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21.
φ90mm低铬铸球在做落球试验中过早出现开裂现象。将该铸球材质进行化学成分分析、力学性能测定及金相组织观察。分析结果表明,该铸球的材料中夹杂物含量较高,其硬度值又偏高,铸球内部又存在严重缩松及其铸态组织中存在大量奥氏体转变产物,致使铸球在落球试验中过早开裂。经过工艺措施的改进,解决了铸球出现过早开裂的现象。 相似文献
22.
23.
24.
用保角变换法对共面波导金属厚度效应进行了理论分析,编制了相应的计算机程序,给出了数值解,并对此进行了多元曲线拟合,导出了考虑金属厚度后的形状比k、有效介电常数、特征阻抗、损耗的闭定表达式。用此修正表达式求得特征阻抗及损耗的数值解,并与K.C.格普塔的修正值及实验测量值进行了详细比较,结果表明此修正公式与实验值相符较好。 相似文献
25.
研究了红外频段非线性s偏振表面波在反铁磁晶体和电介质交界面上的频率特性,求出了非线性色散方程,揭示了非线性s偏振表面波存在一个临界频率,低于这个频率,非线性s偏振表面波的频率范围,发现功率不再是决定导波频率范围的唯一因素,两种材料的介电常数比在这里起了至关重要的作用。 相似文献
26.
Jun-Fa Mao Zheng-Fan Li 《Microwave Theory and Techniques》1992,40(4):637-644
A new method for analysis of the time response of multiconductor transmission lines with frequency-dependent losses is presented. This method can solve the time response of various kinds of transmission lines with arbitrary terminal networks. Particularly, it can analyze nonuniform lines with frequency-dependent losses, for which no effective method for analyzing their time response exists. This method starts from the frequency-domain telegrapher's equations. After decoupling and inversely Fourier transforming, then a set of decoupled time-domain equations including convolutions are given. These equations can be solved with the characteristic method. The results obtained with this method are stable and accurate. Two examples are given to illustrate the application of this method to various multiconductor transmission lines 相似文献
27.
Modeling ion implantation of HgCdTe 总被引:2,自引:0,他引:2
H. G. Robinson D. H. Mao B. L. Williams S. Holander-Gleixner J. E. Yu C. R. Helms 《Journal of Electronic Materials》1996,25(8):1336-1340
Ion implantation of boron is used to create n on p photodiodes in vacancy-doped mercury cadmium telluride (MC.T). The junction
is formed by Hg interstitials from the implant damage region diffusing into the MC.T and annihilating Hg vacancies. The resultant
doping profile is n+/n-/p, where the n+ region is near the surface and roughly coincides with the implant damage, the n- region is where Hg vacancies have been annihilated revealing a residual grown-in donor, and the p region remains doped by
Hg vacancy double acceptors. We have recently developed a new process modeling tool for simulating junction formation in MC.T
by ion implantation. The interstitial source in the damage region is represented by stored interstitials whose distribution
depends on the implant dose. These interstitials are released into the bulk at a constant, user defined rate. Once released,
they diffuse away from the damage region and annihilate any Hg vacancies they encounter. In this paper, we present results
of simulations using this tool and show how it can be used to quantitatively analyze the effects of variations in processing
conditions, including implant dose, annealing temperature, and doping background. 相似文献
28.
29.
PS,LS和煤油体系的界面张力 总被引:3,自引:0,他引:3
本文以石油磺酸盐(PS)、木质素磺酸盐(LS)和煤油体系为对象,研究了PS/LS比、盐度、醇、Na_2SiO_3及聚合物对体系界面张力(IFT)的影响,探讨了PS与各组分间的相互作用,结果发现,在一定盐度和混合醇(正丁醇+异丙醇)浓度下,PS/LS>0.3/0.7时,体系可形成中相微乳液,IFT值达1×10~(-3)mN/m左右;LS和聚合物的存在使IFT升高;在表面活性剂驱油体系中,可用廉价的LS部分代替PS。 相似文献
30.
将薄膜电容真空计的测量室接于被测密闭容器,静态真空室接于一个比较容器,即组成一台压差式漏率测试仪。首先使两容器压力平衡,真空计读数为零。当被测容器存在漏孔时,真空计薄膜两侧形成压差,真空计指示读数,继而计算出该容器的漏率。应用商品真空计在抽真空测试时,检测的最小可测漏率达10-4~10-5Pa·L/s;而在充压测试时,因受气体温度变化的影响,灵敏度会降低几个量级。该仪器有可能具备寻找漏孔位置和确定漏孔漏率的功能。 相似文献