Cs（7DJ）＋Cs（6S1／2）间的碰撞能量转移

脉冲激光双光子激发Cs（6S1／2）到Cs（7Dj）态,在样品池条件下,利用原子荧光光谱方法研究了Cs（7Dj）＋Cs（6S1／2）的碰撞能量转移过程。利用三能级模型的速率方程分析,在不同的Cs（6S1／2）密度下,通过对直接荧光和转移荧光的时间积分荧光强度测量,得到了7D5／2→7D3／2精细结构转移截面为σ=（2．9±0．7）×10^-14cm^2。而碰撞转移到7Dj以外的猝灭截面分别为（7．4±2．1）×10^-14cm^2（对J=5／2）和（6．6±1．8）×10^-14cm^2（对J=3／2）。结合已有的实验结果,得到7DJ转移到8P态的截面分别为（0．6±0．3）×10^-14cm^2（对J=5／2）与（0．8±0．4）×10^-14cm^2（对J=3／2）。7D态主要是通过碰撞能量合并的逆过程[即7Dj＋6S→5D＋6P）猝灭。     

nc-Si:H薄膜的三阶非线性光学性质

用简并四波混频技术(DFWM)研究了nc-Si:H薄膜的三阶非线性光学性质,观察到了这种纳米薄膜材料的位相共轭信号,测得晶态比为XC1=15%和XC2=30%的二个样品在光波波长为589nm处的三阶非线性极化率分别为χ1(3)=3.8×10-6esu和χ2(3)=4.3×10-7esu,并对其光学非线性产生机理作了探讨。     

nc-Si∶H薄膜的三阶非线性光学性质

用简并四波混频技术 (DFWM)研究了nc Si∶H薄膜的三阶非线性光学性质 ,观察到了这种纳米薄膜材料的位相共轭信号 ,测得晶态比为XC1 =15 %和XC2 =30 % 的二个样品在光波波长为 5 89nm处的三阶非线性极化率分别为 χ1(3 ) =3 8× 10 - 6 esu和 χ2(3 ) =4 3× 10 - 7esu ,并对其光学非线性产生机理作了探讨     

Z-扫描法研究PMOCOPV的非线性光学效应

利用分光光度计对聚(2-甲氧基5-辛氧基)对苯乙炔(PMOCOPV)的光学禁带宽度(Eg)进行了研究,线性拟合的结果表明PMOCOPV的Eg为2.09 eV.采用单光束Z-扫描技术系统地研究了PMOCOPV的三阶非线性光学特性.研究表明,PMOCOPV为自散焦介质,其非线性折射率为-3.82×10-7 esu,非线性折射系数为-9.63×10-14 m2/W,非线性吸收系数为1.27×10-7m/W,三阶非线性极化率为8.58×1018m2/W.     

复合型砷化镓在10．6μm波长的非线性光学相位共轭特性

用简并四波混频的方法观察了复合型硒化镓的相位共轭效应。测得在10.6μm波长处它的最大共轭反射率Rc=5％,饱和光强Is=16×10~6W/cm~2,三阶极化率X~(3)=3.7×10~(-9)esu。三阶极化率和饱和光强的数值与James等人的价带跃迁理论计算结果相符。     

SOT23封装的串联电压基准

LT6654专门为在-40～＋125℃的温度范围内准确工作而设计。这个电压基准兼有0．05％初始准确度、10×10^6温度漂移和仅为1．6×10^6的低频噪声。LT6654可在比输出仅高100mV的电源上工作,而且在电源电压高达36V时保持仅为5×10^-6／V的电压调节误差。其他特性：1．6×10^-6PP噪声（0．1～10HZ）;±10mA吸收和供应能力;100mV压差电压;电源电压高达36V;负载调节：8×10^-6／mA（最大值）;电压调节：5×10^-6／V（最大值）;现已提供2．5V电压版本。     

精确低噪声串联电压基准 针对不同的应用有相应级别

LTC6652非常适用于高性能、高温工业和汽车应用,以及数据采集和医疗仪器应用。性能特点可选电压为1．25V、2．048V、2．5V、3V、3．3V、4．096V和5V;完全规定在-40-＋125℃温度范围内工作;A级有0．05％的初始准确度,5×10^-6／℃的漂移,B级有0．1％初始准确度,10×10^-6／℃漂移;2．1×10^-6（0．1～10Hz）的噪声,±5mA吸收和提供能力,低功率停机：最大值〈2μA;300mV压差;最大电压调节为50ppm／V;最大负载调节为75×10^-6／mA;无须外部负载电容器;8引脚MSOP封装。     

