浅谈高速电流舵DAC

介绍了高速电流舵DAC的结构及其在高速、高精度DAC电路设计方面的应用。     

100MHz 10bit CMOS电流型DAC设计

本文介绍一种可用于HDTV的100MHz 10bit CMOS电流型DAC设计方法。通过合理划分等权重电流和二进制权重电流，并在电路设计及版图设计中充分考虑工艺偏差、开关噪声以及温度电压等的影响，在CMOS工艺上实现高速高精度的电流型输出数模转换器(Current Steering DAC)。     

高速GaAs ADC与GaAs DAC研制现状

本文叙述了高速GaAs ADC与GaAs DAC的研制现状。着重介绍了在芯片上有T/H电路的闪光型ADC和在芯片上有电流源的DAC,以及它们的性能。     

高速GaAs ADC与GaAs DAC研制现状

本文叙述了高速GaAs ADC与GaAs DAC的研制现状，着重介绍了在芯片上有T／H电路的闪光型ADC和在芯片上有电流源的DAC，以及它们的性能。     

CD播放机中使用的DAC（2）积分型DAC

上一期介绍了电流相加型DAC．这一期介绍积分型DAC。积分型DAC具有线性好、音质好的突出优点．可谓曾风光一时与电阻梯形电流相加型DAC平分天下。但是这种DAC由于无法适应高比特高取样化的发展潮流．目前其应用已越来越少。     

一种应用于高速电流型DAC的电流开关驱动器

就电流开关驱动器对高速电流型DAC动态性能的影响因素进行了分析,给出了设计应对措施,并设计了一种结构简单使用了同步锁存技术、低驱动信号摆幅技术和低信号交叉点技术的电流开关驱动器电路.基于SMIC 0.18μm CMOS工艺模型,采用Hspice仿真工具,对电流开关驱动器进行仿真分析,结果表明所设计驱动器电路功能正确.测试结果表明,应用该电流开关驱动器的一款嵌入式14位400MSPS DAC电路在输出80 MHz正弦信号时,达到76.47 dB的无杂散动态范围,所设计电流开关驱动器能保证高速电流型DAC的良好动态性能.     

一种带电流源校准的16bit高性能DAC

设计了一种带电流源校准电路的16 bit高速、高分辨率分段电流舵型数模转换器(DAC)。针对电流舵DAC中传统差分开关的缺点,提出了一种优化的四相开关结构。系统分析了输出电流、积分非线性和无杂散动态范围(SFDR)三个重要性能指标对电流舵DAC的电流源单元设计的影响,完成了电流源单元结构和MOS管尺寸的设计。增加了一种优化设计的电流源校准电路以提高DAC的动态性能。基于0.18μm CMOS工艺完成了该DAC的版图设计和工艺加工,其核心部分芯片面积为2.8 mm^2。测试结果表明,在500 MHz采样速率、100 MHz输入信号频率下,测得该DAC的SFDR和三阶互调失真分别约为76和78 dB,动态性能得到明显提升。     

一种10 bit电流型DAC电流源晶体管的抗失配设计

在高速高精度电流型DAC的设计中,电流源晶体管的匹配问题是设计的关键。针对10 bit DAC提出了一种对梯度误差和边缘效应不灵敏的电流源晶体管布局方案,并从单元电流源晶体管尺寸的选取到该方案具有这种特性的原因及他的具体实现都做了详细的讨论。该方案已应用于四川登巅微电子有限公司的10 bit 500 M DAC中。     

Nyquist电流型7位20MHz采样率CMOS数模转换器

介绍了一种高速7位DAC的设计及芯片测试结果,该DAC选取高5位单位电流源,低2位二进制电流源的分段结构。考虑了电流源匹配、毛刺降低以及版图中误差补偿等方面的问题来优化电路。流片采用0.35μmChartered双层多晶四层金属工艺,测试结果表明在20 MH z的采样频率下,微分非线性度和积分非线性度分别小于±0.2 LSB和±0.35 LSB。该DAC的满幅建立时间是20 ns,芯片面积为0.17 mm×0.23 mm。电源电压为3.3 V,功耗为3 mW。     

把DAC的输出从单端模式转换到差分模式的电路

高速DAC,比如模拟器件(AnalogDevices)公司的AD9776/78/79TxDAC系列,能提供差分输出,但对于低端交流电应用或高精度电平设置应用,配备差分转换电路的单端电流输出DAC提供了一种新颖的方法来生成差分波形控制功能。图1中的基本电路组合了电流输出DAC(即IC1,如8位AD5424D A C)和一个单端至差分运算放大级IC2、IC3A、IC3B——来产生要求的输出。对于双电源应用,可选择DAC的单极工作模式来达到DAC的最优性能。DAC利用单一运算放大器提供了双象限倍增或单极输出电压摆动。DAC的输出需要缓冲器,这是因为对施加到DAC输入端的代…     

半导体激光管驱动电源设计与实现

为提高半导体激光器光功率输出稳定性,并保证激光器安全、可靠工作,设计了半导体激光器的驱动电源。驱动电源主电路采用同步DC／DC方式,输出效率高;驱动电路可以产生200kHz触发脉冲,降低了输出电流的纹波,保证激光器输出功率稳．定;驱动电路带有过压比较器及过流比较器,保证激光器安全工作。经过仿真和实验表明：该驱动电源在20A工作时效率达到85％以上．纹波小于5％。     

