行波及其应用

从传输线行波匹配原理出发，以分布式放大器理论为基础，给出了行波理论当今的三个很重要的运用－－行波管放大器，宽带行波匹配放大器和超宽带砷化镓微波单片集成电路行波混频器。     

半导体激光放大器的理论与实验研究

从理论与实验上研究了1.3μm的法布里-珀罗放大器(FP-SLA)与行波放大器(TW-SLA).分析了半导体激光器的增益特性,指出了“准”行波放大器的优越性.     

行波放大器中的新概念

本文提出了两种在很宽的带宽范围内具有潜在的低端口电压驻波比的新型网络.它既用于低功率平衡放大器又用于高功率合成系统。这些被称为低旁辨行波放大器(LSTWA)和无倾角行波放大器(SQTWA)的新结构已经由普通行波放大器(TWA)采用相控阵天线的概念和设计技术推导出来.采用Monte—CarLo 模拟比较了三种结构相应的特性,并考虑了有限的损耗和失配效应。     

行波半导体激光放大器电路模型

采用激光器多模速率方程 ,经过适当的数学处理 ,得到行波半导体激光放大器电路模型 .利用这个模型并借助通用电路模拟器 ,如 PSPICE,不仅可以模拟单个放大器的性能 ,而且可以模拟含有行波放大器的单片或混合OEIC.通过和已报道实验结果相比较 ,验证了模型的正确性     

行波半导体激光放大器电路模型

采用激光器多模速率方程,经过适当的数学处理,得到行波半导体激光放大器电路模型．利用这个模型并借助通用电路模拟器,如PSPICE,不仅可以模拟单个放大器的性能,而且可以模拟含有行波放大器的单片或混合OEIC．通过和已报道实验结果相比较,验证了模型的正确性．     

iTerra Communications开发出高功率GaAs MMIC放大器

iTerra Communications公司开发出一种封装宽带GaAs MMIC行波放大器,在2~18GHz的宽带宽频率范围内,其饱和RF输出功率电平高。这种GaAs-MMIC行波放大器适用于宽带测试设备、电子战与电子对抗系统,以及任何要求高宽带增益和高输出功率的应用领域。该放大器的制造采用了少量外部元     

行波半导体光放大器中饱和参量表达式的修正

根据行波半导体放大器中载流子复合的实际过程，对放大器饱和参量的表达式作了适当的修正。     

具有稳定封装结构的1.3μm InGaAsP行波半导体光放大器

报道一种具有稳定封装结构的1.3μm InGaAsP行波半导体光放大器。由于采用了末端带高折射率类球面微透镜的锥形光纤耦合头,单模光纤与光放大器芯片之间的耦合效率达3～4dB,光放大器的光纤-光纤净增益达12～15dB。由于耦合光纤的固定采用了脉冲YAG激光定位焊接和真空退火技术,这种行波半导体光放大器的稳定性大为提高。     

1.5μm行波激光放大器实验

用不同偏振态的信号测试了1.5μm半导体行波放大器的增益,并将该放大器用作相调相干系统的中继器。     

红宝石望远镜腔脉冲多程放大器

本文从分析红宝石放大理论出发,计算了各种工作状态下放大器增益与棒长的关系,比较了行波单程放大器、利用偏振面旋转的多程放大器以及望远镜腔多程放大器等的优缺点,采取     

微波MESFET行波混频器

本文介绍了一种用GaAsMESFET制做的新颖微波宽带有源混频器。它以行波放大器的原理为依据,提出了行波混频器的新概念。给出了变频增益的表达式。     

2～12GHz CaAs单片行波放大器

<正>随着现代通讯和科学技术的发展,在许多工程应用领域中要求多倍频程的宽带放大器。单片行波放大器由于可使各种寄生参量减至最低。并将器件的参量作为传输线的一部分。从而可以获得理想的宽带放大特性。在超宽带放大方面显示出巨大的潜力与优势。作为一种电性能优良、集成度高的微波集成电路,其研究与应用的前景广阔。本文简单介绍了一个2～12GHz的超宽带GaAs单片行波放大器的设计思想和工艺实现。 为降低高频损耗及寄生参量对行波放大器高频增益的影响,有效地改善单片行波放大器的高频增益性能,研究中采用了高端频率特性较好的m-derived型行波放大电路。设计中有源S参数的获取是从MESFET的几何及材料参数出发,算出等效电路参数值、等效电路Y参数,最后转化为相应的S参数。电路则运用网络分析方法。利用计算机对其进行小信号模拟,并对行波放大器主体、输入输出匹配及偏置电路采取分步逐级优化,直至获得满意的增益带宽特性。在设计时,为使CAD结果更符合实际电路,还尽量号虑了各种因素。如微带的不连续性、工艺起伏等对电路性能的影响。整个单片电路由分布参数和集总参数元件相结合组成。     

