有关备用电源自投装置的闭锁与可靠性问题的探讨

主要通过备用电源自投装置在承德地区的应用实践,讨论从外部开入量及过流闭锁等方面来提高备用电源自投装置动作可靠性的有关问题,从而更好地发挥备用电源自投装置的作用。     

50V LDMOS漏电容非线性研究

借助软件模拟从器件结构和工艺参数角度研究了LDMOS漏电容Cd的非线性和源漏电压Vds的关系,研究了漂移区注入剂量、高压场板长度、场氧化层厚度、栅氧化层厚度、沟道区注入剂量等五个结构工艺参数对漏电容非线性的影响.主要分析了漂移区耗尽层对漏电容非线性的影响机理以及不同结构工艺参数如何通过改变漂移区耗尽层电容,进而影响漏电容非线性.提出了改善LDMOS的漏电容线性度的各参数调节方法.     

宽带CMOS可变增益放大器的设计

采用TSMC0.18μm RF CMOS工艺设计实现了一种对数增益线性控制型的宽带可变增益放大器,电路采用两级结构,前级采用电压并联负反馈的Cascode结构以实现良好的输入匹配和噪声性能;后级采用信号相加式电路实现增益连续可调,同时本文设计了一种新型指数控制电压转换电路,解决了射频CMOS电路中,由于漏源电流与栅源电压通常不为指数关系而造成放大器对数增益与控制电压不成线性关系的难题,实现了可变增益放大器的对数增益随控制电压呈线性变化,芯片测试结果表明,电路在1.8V电源电压下,电流为9mA,3dB带宽为430-2330MHz,增益调节范围为-3.3-9.5dB,最大增益下噪声系数为6.2dB,最小增益下输入1dB压缩点为-9dBm。     

魔术的城堡——西班牙El Bulli餐厅、旅馆、工作室及培训中心

El Bulli餐厅位于巴塞罗那东北约150km的海滨度假小镇Costa Braa，建筑外观极为低调，只是一栋并不起眼的白色房子，周围种满了松树、仙人掌等植物，具有典型的南欧地中海风格。当2002年世界50佳餐馆（World’s 50 Best Restaurants）的榜单第一次展开在人们眼前时，西班牙El Bulli就拔得头筹。在接下去的三年中，     

PE防治6法

拥有和谐美满的性生活,是夫妻和睦、家庭安定的关键所在。可是生活水平的提高,也给天下的伴侣们带来了一些"副产品"。高负荷、快节奏、聚少离多、两地分居等成了许多现代家庭的写照,而性功能障碍的"不期而至",更是演变为家庭危机频现的罪魁祸首。国内外的研究显示,早泄(premature ejaculation,简称PE)是男性性功能障碍中仅次于勃起功能障碍(ED)的最常见症状,也是男性对正常性功能误解最多的一个问题,一直困扰着相当多的男性。怎样面对房事中出现的棘手问题,哪些男性更容易遭遇PE的烦恼,防范PE有哪些办法,北京中医药大学东直门医院男科主任李海松主任医师,将为广大男性指点迷津。     

聚焦养生市场新规

有着两千多年中医药学历史的中国,养生保健承载着深厚的文化积淀,深入人心,在快节奏的现代生活里,越来越受到人们的关注和追捧。     

600MW汽轮机DEH电液调节系统

介绍了韩城第二发电厂600 MW汽轮机DEH电液调节系统的控制原理及系统组成,对系统的主要功能进行了较为全面的阐述.     

-70°C低温用09MnNiD钢Φ219 mmx20 mm无缝管生产实践

按照20 t EAF→LF+VD→模铸3t钢锭→轧制Φ270 mm圆钢→斜轧穿孔→CPE轧管→在线常化工艺流程,生产Φ219 mm×20 mm 09MnNiD钢无缝管（/%:0.07～0.10C,0.25～0.35Si,1.35～1.40Mn,0.49～0.51Ni,0.020～0.035Al,≤0.02Nb,≤0.015P,≤0.006S）。通过控制EAF终点C≤0.04%和P≤0.008%,LF精炼S≤0.005%,VD≤67Pa,≥15 min,模铸过热度≤45℃,热轧后荒管冷却速度30～70℃/min,钢管常化温度910℃,开发了Φ219 mm×20 mm钢管。测试结果表明:生产的钢管显微组织为F+P,晶粒度10级,-70℃冲击功KV2≥275 J,抗拉强度503～508 MPa,屈服强度354～356 MPa,以及其化学成分、非金属夹杂物、无损检测均满足GB 150.2-2011标准要求。     

HSE体系管理措施

根据本单位安全生产实际，运用系统安全原理对安全系统的状况进行分析，从安全管理和安全教育2方面，介绍具体安全管理的对策措施。     

基于电荷泵法的N-LDMOS界面态测试技术研究

详细研究了高压N-LDMOS器件的电荷泵(CP)测试技术,指出了高压N-LDMOS器件的特殊结构对其CP测试结果的影响,并解释了高压N-LDMOS器件的CP曲线不饱和的原因,同时对由于不同的源漏偏压造成的高压N-LDMOS器件CP曲线的变化进行了深入的理论分析。这些结论可以为CP法测量界面态密度提供实验指导,同时为更加准确地分析高压LDMOS器件的CP测试曲线提供理论指导。