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介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段(<10GHz)的问题。其插入损耗为-0.88dB@3GHz,在6GHz以上,插入损耗为-0.5dB;隔离度为-33.5dB@900MHz、-24dB@3GH和-20dB@5GHz,适合于3~5GHz频段的应用。 相似文献
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提出并设计一种采用绝缘液体充填封装的RF MEMS开关,分析其工作原理,并以高压油、蓖麻油、甘油为绝缘液体充填封装,仿真分析绝缘液体对RF MEMS开关的驱动电压、冲击速度、响应时间、开关电容等方面的影响。结果表明:绝缘液体充填封装有效地将驱动电压降为原来的1/εr,降低上极板对下极板的冲击速度。对3种液态封装材料性能分析,蓖麻油效果最好:阈值电压下降了一半,约为10 V;当驱动电压为20 V时,响应时间为40.6μs,优于高压油(91.3μs)、甘油(89.9μs),冲击速度约为1.26 m/s。 相似文献
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宽带直接接触式RF MEMS开关 总被引:2,自引:0,他引:2
本文提出一种静电驱动直接接触式宽带MEMS开关,包含CPW传输线、双U型金属悬臂梁、触点和锚区,兼顾了开关接触可靠、克服微结构粘连和低驱动电压三大结构可靠性设计因素。本开关为三端口开关,使用低温表面微机械工艺,制作在400μm厚的高阻硅衬底上,芯片尺寸0.8mm×0.9mm。样品在片测试结果表明,在6GHz频点,开关本征损耗0.1dB,隔离度24.8dB,等效开关接触电阻0.6Ω,关态电容6.4fF,开关时间47μs,开关驱动电压为20-60V。 相似文献
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本文针对衬底弯曲对柔性RF MEMS开关相位特性的影响,提出了一种基于LCP柔性衬底的双端固支梁RF MEMS开关相位特性模型,并从软件仿真和实验验证方面对不同曲率条件下开关的相位偏移进行了深入研究,揭示了柔性衬底弯曲对相位偏移量的影响规律.实验结果表明,当柔性衬底弯曲曲率从0增大到28.6 m-1时,RF MEMS开关的相位偏移量绝对值不断增大,中心频率10 GHz处相位偏移由0°变化到-2.72°,8 GHz~12 GHz频率范围内实测值和仿真值误差小于9.5%,实测值和模型计算值误差小于10.9%,三者显现出良好的一致性. 相似文献
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