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研制了一种用于射频领域的叉指栅PDSOI LDMOS晶体管,并分析了总剂量辐照对其静态和小信号射频特性的影响. 其静态工作模式下的辐照响应由前/背栅阈值、泄漏电流、跨导和输出特性表征,而其交流工作模式下的辐照响应由截止频率和最高振荡频率表征. 实验表明,在室温环境下经过总剂量为1Mrad(Si)的γ射线辐照,不同尺寸和结构的射频SOI LDMOS晶体管的各项指标均表现出明显退化,并且仅当器件工作在静态模式时LBBC LDMOS才表现出优于BTS LDMOS的抗辐照性能. 相似文献
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研制了一种用于射频领域的叉指栅PDSOI LDMOS晶体管,并分析了总剂量辐照对其静态和小信号射频特性的影响.其静态工作模式下的辐照响应由前/背栅阈值、泄漏电流、跨导和输出特性表征,而其交流工作模式下的辐照响应由截止频率和最高振荡频率表征.实验表明,在室温环境下经过总剂量为1Mrad(Si)的γ射线辐照,不同尺寸和结构的射频SOI LDMOS晶体管的各项指标均表现出明显退化,并且仅当器件工作在静态模式时LBBC LDMOS才表现出优于BTS LDMOS的抗辐照性能. 相似文献
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研究了总剂量4 Mrad(Si) 60Co-γ辐照对AlGaN/GaN HEMT器件的影响,器件在辐照过程中采用不同的加电方式。辐照过程会增加器件的栅泄漏电流,但辐照终止后电流快速恢复至初始状态。对比辐照前后的直流性能,器件的肖特基势垒高度、阈值电压、漏电流、跨导等未出现退化问题。实验结果表明,基于自主开发的GaN标准工艺平台所制备AlGaN/GaN HEMT器件,具有稳定可靠的60Co-γ抗辐照能力。 相似文献
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抗总剂量辐射0.8μm SOI CMOS器件与专用集成电路 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了采用全剂量SIMOX SOI材料制备的0.8μm SOI CMOS器件的抗总剂量辐射特性,该特性用器件的阈值电压、漏电流和专用集成电路的静态电流与高达500krad(Si)的总剂量的关系来表征.实验结果表明pMOS器件在关态下1Mrad(Si)辐射后最大阈值电压漂移小于320mV,nMOS器件在开态下1Mrad(Si)辐射后最大阈值电压漂移小于120mV,器件在总剂量1Mrad(Si)辐射后没有观察到明显漏电,在总剂量500krad(Si)辐射下专用集成电路的静态电流小于5μA. 相似文献
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为了研究N沟道硅结型场效应晶体管(JFET)在辐照环境下的电特性和噪声特性,利用Co-60源对其进行了γ射线辐照试验。辐照剂量率为0.1 rad(Si)/s,累积总剂量为100k rad(Si),辐照试验以及参数测试均在室温下进行。辐照后,器件的电特性保持不变,但产生复合(g-r)噪声随辐照剂量的增加而增大。通过对噪声功率谱密度数据拟合后发现,g-r噪声的特征频率只有非常微小的变化,而g-r噪声幅度在逐渐增大。利用辐照引起的相同种类(激活能相同)的点缺陷密度的增加以及点缺陷捕获-释放载流子几率的增大机制对试验数据进行了解释。 相似文献