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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 781 毫秒
1.
(100)SiTiO_3基底上YBa_2Cu_3O_7/SrTiO_3/YBa_2Cu_3O_7异质外延三层膜的透射电镜观察郭丽萍,刘贵荣,李 林(中国科学院物理研究所国家超导开放实验室,北京100080)本文所观察的YBa_2Cu_3O_7/SrT...  相似文献   

2.
脉冲激光淀积高电流密度的YBCO超导带材   总被引:2,自引:1,他引:1  
采用脉冲激光加辅助离子源的方法在长为6.0cm的NiCr合金基带上制备0.13μm厚的Y-ZrO2(YSZ)隔离层,再用脉冲激光在YSZ/NiCr带上制备1.5μm厚的YBa2Cu3O7-x超导厚膜形成YBCO/YSZ/NiCr超导带材。实验测得在77K,0Tesla下其临界电流密度为8.75×104A/cm2,超导转变温度为88.6K。  相似文献   

3.
本文报道了用原子力显微镜(AFM)研究的几种(YBCO)超薄膜的表面结构,这些膜分别生长在SrTiO3(100)基底,和具有厚度为40nm的PrBa2Cu3O7缓冲导的SrTiO3基底上,YBCO超薄膜厚度范围为2.5nm-25nm。在2.5nm厚的单层膜表面观察到了岛状结构,并在7.5nm厚的超薄膜表面首次观察到了台阶高度度不同的三种螺旋位错。同时还讨论了YBCO超薄膜的生长机理。  相似文献   

4.
重点研究了利用偏轴射频溅射的方法在Si衬底上生长YSZ(Y稳定的ZrO2)缓冲层及Bi-Sr-Ca-Cu-O超导薄膜的工艺,获得了82K的超导转变温度(Ton)。利用扫描原子显微镜和原子力显微镜对不同条件下生长的YSZ和BSCCO薄膜进行了观察,提出了YSZ晶粒填补Si衬底上针孔的新功能,并验证了BSCCO薄膜的螺旋柱状生长机理。  相似文献   

5.
室温下应用Ar+ 离子源辅助准分子脉冲激光沉积(002)取向的YSZ(Yttria-stabilized zirco-nia)过渡层薄膜于不锈钢基底上;基底加温至750℃,用准分子脉冲激光沉积高电流密度YBCO(YBa2Cu3O7- x) 高温超导线材。实验结果表明:YBCO 超导线材临界温度Tc ≥90 K (R=0),临界电流密度Jc ≥1×106 A/cm 2(77 K,0 T)。  相似文献   

6.
本研究采用电子通道技术(ECP)对单晶和双晶外延生长的YBa_2Cu_3O_7(YBCO)超导薄膜的结构、取向和表面完好性作检测,并证实对衬底的预处理可改善外延超导薄膜的质量;还对YBCO/CeO_2/MgO/SrTiO3的双外延薄膜作研究。  相似文献   

7.
YBa2Cu3O7(YBCO)高温超导薄膜是重要的超导电子器件应用的材料,它们的质量对器件的运行性能至关重要。薄膜表面的颗粒使表面微波性能变坏,但有些生长在YBCO薄膜基体内部的小颗粒,会使薄膜的临界电流密度升高。  相似文献   

8.
报道了转换效率为14.6%~15.8%的多晶薄膜CdS/CdTe太阳电池的研制。用MOCVD法,在玻璃衬底上制备SnO_2和SnO_2:F薄膜,水溶液化学淀积法获得80~100nm厚的CdS薄膜和密堆积升华法制备5μm厚CdTe薄膜,CdS/CdTe太阳电池的短路电流密度高达24~25mA/cm ̄2。同时,对各层薄膜晶形和微观结构进行了分析研究。  相似文献   

9.
用低温磁力显微镜观察YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜中的涡旋@郑兆佳@袁彩文¥武汉工业大学材料研究与测试中心¥美国德克萨斯大学(奥斯汀)物理系用低温磁力显微镜观察YBa2Cu3O7-x超导薄膜中的涡旋郑兆佳袁彩文AlexdeLozanne(武汉工业...  相似文献   

10.
刘维  张云 《电子显微学报》1996,15(6):481-481
YBa2Cu3O7/PBa2Cu3O7多层膜微结构的高分辨电镜研究刘维张云孙吉军*赵柏儒*李林*(中国科学院物理研究所,*国家超导实验室,北京100080)通过改变非超导层的厚度,可以有效地调节超导薄膜的各向异性,所以多层膜的制备和研究能够加深对层状...  相似文献   

