ZnO薄膜的缺陷研究进展

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有许多优异的性能，可望成为新一代光电材料。但由于ZnO存在许多缺陷从而对它的各种性能产生了不良影响。比如点缺陷会影响ZnO的p型制备，Vo可能导致ZnO薄膜产生绿光；线缺陷可能成为载流子陷阱中心和复合中心，影响薄膜器件性能；层错会影响薄膜的能带结构从而影响其光电性能。为制备良好可靠的ZnO薄膜从而实现ZnO光电器件，必须研究ZnO薄膜的缺陷特性，文章对此进行了详细阐述．     

聚乙烯薄膜热封性能研究

本文研究了几种类型聚乙烯以及薄膜结构,对薄膜热粘和热封性能的影响。结果表明,茂金属聚乙烯与传统聚乙烯相比具有优秀的热封性能,薄膜结构也影响热封性能,即热封层影响是主要的,中间层主要影响热粘性能。     

聚乙烯醇/橘皮果胶/阿魏酸复合包装膜的制备及性能研究

目的 为开发一种具有抗氧化活性和紫外屏蔽性的聚乙烯醇复合包装薄膜,从橘皮中提取果胶,探索聚乙烯醇/橘皮果胶/阿魏酸复合膜的性能。方法 首先用柠檬酸提取橘皮中的果胶,然后以阿魏酸为交联剂,用溶液共混浇筑法制备聚乙烯醇/橘皮果胶/阿魏酸复合薄膜。通过对复合薄膜结构、形貌、热性能、耐水性能、光学性能、力学性能、抗氧化性能的表征,考察不同含量的阿魏酸对复合薄膜的影响。结果 果胶羧基与聚乙烯醇羟基形成酯键,阿魏酸与聚合物形成酯键与氢键,薄膜具有较好的热稳定性和紫外屏蔽能力,加入阿魏酸后薄膜的耐水性能显著提升,拉伸强度和抗氧化活性显著增加。其中,当阿魏酸质量分数为5%时薄膜水溶性降低了38.89%,耐水性能最佳。结论 阿魏酸的加入提高了聚乙烯醇复合薄膜的耐水性能,薄膜具有良好的紫外屏蔽能力和抗氧化活性,是一种十分具有潜力的可持续包装材料。     

类金刚石薄膜的耐热性研究进展

类金刚石薄膜具有良好的物理化学性能、光电性能、机械性能及摩擦学性能。但是在高于400℃的温度条件下，DLC膜易向石墨结构转变，从而阻碍了其在高温条件下的应用。因此关于类金刚石薄膜耐热性的研究是目前的一个热门研究课题。在综合分析近年来该领域研究的基础上总结了影响DLC膜耐热性的3种因素：膜结构、掺杂、制备方法，并分析了各种因素的影响机理。     

CdS薄膜的光学及其电学性能的研究

本论文研究了真空热蒸发制备的不同衬底温度下CdS薄膜的光学及电学性能.重点讨论了不同衬底温度下CdS薄膜的光透过性能、光学带隙及其和薄膜结构的关系.研究了CdS薄膜因高度定向生长而出现的薄膜平面与截面电阻率的差别.进一步阐释了CdS作为理想的光电材料所具有的良好光敏性,探讨了CdS薄膜的这些电学性能随衬底温度的变化规律及其与薄膜结构的关系.     

AIN电子薄膜材料的研究进展

AIN是一种在热、电、光和机械等方面具有良好综合性能的材料，作为电子薄膜材料在微电子、电子元件、高频宽带通信以及功率半导体器件等领域有广泛应用。简介了AIN薄膜的制备方法，评述了国内外各科研团体的最新研究成果和进展，阐述了AIN薄膜的应用，并综述了近年来AIN薄膜作为缓冲层、SOI结构的绝缘埋层和吉赫兹级声表面波器件压电薄膜的研究现状。     

PECVD法生长的氧化锡薄膜的结构与性能研究

非化学计量的二氧化锡是一种 n 型半导体材料,具有良好的光电特性。本文用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法生长 SnO_(2-x)薄膜,并进行了生长条件与其结构和性能的研究。结果表明:不同的淀积条件,可以获得从多晶到非晶态不同结构、化学稳定性良好、可见光透射率高、具有不同电导率的 SnO_(2-x)薄膜材料。     