二萘并噻吩四酮在飞秒激光下的三阶非线性光学性能

合成了化合物二萘并[2,3-b:2',3'-d]噻吩-5,7,12,13-四酮,用IR,1H NMR和元素分析表征了其结构.采用波长为800 nm,脉宽为80fs的钛宝石飞秒激光,运用简并四波混频(DFWM)法,研究了化合物在非共振状态下的三阶非线性光学(NLO)性能.三阶非线性光学极化率为2.73×10-13 esu,非线性折射率为5.03×10-12esu,分子二阶超极化率为2.85×1031esu,响应时间为86fs.分析了化合物的分子结构对三阶非线性光学性能的影响.结果表明此化合物具有潜在的非线性光学应用.     

一种新的双偶氮化合物的三阶非线性光学性能

合成了一种新的双偶氮化合物2,6-双[(2,4-二羟基苯基)偶氮]蒽醌,用IR,1 H NMR和元素分析表征了其结构.采用飞秒激光,运用简并四波混频法,研究了化合物在非共振状态下的三阶非线性光学性能.它的三阶非线性光学极化率χ(3)为3.37×10-13 esu,非线性折射率n2为6.21×10-12 esu,分子二阶超极化率γ为4.02×10-31 esu,响应时间τ为101 fs.分析了化合物的分子结构对三阶非线性光学性能的影响.增长共轭链,形成供吸供构型,增大取代基的吸或供电子能力等因素有利于获得较大的三阶非线性光学性能.     

新的偶氮类有机共轭化合物的合成及三阶非线性光学性能

设计合成了6个新的偶氮类有机共轭化合物,用傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR),1H核磁共振(1H NMR)和元素分析确证了结构.采用飞秒激光,运用简并四波混频(DFWM)法,研究了化合物在非共振状态下的三阶非线性光学(NLO)性能.它们的三阶非线性光学极化率x(3)为(3.31～3.96)×10-13 esu,非线性折射率n2为(6.08～7.27)×10-12esu,分子二阶超极化率γ为(3.44～4.11)×10-31 esu,响应时间τ为102～111 fs.探索了化合物的分子结构对三阶非线性光学性能的影响.引入离域能小的芳杂环,增长共轭链,形成吸供构型,增大取代基的供电子能力,提高共轭体系的共平面程度等因素,有利于获得较大的三阶非线性光学性能.     

低介电损耗AlN陶瓷及BN—AlN基陶瓷材料研究

首先利用化学工艺制备出烧结助剂Y2O3均匀混合的AlN粉体及BN均匀包覆AlN的复合粉体。利用无压烧结制备出AlN陶瓷及BN—AlN基复相陶瓷。通过对陶瓷显微结构、热性能及微波介电性能的研究发现,通过化学工艺,将BN包覆到AlN粉体表面,制备出显微结构均匀的AlN-20％BN（质量比）复相陶,其热导率为78．1w／m·K,在Ka波段介电常数为7．2、介电损耗最小值为13×10^-4通过材料化学工艺,将烧结助剂Y2O3均匀添加到AlN基体中,制备出热导率为154．2w／m·K,在Ka波段介电常数为8．5、介电损耗最小值为9．3×10^-4的AlN陶瓷材料。     

H2诱导Cs（6DJ→Cs（7PJ′）碰撞转移截面

Cs蒸气置于十字交叉加热炉中,充入不同气压的H2,激光双光子激发Cs原子至6D3/2态,利用原子荧光光谱方法,研究了H2诱导6DJ→7PJ,的碰撞能量转移。测量不同氢气密度下直接6D3/2→6P3/2和敏化6D5/2→6P3/2,7P3/2→6S1/2和7P1/2→6S1/2的时间积分荧光强度,利用四粒子的速率方程分析,得到了6D3/2→7P3/2,6D3/2→7P1/2,6D5/2→7P3/2和6D5/2→7P1/2碰撞转移截面分别为（3.1±0.8）×10^-16,（1.7±0.4）×10^-16,（1.5±0.4）×10^-16,（1.3±0.3）×10^-16cm^2。7PJ′态的猝灭截面分别为（2.5±0.6）×10^-16cm^2（对7P3/2）和（4.0±1.0）×10^-16cm^2（对7P1/2）,它们主要是通过Cs（7PJ′）＋H2→CsH＋H反应产生的,而反应的相对活动性顺序为7P1/2〉7P3/2。     

