高聚物PP/EPDM的 SEM分析样品制备参数选择研究

高聚物ＰＰ ＥＰＤＭ越来越广泛应用于工程技术中。利用扫描电子显微镜对其形态和结构的研究 ,促使我们最大限度地拓展ＰＰ ＥＰＤＭ材料的使用[1] 。对高聚物材料进行扫描电镜分析时 ,高质量的扫描效果应该是图像稳定、清晰。而这种效果不仅与扫描电镜本身的特性有关 ,而且在很大程度上依赖于分析样品的镀金参数选择。它极大地影响着ＳＥＭ图像的质量 ,甚至严重到无法观察与拍摄图像。因此 ,探讨高聚物ＰＰ ＥＰＤＭ样品的镀金适宜参数 ,具有一定的现实意义。实验部分将所要分析的ＰＰ ＥＰＤＭ材料用导电胶粘在扫描电镜样品台上 (断口面向…     

双固相外延技术及高性能1μmCMOS／SOS器件的研究

本文较为详细地介绍了能有效地改善ＳＯＳ材料结晶质量的双固相外延ＤＳＰＥ工艺，给出了优化的工艺条件．通过比较用ＤＳＰＥ及普通ＳＯＳ材料制作的ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路的特性可以看出，采用ＤＳＰＥ工艺能显著改善ＳＯＳ材料的表面结晶质量，应用ＤＳＰＥ工艺在硅层厚度为３５０ｎｍ的ＳＯＳ材料上成功地研制出了沟道长度为１μｍ的高性能ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路，其巾ＮＭＯＳＦＥＴ及ＰＭＯＳＦＥＴ的泄漏电流分别为２．５ｐＡ和１．５ｐＡ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＯＳ环形振荡器的单级门延迟时间为３２０ｐｓ．     

2001年《电声技术》总目次

数字声频计算机虚拟立体声像软件的研究周锦荣,谢志文,谢菠荪／１－３利用ＴＭＳ３２０Ｃ５ＸＤＳＫ实现语音的数字化存储与回放于凤芹,田备／１－６ＭＰＥＧ声音编码标准简介林胜,杨成军,全子一／２－３用定点ＤＳＰ实现ＭＰＥＧ－２ＡＡＣ实时解码器王华明,徐盛,陈健／３－３ＭＰＥＧ－２ＡＡＣ中的动态范围控制（ＤＲＣ）技术车振华,姜晔,邹采荣,吴镇扬／３－８封闭声场数值模拟和预测曾向阳,陈克安,孙进才／４－３语音教学软件中自动判读技术的研究罗诗途,张屺,淳静／４－７基于１６ｂｉｔ内核ＤＳＰ实现准双精度音频解码…     

低成本的MCM技术

本文全面地介绍了为降低ＭＣＭ成本，国际上开发出的最新工艺及材料，包括ＭＣＭ－Ｆ、ＭＣＭ－Ｅ／Ｆ、ＭＣＭ－Ｌ／Ｏ、ＬＴＣＣ－Ｍ、ＩＢＳＳ、ＬＡＰ、ＬＣＰ、ＦＣＡＰ等。指出研究的出发点是以ＭＣＭ－Ｌ的成本而获得ＭＣＭ－Ｄ的性能。而ＭＣＭ－Ｄ成本构成中最贵的是薄膜层的加工，因此设法用其他方法取代传统的薄膜加工就成了焦点所在。大量的工作是围绕着改善迭层材料及工艺而改善ＭＣＭ－Ｌ的性能进行的。ＬＡＰ是ＭＣＭ     

mPEG发展概况及应用

一、ＭＰＥＧ－１和ＭＰＥＧ－２简介 ＭＰＥＧ－１制定于１９９２年,为工业级标准而设计,标准的正式规范在 ＩＳＯ／ＩＥＣ１１１７２中。可适用于不同带宽的设备．如 ＣＤ－ＲＯＭ、ＶＣＤ、ＣＤ－ｉ,在数字存储介质中实现对活动图像和声音的压缩编码。ＭＰＥＧ－２制定于１９９４年,设计目标是高级工业标准的图象质量以及更高的传输率,针对标准数字电视（ＳＤＴＶ）和高清晰度电视（ＨＤＴＶ）在各种应用下的压缩方案和系统层的详细规定,编码码率从３Ｍｂｉｔ／ｓ－１００Ｍｂｉｔ／ｓ,标准的正式规范在ＩＳＯ／ＩＥＣ１３８１８…     