PECVD法制备类金刚石薄膜的结构和摩擦学性能研究

采用射频一直流等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅衬底上沉积了类金刚石薄膜。用激光拉曼光谱仪和原子力显微镜对薄膜的结构和表面形貌进行了表征，并用纳米压痕仪测定了薄膜的硬度。用UMT微摩擦磨损试验机考察了薄膜在不同的滑行速度下薄膜的摩擦学性能。结果表明：所沉积的薄膜具有典型类金刚石薄膜的结构特征，薄膜表面光滑致密，硬度较高；薄膜与氧化铝陶瓷球对磨显示出良好的摩擦学性能，随着滑行速度的增加，薄膜的摩擦系数单调降低，但磨损寿命先增加后降低。     

环保的薄膜卡片包装

这种新型的环保薄膜卡片包装主要是运用了一种特殊的厚度在3至5mils（千分之一寸）的PLA薄膜。这种高透明度的薄膜不仅环保，而且与PVC或DuPont Surlyn薄膜具有相同的牢靠的抗阻性能，是二者良好的替代品。而印刷用的。纸板可以是SBS，也可以是回收材料。     

全固态锂离子电池V2O5阴极薄膜研究进展

全固态薄膜锂离子电池由于具有能量密度高、循环性能和安全性能好等优点已成为目前研究的热点.其中,V2O5薄膜是锂离子电池中一种备受重视的阴极材料.对V2O5薄膜的离子扩散系数以及结构特点做了简单介绍,重点评述了V2O5薄膜电极制备和电化学性能研究方面的发展近况,并对今后的发展方向进行了展望.     

P(VDF-HFP)/Al2O3基聚合物电解质薄膜的研究

采用溶液浇注和电解液吸收的方法制得了P（VDF-HFP)/Al2O3基聚合物凝胶电解质薄膜，用这种方法得到的共混薄膜具有较高的电解液吸收率及良好的机械性能，电化学阻抗谱的结果表明，与纳米粒径Al2O3共混得到的薄膜和镍电极具有较低的界面电阻，另外，由于该结构的半结晶性，DSC测试并没有发现该共混薄膜的玻璃化转变温度Tg。将此电解质隔膜组装成半电池后表现出优良的充放电性能。     

原子氧辐照对含苯并咪唑结构聚酰亚胺摩擦学性能影响研究（英文）

聚合物及其复合材料的抗原子氧辐照性是影响其在空间装备应用过程中可靠性和安全性的重要因素。研究表明含硫、氮等杂原子的芳杂环聚合物具有一定的抗原子氧辐照性能。因此,从聚合物分子链角度出发设计并制备具有抗辐照性能的聚合物是一种有效的途径。目前,关于聚醚砜、聚砜及聚酰亚胺等聚合物抗辐照性能的研究表明,引入具有良好耐热性能的化学基团能有效提高聚合物的抗原子氧辐照性能。聚苯并咪唑因结构中特殊的苯并咪唑结构赋予了其良好的耐热性能,使其表现出良好的抗原子氧辐照的潜质。但聚苯并咪唑的合成条件较为苛刻,因此将苯并咪唑结构引入聚酰亚胺的主链中成为了一种改善其抗辐照性能的良好解决方案。本工作采用传统的两步法合成了一种含苯并咪唑结构的聚酰亚胺(PMI),研究了聚合物薄膜在原子氧辐照(AO)前后的力学性能和摩擦学性能,并与不含苯并咪唑基团的聚酰亚胺(YS-20)薄膜进行了比较。结果表明,含苯并咪唑结构聚酰亚胺的抗氧化性能和力学性能均优于不含苯并咪唑基团的聚酰亚胺(YS-20)。通过对比辐照时间对薄膜的影响,发现不同辐照时间后,PMI系列表现出较低的粗糙度。这一结果通过表面三维形貌图也得到了证明。通过对辐照后表面C...     