低漏电流、抑制NBTI效应的多米诺电路

NBTI导致的晶体管老化成为影响电路稳定性的主导因素,同时,降低电路的泄漏功耗是电路设计的目标之一。多米诺电路广泛应用在高性能集成电路中。本文提出了一种多米诺电路用来抑制NBTI引起的多米诺电路衰退并同时降低待机模式下的泄漏电流。在待机模式下,利用2个晶体管将标准多米诺电路的动态节点和输出节点同时上拉为电源电平,从而将保持器和输出反相器中的pMOS晶体管同时置为NBTI的恢复模式。使用全0输入向量和其中增加的一个晶体管的堆栈效应降低待机模式下多米诺电路的泄漏电流。实验表明针对NBTI效应,该方法降低了最多33%的性能衰退,并同时减少了最多79%的泄漏电流。     

一种非隔离型LED照明恒流驱动芯片设计

实现了一种具有超高电压输入、高精度、大调光范围、低成本的非隔离型LED恒流驱动芯片。芯片采用外接高压三极管的电压调整结构以及高精度基准电压源,以PWM峰值电流控制方式实现了高精度、高一致性的电流输出。芯片采用18 V耐压的工艺流片,实现输入电压范围从10 V达到450 V变化,电能转换效率高达92%,驱动电流可从几毫安到超过1 A间设定,电流精度和一致性可达1.5%。     

一种滞环恒流LED驱动电路的电流采样电路

针对滞环恒流大功率LED驱动芯片,提出一款高性能电流采样电路。该电路采用高压工艺,可承受最高达40 V的输入电压。通过分析滞环控制的特点,采用串联电阻采样技术,结合匹配电流源结构,在保证响应速度和采样精度的同时,降低了电路的复杂度。电路中加入输入电压补偿电路,进一步提高了恒流控制的精度。在Cadence下的仿真结果表明,电路可在800 kHz的频率下正常工作,采样精度达99.78%;当电压从15 V变化至35 V时平均负载电流误差为0.81%;输出电压范围为0~5 V。     

基于AT89S52的智能直流电流源设计

本设计为一智能化高精度数控直流电流源，该直流电流源系统以AT89S52单片机为控制核心，由显示、键盘、报警以及恒定电流产生等模块组成。其中恒定电流产生电路采用闭环控制模式，由电流取样电阻、电压放大电路、电压比较以及PI调节电路组成。整个程序采用模块化设计，具有良好的扩展性。     

A new injection method for AC harmonic elimination by active powerfilter

An injection method for an active filter which eliminates the harmonics present in AC lines by injecting PWM harmonic compensating current is proposed. In the proposed method, the active filter produces a pulsewidth modulation (PWM) current that cancels the existing harmonics up to any order completely. To generate such PWM current, both inverter and DC current source is needed. The current source can be replaced by a large inductor without any external power source. This can be achieved by providing the inverter with rectifying capability because the inverter has the same circuit structure as the rectifier. Therefore, the proposed model of PWM injection current includes not only the harmonic components to suppress the existing harmonics up to any order, but also the fundamental one, to raise the inductor current to any desired value. The characteristics of the injection method are investigated through a digital computer simulation. Feasibility is proved by the experimental results     

如何确定大功率LED的工作电流

针对大功率LED应用,建立了大功率LED的热阻模型,分析了环境温度、器件的最大允许结温、热阻以及输入电流之间的关系,提出了一种保证器件结温低于容许最大结温的工作电流的确定方法,并给出了一个应用本方法绘制某大功率LED工作电流与环境温度的关系曲线的实例．本方法对大功率LED应用具有重要的指导意义。     

输出对CMOS反相器SEL特性的影响评估

文中通过计算机模拟的方法分析了器件在不同输出电平时,CMOS反相器单粒子闩锁（SEL）特性的变化。通过对器件输出电平不同时,不同衬底的CMOS反相器进行仿真研究,我们得出,P衬底器件输出为高电平时比输出为低电平时得到的闩锁电流大,而N衬底器件在输出不同时,得到的闩锁电流大小相近。对于同种衬底的器件在输出不同时对SEL的敏感性几乎相同。在深亚微米的器件中,输出对器件SEL特性的影响均较大,需要在研究器件SEL特性时把其考虑在内。     

新型亚纳秒切断半导体开关器件研制

介绍了一种新型亚纳秒切断全固态高功率脉冲开关器件,阐述了其工作机理。该器件利用器件体内等离子体特殊的恢复过程来完成电流的迅速切断。采用多层Si片叠加的制造工艺技术,单个器件反向工作峰值电压大于2 kV,电流切断时间小于800 ps,脉冲峰值功率可达80 kW。该器件具有易串并联、抖动小等优点。基于该器件制作的脉冲发生器具有体积小、可靠性高、使用寿命长、脉冲重复频率高、输出波形稳定等特点。当采用器件串联电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲。采用该器件制作的脉冲发生器在国防、医疗等领域具有广阔的应用前景。     

Low-threshold current density InGaAsP/InP injection lasers with three-layer-waveguide double heterostructure (jth?0.5 kA/cm2 at 300 K)

Double heterostructure InGaAsP/InP lasers with a three-layer waveguide (or `separate-confinement? DH) have been prepared by the LPE method with a thin active layer. A decrease in threshold current density has been observed up to 512 A/cm2 in a four-sided cleaved diode at room temperature. CW operation of broad-area diodes is obtained in the pumping current range up to 2.5 A. Calculations of threshold current density for these laser structures are presented.