InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现

从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.     

脉冲激光沉积法制备立方焦绿石结构的Bi1.5ZnNb1.5O7薄膜

采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5ZnNb1.5O7(BZN)陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法在Pt/SiO2/Si(100)基片制备立方BZN薄膜。研究了随衬底温度的变化,薄膜的结晶性能,微观形貌以及介电性能的差异。结果表明当衬底温度在550~650℃时,薄膜具有纯的立方BZN结构,并且在600℃时薄膜的晶粒发育比较完整,此时薄膜具有较高的介电常数和较低的损耗。     

Optoelectronic Smart Pixels Comprising Flip-Chip-Bonded GaAs/AIGaAs MQW Detectors and Modulators on Silicon CMOS Circuit

A high-density and high-performance optoelectronic integrated circuit(OEIC) is ex-pected to be used in data communication in massively parallel processors of optical inter-connects and optical switching networks.The most desirable opt...     

InP基InAlAs—InAs HEMT

对ＩｎＡｓ沟道ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓ高电子迁移率晶体管材料及器件的设计和器件制作工艺进行了研究，器件样品性能良好，１μｍ栅长ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓ ＨＥＭＴ器件的最大跨导３００Ｋ时达到２５０ｍＳ／ｍｍ。这是国内首次研制成功的ＩｎＡｓ沟道ＨＥＭＴ器件。     

化合物半导体异质结微波和高速器件的研究和发展

介绍了微波和超高速异质结器件的研究和发展，着重叙述了各种异质结场效应管，异质结双极管体管和双极场效应管的特点，发展水平和新型器件结构。     

双极型功率晶体管的温度分布和直流安全工作区

当晶体管的热点温度保持在 200 ℃时,晶体管的额定耗散功率随集电结电压增加而减小.本文试图由温度分布随集电结电压的变化来解释这现象.介绍一个计算热阻和温度分布的方法并给出详细的热扩展系数图表.将其和晶体管发射极电流方程相结合得到不同偏置下晶体管的热点温度.计算结果与红外显微镜实测结果相符.     

煤油介质在铝带箔冷轧机液压系统中的应用

液压油的泄漏会污染工艺润滑油及铝带箔表面。通过分析煤油介质对液压元件和液压系统性能的影响，提出了在铝带箔冷轧机液压系统中使用煤油介质的可行性和应注意的问题；介绍了使用煤油介质的液压系统的设计方法。     

虚拟分组调度电话在我厂的应用

“虚拟分组调度电话”就是用一台调度电话总机完成多台调度电话总机的全部功能。它的全部用户组和各用户之间既有独立性又有公用性，省去了分散在全厂各调度室独自安装调度总机后组成调度网络的设备，操作使用简便方便，功能强大，维护量少，稳定可靠，一次性可节约三分之一到三分之二投资，很多优点是传统调度机无法比拟的。     

非掺杂AlGaN/GaN HEMT微波功率器件

介绍了非掺杂GaN HEMT微波功率器件的结构、制造工艺和测试结果.制作了几种0.6μm栅长、100～1000μm不同栅宽的器件,对于栅宽分别为100,300和500μm的器件,典型最大跨导为190～170mS/mm;截止频率比较相近,大约为24GHz;而最高振荡频率随栅宽增加而降低,分别为56,46和40GHz.测试了8GHz频率时,不同工作条件下1000μm栅宽器件的连续波微波功率特性:Vds=17V,Id=310mA,Pin=25.19dBm时,Po=30dBm(1W),Ga=4.81dB;Vds=18V,Id=290mA,Pin=27dBm时,Po=31.35dBm(1.37W),Ga=4.35dB.     

三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较

对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究，结果表明：常规结构的材料生长简单、容易控制，倒置结构的直流性能低于常规结构，而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂，但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.