11.
研究了采用单靶控溅射在Si(100)衬底上生长YSZ(钇稳定的ZrO2)BSCCO(铋锶钙铜氧)薄膜的工艺条件,包括生长温度,生长气氛,生长速率及氧化退化等。还研究了高温超导相的形成与生长温度的关系,并获得了超导膜临界温度为82K的BSCCO/YSZ/Si兼容材料。  相似文献   

12.
报道了YBa2Cu3O6.3和PrBa2Cu3O6.3多晶陶瓷c抽取向薄膜中的红外光谱,在PrBa2Cu3O6.3中以9个声子模,对应于5Eu+4A2u振动。在YBa2Cu3O6.3材料中观察到10个声子模,对应于6Eu+4A2u振动,其中Pr的Eu和A2u模分别为位于170cm^-1和198cm^-1,Y和Eu和A2u模分别位于191cm^-1和217cm^-1PrBa2Cu3O6.3和YBa2  相似文献   

13.
钱文生  刘融 《电子器件》1997,20(1):715-719
本文研究了利用YSZ膜作缓冲层Si衬底上溅射BSCCO高温超导薄膜的生长工艺,分析了生长条件对Bscco高温超导相的影响,并提出了YSZ/Si上制备相BSCCO膜的工艺参数。  相似文献   

14.
高Tc超导薄膜和氧化物多层膜的激光分子束外延研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文介绍用激光光子束外延(L-MBE)方法,在高真空条件下外延生长YBa2Cu3O7-δ超导薄膜和BaTiO3铁电薄膜以及多层膜的实验结果。  相似文献   

15.
激光二极管泵浦的固体激光新材料LaBGeO_5-Nd ̄(3+)1.LnBGe2O4(Ln=La-Er和Y)在结构上分为两类。有较大Ln(La-Pr)者具有CeBSiO5的非对称结构(C23—P31空间群),有较小Ln(Gd-Er和Y)者具有CaBSi...  相似文献   

16.
ZrO2双晶衬底上生长的YBaCuO超导薄膜晶界结显微结构研究俞大鹏戴远东王世光胡晓东王守证熊光成连贵君王永忠张泽*(北京大学物理系,北京100871*中科院北京电子显微镜实验室,北京100080)在不同取向的双晶衬底上生长YBaCuO超导薄膜(超导...  相似文献   

17.
Hg系高温超导体的电子显微镜研究邵贝玲,王晓华,刘安生,宿延京,曹国辉,赵忠贤(北京有色金属研究总院,北京100088)(北京科技大学,中科院物理所国家超导中心)具有高临界转变温度的Hg系列高温超导体HgBa_2Ca_(n-1)Cu_nO_(2n+2...  相似文献   

18.
在(100)取向半绝缘GaAs衬底上,采用独特的含有InSb非晶过渡层的两步分子束外延(MBE)生长了异质外延InSb薄膜。InSb外延层表面为平滑镜面,外延层厚度约为6μm,导电类型为n型,室温(300K)和液氮(77K)霍尔载流子浓度分别为n_(300K):2.0×10 ̄(16)cm ̄(-3)和n_(77K):2.4×10 ̄(15)cm ̄(-3);电子迁移率分别为μ_(300K):41000cm ̄2V ̄(-1)S_(-1)和μ_(77K):51200cm ̄2V ̄(-1)S ̄(-1)。InSb外延层双晶衍射半峰宽为198arcs,最好的InSb外延层的半峰宽小于150arcs。采用InSb非晶过渡层有效地降低了外延层中的位错密度,改善了InSb外延层的质量。  相似文献   

19.
4单晶、薄膜及其它功能材料95040用CVD法在蓝宝石基片上合成Bi_4Ti_3O_(12)外延膜─—增本博.粉体粉末冶金,1993;40(7)=693~696采用Bi(C_6H_5)_3-Ti(i-C_3H_7O)_4及Bi(o-Tol)_3-Ti...  相似文献   

20.
采用多层光刻工艺结合氩离子铣的混合刻蚀方法,刻蚀高Tc超导YBaCuO/ZrO2(100)薄膜图形,取得了较好的结果,在进行氩离子铣的工艺步骤中,使用普通氩离子铣设备,但采取了一定的措施-使被刻样吕在刻蚀台座上可移动。  相似文献   

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