半导体激光放大器非稳态理论及数值解

本文对半导体激光放大器的非稳态过程进行理论分析,给出了描述半导体激光放大器非稳态过程的一系列方程组,并对半行波半导体激光放大器的超短光脉冲响应及开关特性进行了数值求解。     

半导体光放大器增益饱和及其开关特性的研究

从理论上研究了行波半导体光放大器的增益饱和特性。由半导体的单模速率方程出发，应用半导体光放大器的传输波动方程，推导了放大器的增益特性表达式。根据半导体光放大器增益饱和特性，研究了开关特性。     

四程行波激光放大器的实验研究

本文描述一台Nd:YAG激光放大器与作为单脉冲选择器的普克耳斯盒电光开关相配合,构成一台四程行波激光放大器。它能从锁模激光器输出脉冲列中选出单个光脉冲,并进行四程行波放大。实     

大功率宽带G波段行波谐波放大器研究

针对大功率太赫兹功率源的应用需求,设计了一种G波段行波谐波放大器。该放大器件利用行波管非线性过程产生的谐波电流,通过级联谐波段高频系统实现基波信号的谐波放大,获得大功率宽带太赫兹波功率输出。本文利用CST和MTSS软件完成了G波段行波谐波放大器优化设计,并通过三维PIC进行互作用精确仿真分析,研究结果表明,该放大器能够在G波段10 GHz带宽内获得大于2 W的输出功率,为后续实际器件研制奠定了技术基础。     

灯抽运Nd∶YAG单程行波激光放大器研究

高平均功率Q开关窄脉冲固体激光器具有较多的应用需求,从目前激光材料研究的现状看,适合高平均功率Q开关窄脉冲激光运转的固体激光材料仍然很少,因此只能选择常用的Nd∶YAG晶体作为激光工作物质.由于Nd∶YAG激光材料的亚稳态能级粒子寿命较短,贮能不高,单级器件难以实现高平均功率窄脉冲激光输出,为此我们对振荡-放大结构形式的Nd∶YAG激光器进行了研究,目的是提高Nd∶YAG窄脉冲激光放大器的输出平均功率.从激光放大技术上说,有单程行波放大和多程再生放大等结构形式.单程行波放大对激光工作物质的尺寸要求不苛刻,结构紧凑,适合于工程应用,所以我们将Nd∶YAG激光放大器设计为单程行波放大结构形式.通过对激光放大过程的分析,我们认为单程行波激光放大由两个过程组成:将灯抽运能量转变为放大激光介质的贮能和将贮能转化为激光放大器的输出能量.因此要提高激光放大器的输出功率,必须使放大器激光介质中有较高的反转贮能,并且最有效地提取放大器中的贮能.通过对行波激光放大器的理论分析,推导出放大器提取效率与注入信号能量的关系式,并从理论上得出激光放大器输出能量与抽运能量的关系.实验结果表明理论分析能够指导实际Nd∶YAG激光放大器的设计,我们采用三级Nd∶YAG激光单程行波放大结构,获得平均功率121.5 W(重复频率50 Hz,脉宽7.8 ns)的调Q脉冲激光输出,激光效率1.35%.(OE36)     

光纤放大器在干线工程中的应用

介绍光纤放大器的类型，放大器的应用方式，中继段增长的计算方法以及光纤放大器在工程应用中的注意事项。     

行波半导体光放大器的增益饱和及其在解复用技术中的应用

本文通过对行波半导体光放大器增益饱和及其瞬态增益特性的分析，指出了利用半导体光放大器增益饱和快的特点，可使半导体光放大器环路镜实现超高速的解复用功能。     

半行波半导体激光放大器超短光脉冲响应及开关特性的实验研究

本文对半行波半导体激光放大器的脉冲响应及开关特性进行了实验研究。脉宽为27ps,重复频率为1GHz的超短光脉冲串通过放大器后脉冲无展宽。当对放大器的注入电流进行调制时,放大器可起到高速光开关的作用。