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采用LP-MOVPE技术,在(001)InP衬底上生长的InAs/InP自组装量子点是无序的。为了解决这个问题,在InP衬底上先生长张应变的GaAs层,然后再生长InAs层,可得到有序化排列的量子点。本文对张应变GaAs层引入使量子点有序化排列的机理进行了分析,为生长有序化、高密度,均匀性好自组装量子点提供了依据。 相似文献
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大多数OLED都用ITO做阳极,为了提高ITO的功函数、改善ITO表面的平整度和减少C的污染,通常要在生长有机材料前对ITO表面进行处理。介绍了目前用等离子体对OLED阳极进行处理的研究现状,给出了Ar、O2、H2、N2、N2O和CF4等离子体处理ITO后对平整度、功函数、接触角和OLED特性等的影响,在他人研究基础上得出结论:用等离子体对OLED阳极进行处理其器件特性不仅与处理ITO表面的气体种类有关,也与产生等离子体的条件有关。采用正交试验方法可优化等离子体处理工艺参数,获得高性能的OLED。 相似文献
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介绍了宽沟道SI-GaAs衬底上的BH激光器的制作,全部结构由两次外延形成,阈值电流为55mA。在I=2Ith时,P-I曲线仍保持良好的线性关系。 相似文献
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宽带隙材料作发射区的异质结光晶体管(HPT)的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文在研究一种特殊结构的光晶体管-异质结光晶体管的工作原理基础上,分析用宽带隙材料作发射区,可减少注入损耗,提高增益的特性。 相似文献
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InGaAsP/InP异质结光电三极管的制备 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了n-InP/p-InGaAsP/0-InP结构的异质结光电三极管制作过程,并获得了对1.3μm的入射光,光增益达220,用带尾纤的GaAs/GaAlAs发光管测量,光学增益达1470。 相似文献