通信技术标准简介

一、标准名称： ８００ＭＨｚ ＣＤＭＡ数字蜂窝移动通信网移动应用部分技术要求 二、标准编号：ＹＤ／Ｔ １０３１—１９９９ 三、发布部门：中华人民共和国信息产业部 四、发布日期：１９９９１２．２７ 四、实施日期：１９９９、１２．２７． 五、起草单位：信息产业部电信传输研究所 六、代替原标准代号及名称：ＹＤＮ０９３—１９９８《８００ＭＨｚＣＤＭＡ数字蜂窝移动通信网移动应用部分（ＭＡＰ）技术要求》 七、对修改内容的说明 本标准是在原ＹＤＮ０９３—１９９８和美国ＡＮＳＩＴＩＡ／ＥＩＡ—４１Ｄ标准和 ＴＩＡ／ＥＩＡ ＩＳ—８０７（ＰＮ－４１９７）标准的基础上,根据我国的实际情况进行了部分修改而制定的。修改的内容主要包括： 删除了有关ＤＡＭＰＳ和ＮＡＭＰＳ的内容 ＤＡＭＰＳ和ＮＡＬＭＰＳ的内容主要包括以下参数： ＮＡ－ＭＰＳ Ｃａｌｌ Ｍｏｄｅ ＮＡＭＰＳ　Ｃｈａｎｎｅｌ Ｄａｔａ ＴＤＭＡ Ｂｕｒｓｔ Ｉｎｄｉｃａｔｏｒ ＴＤＭＡ Ｃａｌｌ Ｍｏｄｅ ＴＤＭＡ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｄａｔａ Ｖｏｉｃｅ Ｐｒｉｖａｃｙ Ｍａｓｋ（ＴＤＭＡ信道加密,ＣＤＭ４Ａ用专用长码,原文有误） 考虑到将来可能与长城网或西北五省的ＡＭＰＳ双...     

MC68HC05SR3芯片介绍

ＭＣ６８ＨＣ０５ＳＲ３芯片介绍黄小平一、基本结构及特征ＭＣ６８ＨＣ０５ＳＲ３ＨＯＭＯＳ微控制器是低功耗单片微控制器Ｍ６８ＨＣ０５家族的一员。这个Ｓ位的微控制器单元（ＭＣＵ）包含有在片振荡器，ＣＵＰ、ＲＡＭＥＯＭ、Ｉ／Ｏ，定时器及Ａ／Ｄ。ＭＣ６８ＨＣ０...     

以太网到SONET/SDH映射芯片

安捷伦科技公司推出其创新产品———ＨＤＭＰ -３００１,以太网到ＳＯＮＥＴ／ＳＤＨ（ＥｏＳ）映射芯片。ＨＤＭＰ -３００１是一款通用芯片 ,运用该创新产品 ,网络和电信设备可为ＳＯＮＥＴ／ＳＤＨ网络同时提供局域网和广域网的接口 ,大大降低了覆盖多个地域的企业网络的运营维护成本。ＨＤＭＰ-３００１是由安捷伦科技与武汉邮电科学研究院共同研究开发的 ,也是安捷伦科技的ＳＯＮＥＴ／ＳＤＨ多协议芯片 (ＭＰＩＣ)系列中的第一款。ＭＰＩＣ可以将各种协议的信息映射到ＳＯＮＥＴ／ＳＤＨ中 ,为企业级用户将数据业务传送到ＳＯＮＥＴ…     

爱普生新款投影机

日前,ＥＰＳＯＮ在国内发布了两款多媒体液晶投影机新品：便携式投影机ＥＭＰ－７２００和手提式投影机ＥＭＰ—７５００。ＥＰＳＯＮＥＭＰ－７２００提供真正ＸＧＡ级,亮度达１０００ＡＮＳＩ流明,分辨率为１０２４×７６８,能够在ＣＡＤ／ＣＡＭ和计算机图形图像应用中呈现高质量画面;支持各种通用影像规格：ＮＴＳＣ４．４３、Ｍ—ＰＡＬ、Ｎ－ＰＡＬ及ＮＴＳＣ３．５８、ＰＡＬ和ＳＥＣＡＭ。ＥＭＰ－７５００与笔记本电脑和便携屏幕一起组成流动会议系统,提供真正ＸＧＡ分辨率１０２４×７６８的输出,高效ＵＨＥ灯泡能够提供更…     

