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| 具有稳定封装结构的1.3μm InGaAsP行波半导体光放大器 | |
| 引用本文： | 刘雪峰,黄德修,李再光.具有稳定封装结构的1.3μm InGaAsP行波半导体光放大器[J].光通信技术,1993(2). |
| 作者姓名： | 刘雪峰 黄德修 李再光 |
| 作者单位： | 华中理工大学，华中理工大学，华中理工大学国家激光技术重点实验室 武汉 430074，武汉 430074，武汉 430074 |
| 基金项目： | 国家863计划资助项目 |
| 摘 要： | 报道一种具有稳定封装结构的1.3μm InGaAsP行波半导体光放大器。由于采用了末端带高折射率类球面微透镜的锥形光纤耦合头,单模光纤与光放大器芯片之间的耦合效率达3～4dB,光放大器的光纤-光纤净增益达12～15dB。由于耦合光纤的固定采用了脉冲YAG激光定位焊接和真空退火技术,这种行波半导体光放大器的稳定性大为提高。 |
| 关 键 词： | 行波半导体光放大器 稳定性 脉冲YAG激光定位焊接 真空退火 |
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