基于场发射三极管的设计及性能研究

采用微波等离子体化学气相沉积法在不锈钢衬底上制备出了纳米非晶碳和碳纳米管混合薄膜,二极管结构测试表明薄膜材料具有优良的场发射性能。利用制备的薄膜材料作为阴极制作了前栅极结构的场发射三极管器件并对其性能进行了测试。结果表明该器件具有优良的栅控性能,亮度很高,有良好的应用前景。     

AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究

采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器，研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌，高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明，谐振器所用AlN压电薄膜具有C轴择优取向及良好的柱状晶结构；器件频率特性良好，谐振频率达1．759GHz，机电耦合系数3．75％，品质因数79．5。通过研究不同谐振区形状、面积谐振器的性能，明确了结构因素对器件频率特性的影响，分析了其中的机制。     

二甲基二氯化锡前驱体CVD制备SnO2∶F薄膜及其性能研究

采用二甲基二氯化锡(DMTC)为新前驱体,通过常压CVD法在硼硅玻璃基板上制备SnO_2∶F透明导电薄膜,研究了DMTC、TFA和H_2O的含量对薄膜结构及光电性能的影响,研究表明当F/Sn物质的量比为1∶1、H2O/Sn物质的量比为3∶2时,制备出可见光透过率84.17%、方块电阻9.2Ω/□且结晶性能良好的多晶SnO_2薄膜。通过与单丁基三氯化锡(MBTC)为前驱体所制备薄膜的性能进行比较,结果表明,两种前驱体所制备薄膜均具有四方金红石结构,利用DMTC不仅可以制备出与MBTC性能相近的薄膜,同时薄膜表面更加均匀。     

射频溅射制备氧化镍电致变色薄膜的研究

采用射频反应磁控溅射工艺，以纯镍靶为靶材，在SnO2玻璃上制备电致变色NiOx薄膜。通过对薄膜X射线衍射（XRD）、X光电子能谱（XPS）、扫描隧道显微镜（STM）、循环伏安曲线及可见光透过率的测定，探讨了NiOx薄膜的电致变色性能和微观结构之间的关系，研究了热处理过程中的结构变化和表面形貌。测试表明该氧化镍薄膜具有良好的电致变色性能和阳极着色效应，以及较高的使用寿命。     

仿贝壳结构壳聚糖/绢云母复合薄膜的制备和性能

采用物理共混的简易方法制备了壳聚糖/绢云母复合薄膜。场发射扫描电镜观测的结果表明,这种薄膜具有明显的取向"砖-泥"仿贝壳结构。这种独特仿生结构的形成显著地提高了壳聚糖复合薄膜的力学性能(拉伸强度和断裂伸长率),并且保持了优异的柔软弯曲性能。同时,这种复合薄膜具有良好的透明性和电绝缘性能。     

沉积条件和表面改性对磁控溅射法制备TiO2薄膜性能的影响

TiO2薄膜具有许多独特的性能，作为一种令人满意的材料被应用于诸多领域。磁控溅射作为制备这种多功能薄膜的一种主要方法，也越来越引起人们的关注。TiO2薄膜的结构和性能是由沉积条件决定的。通过改变沉积速度、溅射气体、靶温度、退火过程以及采用其它溅射技术，可以得到金红石、锐钛矿或是非晶的TiO2膜，同时具有不同的光催化、光学及电学性能，能够满足不同应用领域的需要。同时，表面改性可以克服TiO2薄膜的应用局限性，使之具有更佳的使用性能。     

用直流溅射工艺制备的氧化铌薄膜的性能

采用直流反应溅射工艺制备了氧化铌（Nb2O5)薄膜，用XRD、AFM、AES和循环伏安等测试手段分析并研究了薄膜的组成、结构、表面形貌和电致变色性能间的关系。结果表明：在基础加热条件下可获得晶态TT－Nb2O5薄膜，沉积气压较高时的薄膜具有沿（100）面定向生长、结构相对较为疏松的柱状结构，这种薄膜具有良好的电化学稳定性，锂离子注入／抽出可逆性好，并具有灰色变色特性，在可见区（波长600nm)的透过率调制幅度为35％.     

衬底温度对直流磁控溅射法沉积ZnO∶Ti薄膜性能的影响

利用直流磁控溅射工艺,在石英玻璃衬底上沉积出了具有高度C轴择优取向的掺Ti氧化锌(ZnO∶Ti,TZO)透明导电薄膜。研究了衬底温度对TZO薄膜应力、结构和光电性能的影响。结果表明,衬底温度对TZO薄膜的结构、应力和电阻率有重要影响。TZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。在衬底温度为100℃时,实验获得的TZO薄膜电阻率具有最小值2.95×10-4Ω.cm,400℃时薄膜出现孪晶,随着温度的升高,薄膜应力具有减小的趋势。实验制备的TZO薄膜附着性能良好,可见光区平均透过率都超过91%。