MPEG／AUDIO LayerⅢ编解码算法研究与解码的DSP软件实现

本文介绍了ＩＳＯ／ＭＰＥＧ音频压缩编解ＬａｙｅｒⅢ规定的６４ｋｂｐｓ编解码标准，及其ＤＳＰ实现，作者据此标准完成了计算机Ｃ语言模拟仿真，获得满意的重建音乐信号质量，且对解码器的ＤＳＰ实现进行了研究，通过ＴＭＳ３２０Ｃ５４８模拟器对解码器的仿真，取得了与Ｃ语言一致的结果。     

A/D转换技术的应用与发展

首先分别介绍了当前六大模数转换技术的工作原理、电路结构、性能特点及应用领域,通过从转换速率、转换精度、分辨率、功耗、价格、面积等指标进行分析,将物理结构的设计与实际性能结合比较,总结出各自适合的应用领域.然后,根据对现有模数转换技术特点的分析及实际应用中对模数转换器性能的要求,对当前A/D转换技术向着高性能、低功耗、结构简单方向发展的趋势进行了预测.     

Temperature dependent current-voltage characteristics of the Zn/ZnO/n-Si/Au-Sb structure with ZnO interface layer grown on n-Si substrate by SILAR method

This is the first time; it was employed Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) method in order to prepare Zn/ZnO/n-Si/Au-Sb sandwich structure. The ZnO interface layer was directly formed on n-type Si substrate using SILAR method. The X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) studies were showed that the film is covered well on n-type Si substrate and have polycrystalline structure. An Au-Sb electrode was used as an ohmic contact. The Zn/ZnO/n-Si/Au-Sb sandwich structure demonstrated clearly rectifying behavior by the current-voltage (I-V) curves studied at room temperature. The sample temperature effect on the current-voltage (I-V) characteristics of Zn/ZnO/n-Si/Au-Sb structure was investigated in temperature range 80-320 K by steps of 20 K. The parameters such as barrier height, ideality factor and series resistance of this structure were calculated from the forward bias I-V characteristics as a function of sample temperature. It was seen that the ideality factor and series resistance were decreased; the barrier height were increased with increasing temperature. The experimental values of barrier height and ideality factor for this device were calculated as 0.808 eV and 1.519 at 320 K; 0.220 eV and 4.961 at 80 K, respectively. These abnormal behaviors can be explained by the barrier inhomogeneities at the metal-semiconductor (M-S) interface.     

大容量MLCC的工艺设计

采用四层端电极(Ni/Cu/Ni/Sn)结构设计,底层为Ni,电镀Cu/Ni/Sn的工艺方法,制作了大容量MLCC。研究了四层结构和三层结构(Cu/Ni/Sn)对电容量等基本电性能、可靠性和内应力的影响。结果表明:制作1206规格10μFMLCC,C为9.86～10.46μF、tanδ为(360～390)×10–4、绝缘电阻≥1.5×108Ω、耐电压值为175～205V,四层结构与三层结构电性能相当。可靠性测试中,四层结构抗机械和热冲击能力提高了20%,且有利于瓷体内应力释放。     

多层圆片级堆叠THz硅微波导结构的制作

基于微电子机械系统(MEMS)工艺,提出一种多层圆片堆叠的THz硅微波导结构及其制作方法。为了验证该结构在制作THz无源器件中的优势,基于6层圆片堆叠的硅微波导结构,设计了一种中心频率365 GHz、带宽80 GHz的功率分配/合成结构,并对其进行了仿真。研究了制作该结构的工艺流程,攻克了工艺过程中的关键技术,包括硅深槽刻蚀技术和多层热压键合技术,并给出了工艺结果。最终实现了多层圆片堆叠功率分配/合成结构的工艺制作和测试。测试结果表明,尽管样品的插入损耗较仿真值增加3 dB左右,考虑到加工误差和夹具损耗等情况,样品主要技术指标与设计值较为一致。     