用单光束方法研究C_(60)/C_(70)溶液的非线性光学性质

本文报道了利用单光束方法研究C_(60)/C_(70)甲苯溶液的非线性光学性质,C_(60)/C_(70)的浓度为3.5×10~(-3)mol,C_(60)∶C_(70)=3∶1,实验所用的泵浦光源为被动锁模Nd∶YAG激光器,脉宽40ps,实验给出C_(60)/C_(70)溶液的非线性折射率n_2=(2.3±0.3)×10~(-11)(esu),并给出三阶超极化率r=1.1×10~(-31)(esu)。     

C60 LB单分子膜的电光Pockels效应

用电光调制衰减全反射光谱技术研究了Ｃ６０与花生酸混合的ＬＢ单分子膜的Ｐｏｃｋｅｌｓ（普克尔）效应。测量得到Ｃ６０ＬＢ膜的二阶非线性光学系数χ（２）（－ω;ω,０）＝０．５×１０－１２ｍ／Ｖ（１．３×１０－９ｅｓｕ）。这一结果与用光学二次产生测量Ｃ６０热蒸发膜的χ（２）（－２ω;ω,ω）同一数量级。并利用单分子层模型计算了Ｃ６０分子的超极化率为β＝１．１×１０－３０ｅｓｕ。     

一种新型有机金属化合物的三阶光学非线性研究

为了研究一种新型有机金属化合物(十六烷基三甲基铵)双(1,3-二硫杂环戊烯-2-硫酮-4,5-二硫基)-镍(简称CTNi)的三阶非线性光学性质,配制了浓度为1.0×10-4mol/L的丙酮溶液作为待测样品,采用Z扫描测试技术,在波长为1064 nm,脉宽为40 ps的条件下研究了该样品的三阶非线性光学性质.研究发现,该材料具有很强的饱和吸收特性,其激发态有效吸收截面为eσff=1.47×10-18cm2,相应的非线性吸收系数β=-4.36×10-12m/W.另外,Z扫描曲线显示该材料还具有较强的自散焦效应,其三阶非线性折射系数n2=-1.55×10-18m2/W.     

酞菁掺杂有机改性溶胶-凝胶材料的Z-扫描研究

利用单光束 Z-扫描技术 ,在波长为 1.0 6 4μm,脉宽为 38ps条件下研究了 1,2 ,8,9,15,16 ,2 3,2 4 -八异戊氧基钯酞菁 (octa- Pd Pc)掺杂有机改性溶胶 -凝胶材料的三阶光学非线性光学性质。测得它的非线性折射率 n2 和三阶光学非线性极化系数χ(3 ) 的实部分别为 1.1× 10 -12 esu和 1.6×10 -13 esu。对此进行了分析和讨论。     

中心金属原子对萘酞菁化合物激发态的光学非线性增强效应

应用Z-扫描技术对比研究了萘酞菁铅和萘酞菁钯化合物在波长为532 nm纳秒激光脉冲作用下的三阶非线光学特性。实验结果表明,两种萘酞菁化合物均显现出较强的非线性吸收特性(反饱和吸收)和非线性折射特性(自聚焦)。理论拟合得出萘酞菁铅和萘酞菁钯的非线性吸收系数分别为6.5410-10 m/W和3.9010-10 m/W;非线性折射系数率n2分别为1.6810-10 esu和8.0410-11 esu;二阶分子超极化率系数分别为3.4410-28 esu和2.5710-28 esu,CS2二阶分子超极化率系数为4.3210-33 esu;两种萘酞菁化合物的二阶分子超极化率强于CS2近5个数量级。实验结果表明,萘酞菁铅化合物具有较强的非线性吸收和非线性折射特性,且大于萘酞菁钯化合物的光学非线性特性是由于萘酞菁铅化合物的重原子效应提高了其光学非线性特性。