全息信息存贮实验系统的研制

本文介绍一种激光全息信息存贮实验系统,包括光路分析、主要机械装置、电控功能、系统特点及实验结果等方面。此系统利用付里叶变换全息图的原理,将胶片上的图象信息以点阵全息图的形式存贮在全息干板上,并用电子控制装置使全息图的记录和再现过程都能自动进行。     

非晶形砷硫硒锗薄膜用于全息存储实验研究

文叙述了砷硫硒锗非晶形材料薄膜用作全息记录介质的参数测试,分析了用不同波长记录和再现的全息系统,给出了文字资料存贮结果。     

激光直写光刻工艺技术研究

研究了利用激光直写技术制作微细图形的工艺方法，应用ＩＳＩ－２８０２型激光直写系统，通过实验，分析了激光曝光机理以及提高实用分辨力的途径。得到了激光直写系统参数与处理工艺参数之间的匹配关系，实验数据对研究制作各种掩模版、衍射光学元件以及ＡＳＩＣ电路都有应用价值。     

用反应离子刻蚀技术制作二元光学元件

介绍了利用反应离子刻蚀技术制作二元光学元件的原理和方法，给出了制作结果。     

用于高分辨大视场激光刻的全息照相技术研究

介绍一种全息光刻技术的基本原理,全息掩模复位精度的影响,全息光刻技术的优点及其应用,并对全息光刻系统的设计考虑作了详细介绍,并给出部分实验结果。     

用光致抗蚀剂膜层制作衰减相移掩模

提出一种用光致抗蚀剂膜层制作单层结构衰减相移掩模的新方法,介绍这种方法的原理和制作工艺,并给出这种方法制作的衰减相称掩模用于准分子激光光刻实验,得到显著提高光刻分辨力的实验结果。     

激光直写系统制作掩模和器件的工艺

激光直写系统是国际上９０年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统，通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光，将设计图形直接转移到掩模或硅片上。激光直写系统的应用，可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。介绍使用激光直写系统制作光刻掩模和套刻器件的具体工艺，并给出利用激光直写工艺做出的一些掩模和器件的实例     

反应离子刻蚀工艺因素研究

通过大量的实验研究，介绍了反应离子刻蚀的原理，分析了不同材料反应离子刻蚀的机理和关键的工艺因素，给出了工艺参数结果。     

ISI-2802激光直写系统及其应用

介绍中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室引进的国内首台激光直写系统的工作模式、基本结构、主要性能和应用范围等，并给出用这台设备已经作出的一些掩模图形的样品。