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本文报道了用原子力显微镜(AFM)研究的几种(YBCO)超薄膜的表面结构,这些膜分别生长在SrTiO3(100)基底,和具有厚度为40nm的PrBa2Cu3O7缓冲导的SrTiO3基底上,YBCO超薄膜厚度范围为2.5nm-25nm。在2.5nm厚的单层膜表面观察到了岛状结构,并在7.5nm厚的超薄膜表面首次观察到了台阶高度度不同的三种螺旋位错。同时还讨论了YBCO超薄膜的生长机理。 相似文献
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重点研究了利用偏轴射频溅射的方法在Si衬底上生长YSZ(Y稳定的ZrO2)缓冲层及Bi-Sr-Ca-Cu-O超导薄膜的工艺,获得了82K的超导转变温度(Ton)。利用扫描原子显微镜和原子力显微镜对不同条件下生长的YSZ和BSCCO薄膜进行了观察,提出了YSZ晶粒填补Si衬底上针孔的新功能,并验证了BSCCO薄膜的螺旋柱状生长机理。 相似文献
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本研究采用电子通道技术(ECP)对单晶和双晶外延生长的YBa_2Cu_3O_7(YBCO)超导薄膜的结构、取向和表面完好性作检测,并证实对衬底的预处理可改善外延超导薄膜的质量;还对YBCO/CeO_2/MgO/SrTiO3的双外延薄膜作研究。 相似文献
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YBa2Cu3O7(YBCO)高温超导薄膜是重要的超导电子器件应用的材料,它们的质量对器件的运行性能至关重要。薄膜表面的颗粒使表面微波性能变坏,但有些生长在YBCO薄膜基体内部的小颗粒,会使薄膜的临界电流密度升高。 相似文献
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报道了转换效率为14.6%~15.8%的多晶薄膜CdS/CdTe太阳电池的研制。用MOCVD法,在玻璃衬底上制备SnO_2和SnO_2:F薄膜,水溶液化学淀积法获得80~100nm厚的CdS薄膜和密堆积升华法制备5μm厚CdTe薄膜,CdS/CdTe太阳电池的短路电流密度高达24~25mA/cm ̄2。同时,对各层薄膜晶形和微观结构进行了分析研究。 相似文献
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用低温磁力显微镜观察YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜中的涡旋@郑兆佳@袁彩文¥武汉工业大学材料研究与测试中心¥美国德克萨斯大学(奥斯汀)物理系用低温磁力显微镜观察YBa2Cu3O7-x超导薄膜中的涡旋郑兆佳袁彩文AlexdeLozanne(武汉工业... 相似文献
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YBa2Cu3O7/PBa2Cu3O7多层膜微结构的高分辨电镜研究刘维张云孙吉军*赵柏儒*李林*(中国科学院物理研究所,*国家超导实验室,北京100080)通过改变非超导层的厚度,可以有效地调节超导薄膜的各向异性,所以多层膜的制备和研究能够加深对层状... 相似文献
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研究了采用单靶控溅射在Si(100)衬底上生长YSZ(钇稳定的ZrO2)BSCCO(铋锶钙铜氧)薄膜的工艺条件,包括生长温度,生长气氛,生长速率及氧化退化等。还研究了高温超导相的形成与生长温度的关系,并获得了超导膜临界温度为82K的BSCCO/YSZ/Si兼容材料。 相似文献
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报道了YBa2Cu3O6.3和PrBa2Cu3O6.3多晶陶瓷c抽取向薄膜中的红外光谱,在PrBa2Cu3O6.3中以9个声子模,对应于5Eu+4A2u振动。在YBa2Cu3O6.3材料中观察到10个声子模,对应于6Eu+4A2u振动,其中Pr的Eu和A2u模分别为位于170cm^-1和198cm^-1,Y和Eu和A2u模分别位于191cm^-1和217cm^-1PrBa2Cu3O6.3和YBa2 相似文献
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本文研究了利用YSZ膜作缓冲层Si衬底上溅射BSCCO高温超导薄膜的生长工艺,分析了生长条件对Bscco高温超导相的影响,并提出了YSZ/Si上制备相BSCCO膜的工艺参数。 相似文献
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高Tc超导薄膜和氧化物多层膜的激光分子束外延研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍用激光光子束外延(L-MBE)方法,在高真空条件下外延生长YBa2Cu3O7-δ超导薄膜和BaTiO3铁电薄膜以及多层膜的实验结果。 相似文献
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《激光与光电子学进展》1994,(5)
激光二极管泵浦的固体激光新材料LaBGeO_5-Nd ̄(3+)1.LnBGe2O4(Ln=La-Er和Y)在结构上分为两类。有较大Ln(La-Pr)者具有CeBSiO5的非对称结构(C23—P31空间群),有较小Ln(Gd-Er和Y)者具有CaBSi... 相似文献
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Hg系高温超导体的电子显微镜研究邵贝玲,王晓华,刘安生,宿延京,曹国辉,赵忠贤(北京有色金属研究总院,北京100088)(北京科技大学,中科院物理所国家超导中心)具有高临界转变温度的Hg系列高温超导体HgBa_2Ca_(n-1)Cu_nO_(2n+2... 相似文献
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在(100)取向半绝缘GaAs衬底上,采用独特的含有InSb非晶过渡层的两步分子束外延(MBE)生长了异质外延InSb薄膜。InSb外延层表面为平滑镜面,外延层厚度约为6μm,导电类型为n型,室温(300K)和液氮(77K)霍尔载流子浓度分别为n_(300K):2.0×10 ̄(16)cm ̄(-3)和n_(77K):2.4×10 ̄(15)cm ̄(-3);电子迁移率分别为μ_(300K):41000cm ̄2V ̄(-1)S_(-1)和μ_(77K):51200cm ̄2V ̄(-1)S ̄(-1)。InSb外延层双晶衍射半峰宽为198arcs,最好的InSb外延层的半峰宽小于150arcs。采用InSb非晶过渡层有效地降低了外延层中的位错密度,改善了InSb外延层的质量。 相似文献
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采用多层光刻工艺结合氩离子铣的混合刻蚀方法,刻蚀高Tc超导YBaCuO/ZrO2(100)薄膜图形,取得了较好的结果,在进行氩离子铣的工艺步骤中,使用普通氩离子铣设备,但采取了一定的措施-使被刻样吕在刻蚀台座上可移动。 相似文献