热稳定自旋阀磁传感器及其性能优化研究

对一种Ta/NiFeCr/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta结构的顶钉扎自旋阀进行了优化。对自旋阀各层材料在整个结构中所起的作用进行了分析,并通过实验,研究自旋阀中每一层的厚度对磁电阻变化率(MR)的影响。最终得到了在80℃下磁电阻变化率高达10.5%的GMR自旋阀。     

准分子脉冲激光沉积法制备的ZrO2薄膜结构和电学性能的研究

采用准分子脉冲激光沉积法 (PLD)分别在Pt/Ti/SiO2 /Si和SiO2 /Si衬底上制备了ZrO2 薄膜 ,采用扩展电阻法 (SRP)研究了薄膜纵向电阻分布 ;采用X射线衍射法 (XRD)研究了衬底温度对ZrO2 薄膜结晶性能的影响 ;精确测试了薄膜的表面粗糙度 ;讨论了薄膜结晶性能与其电学I V特性之间的关系。     

Fe/GaAs中自旋注入效率的研究

自旋电子学是近年来发展迅速的一个研究领域,利用了传导电子自旋这一自由度的自旋电子器件以其提高数据处理速度、降低能量消耗、容易增加集成密度等优点正引起人们的空前关注.文中阐述了自旋的漂移-扩散方程,并对以Fe/GaAs为代表的铁磁性金属/半导体结构(FM/SC)进行了简单分析.如果选取参数适当,可以在Fe/GaAs结中获得较大的自旋注入效率.     

Effects of Piezoelectric Potential of ZnO on Resistive Switching Characteristics of Flexible ZnO/TiO<Subscript>2</Subscript> Heterojunction Cells

Flexible resistance random access memory (ReRAM) devices with a heterojunction structure of PET/ITO/ZnO/TiO₂/Au were fabricated on polyethylene terephthalate/indium tin oxide (PET/ITO) substrates by different physical and chemical preparation methods. X-ray diffraction, scanning electron microscopy and atomic force microscopy were carried out to investigate the crystal structure, surface topography and cross-sectional structure of the prepared films. X-ray photoelectron spectroscopy was also used to identify the chemical state of Ti, O and Zn elements. Theoretical and experimental analyses were conducted to identify the effect of piezoelectric potential of ZnO on resistive switching characteristics of flexible ZnO/TiO₂ heterojunction cells. The results showed a pathway to enhance the performance of ReRAM devices by engineering the interface barrier, which is also feasible for other electronics, optoelectronics and photovoltaic devices.     

垂直型MoS2/C60范德华异质结的研究

研究了采用垂直堆垛方式构筑的MoS2/C60范德华异质结的特性。利用直流磁控溅射法制备Mo薄膜,对Mo薄膜进行硫化退火处理得到MoS2薄膜,采用真空蒸镀法在MoS2薄膜上沉积C60进而形成MoS2/C60范德华异质结,并制备了Au/MoS2/C60/Al结构的器件。对MoS2薄膜的晶体结构进行了分析,对MoS2,C60及MoS2/C60薄膜的喇曼光谱及光吸收特性进行了测试和表征。结果表明:经过750℃退火后的MoS2晶型为2H型;由于在MoS2和C60薄膜之间范德华力的存在,相对于生长在Si/SiO2衬底上,沉积在MoS2上的C60薄膜喇曼特征峰发生红移;MoS2/C60薄膜在可见光范围内具有明显的光吸收特性;异质结表现出良好的整流特性,通过电子导电模型分析得出电子的传输机制包含热电子发射,空间电荷限制电流传导(SCLC)和隧穿现象。     

2.5D硅转接板TSV结构研究

针对结构参数对TSV可靠性影响不明确的问题,文中采用有限元分析和模型简化的方法,分析了TSV结构在温度循环条件下的应力应变分布,并进一步研究了铜柱直径、SiO₂层厚度以及TSV节距等结构参数对TSV结构可靠性的影响。结果表明,采用文中的方法简化模型后得出的结果拟合度在0.95以上;在TSV结构上施加温度循环载荷时,在SiO₂界面会出现应力集中,而在钝化层中会出现应变增大;改变铜柱直径、绝缘层厚度和TSV节距将显著影响TSV结构的可靠性;减小填充铜的直径、增加SiO₂层的厚度、增加TSV节距,都将有助于减小TSV结构的最大应力。