煤灰渣在预拌砂浆中的应用

研究了利用湿排粉煤灰渣取代细集料的不同量对预拌砂浆和易性、强度和收缩的影响。综合考虑,分析原因,最终找出湿排粉煤灰渣的最佳取代量。     

一种应用于RFID 的印刷倒F 天线设计

基于平面倒F 天线模型,设计了一种用于2.4GHz RFID 系统的印刷倒F 单极子天线。采用易于射频集成的微带馈电方式,并结合带线阻抗变换,以实现较宽的阻抗带宽;采用在印刷倒F 结构正上方加载寄生辐射贴片,以提高天线增益。利用高频电磁仿真软件Ansoft HFSS 对提出的天线进行了建模、仿真和优化设计,该天线在2.28-2.51GHz 频率 范围内VSWR＜2,达到了10%左右的阻抗带宽,特别在RFID 系统的工作频段内（2.401GHz~2.409GHz）VSWR＜1.35, 增益＞2.36dBi。该天线具有尺寸小,重量轻,成本低等众多优点,能应用于工作于2.4GHz 的各种RFID 系统中。     

(1-x)Na0.5Bi4.5Ti4O15-xBaTiO3高温铋层状陶瓷的结构与性能研究

采用固相法制备(1-x) N0.5Bi4.5Ti4O15-xBaTiO3 (NBT-BT,x=0,0.05,0.10,0.20,0.30,0.40)高温铋层状压电陶瓷材料.用X射线衍射(XRD)、SEM扫描电镜(SEM),介电和阻抗温谱等测试方法研究了BaTiO3掺杂量对Na0.5Bi4.5Ti4O15陶瓷晶体结构和电...     

HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究

为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁移率退化的原因,模型计算结果与实验结果一致。