化学气相沉积(CVD)法制备薄膜材料的进展

无机薄膜在现代科学技术中占有重要地位。CVD法是制备这类薄膜的有效手段之一.它装置简单,操作方便,工艺重现性好,且可在沉积薄膜的过程中随时调节薄膜的组成.过去20年里,在常压CVD得到广泛应用的同时,低压CVD、等离子体增强CVD(包括微波等离子体CVD)、光激发CVD(包括激光激发CVD)相继出现,并被成功地应用于优质薄膜的制备中。可预言,随着实践和理论的不断发展,CVD将更广泛地应用于现代科技领域中.     

等离子体化学气相沉积法生长薄膜材料的进展

本文综述了化学气相沉积(CVD)的发展和等离子体化学气相沉积(PCVD)的兴起。阐明了等离子体对化学气相沉积的增强作用及从70年代后期以来等离子体化学气相沉积法的进展和贡献,展望了用此法沉积生长薄膜材料的前景。     

PECVD法生长的氧化锡薄膜的结构与性能研究

非化学计量的二氧化锡是一种 n 型半导体材料,具有良好的光电特性。本文用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法生长 SnO_(2-x)薄膜,并进行了生长条件与其结构和性能的研究。结果表明:不同的淀积条件,可以获得从多晶到非晶态不同结构、化学稳定性良好、可见光透射率高、具有不同电导率的 SnO_(2-x)薄膜材料。     

新型SIS太阳电池的结构设计及理论计算

本文讨论了一种新型SIS太阳电池的理论模型,其突出特点是在S_1层内形成一个p-n结,并改变了以往模型中组成电池的各半导体层内均匀掺杂的传统。应用这种模型对已知参数的半导体材料进行计算,其电池的最大转换效率达39.4％(AM1)及36.8％(AMO)。     

电子束刻蚀超导膜的实验研究

本文论述了扫描电子束对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导膜进行干法刻蚀的实验研究；试验了电子束工艺参数对刻蚀效果的影响；初步讨论了超导膜改性的机制。扫描电子呸能使被刻蚀的超导膜局部改性为非超导膜，将为干法制备超导器件提供一个有效的方法。     

电子束刻蚀超导膜的实验研究

本文论述了扫描电子束对YBa2Cu3O7-超导膜进行干法刻蚀的实验研究;试验了电子束工艺参数对刻蚀效果的影响;初步讨论了超导膜改性的机制。扫描电子束能使被刻蚀的超导膜局部改性为非超导膜,将为干法制备超导器件提供一个有效的方法。