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391.
AlGaN紫外光电导探测器的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在蓝宝石(0001)村底上采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了未掺杂的Al0.15Ga0.85N外延层,并以此为材料制作了光电导探洲器,实验发现探测器具有显著的紫外光响应。分析了探测器持续光电导效应(PPC)的产生机理。 相似文献
392.
393.
LDD-CMOS中ESD及其相关机理 总被引:4,自引:1,他引:3
LDD工艺是CMOS集成电路进入亚微米后应用最广泛的技术,该技术很好地改善了沟道电场分布,避免了在器件漏端的强场效应,在可靠性方面明显地提高器件及电路的热载流子寿命.然而,LDD结构的抗ESD的能力却大大降低了.文中通过实验和分析,研究了在ESD过程中,LDDgg nMOS器件的Snapback对器件潜在损伤的影响,尤其对热载流子效应的影响 相似文献
394.
研究了一种建立在退化栅电流物理解析模型基础上的深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injection)退化模型. 提出了一种基于L-M (Levenberg-Marquardt)算法的多目标响应全域优化提取策略,并对可靠性模型参数进行优化提取. 分析了优化过程中由于参数灵敏度过低产生的问题并提出采用递归算法求解不同时刻栅电流注入电荷量的加速计算方法. 最后,给出了最优化参数提取的结果,并且将测量值与理论值进行了比较,得到很好的一致性. 相似文献
395.
对在SiC衬底上采用MOCVD方法制备的GaN和GaN:Mg薄膜进行X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和拉曼散射光谱的对比研究发现:两种样品均处于张力作用之下,但是GaN:Mg样品却由于Mg的掺杂会在样品中引入更多的缺陷和位错加剧薄膜的无序化程度,致使薄膜质量变差;其次因为Mg原子半径比Ga原子半径大,所以当Mg替代Ga以后会引发压力应力,从而使薄膜张力减小,最后通过计算说明对于GaN:Mg样品而言,除了载流子以外,薄膜质量同样也会对A1(LO)模式产生影响. 相似文献
396.
发展微电子技术,迎接信息化的挑战 总被引:2,自引:0,他引:2
微电子技术,基于其重要的地位,成为世界各国尤其是发达国家竞争热点,从而导致此领域持续高速地发展,展望未来,传统领域新的推进或新的突破仍将出现,一些新领域的研究开发也将取得重大的进展。 相似文献
397.
398.
399.
400.