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Steven He Wang 《电子工业专用设备》2004,33(10)
随着半导体制造业的工艺进步,线宽尺寸的不断减小,对表面覆膜硅片清洗的质量要求也变得越来越严格。当前这类清洗涵盖了从硅片表面有效地去除深亚微米颗粒(<100nm)和将金属杂质数量控制在1E+10(原子)个?cm2以下这两项要求。传统的洗刷机(Scrubber)清洗方式及兆声波缸槽式湿法清洗工艺正面临这些新的不断深化的工艺技术要求的挑战。根据最新《国际半导体技术指南(ITRS)》对提高硅片表面加工水平和深亚微米颗粒去除能力要求,论证了能同时实现上述目标的清洗方法。这个方法采用以传统缸槽整批处理式湿法清洗机台和单片兆声波清洗机相结合的方案,整批处理式湿法机台的沉浸技术被应用于包括去有机膜、去原生氧化层和去金属杂质的硅片表面处理。与之相比,单片兆声波清洗通过提供一个均衡的兆声波能场,增强了去除深亚微米颗粒的能力,从而更高质量地完成硅片表面清洗。为了验证这种方法的有效性,对φ300mm再生抛光片进行上述清洗工艺的效果评定。 相似文献
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针对目前清洗技术存在的问题进行了详细分析,研究了微电子材料表面污染物的来源及其危害,并介绍了表面活性剂在颗粒去除方面的作用。研究了化学机械抛光(CMP)后Cu布线片表面的颗粒吸附状态,分析了铜片表面颗粒的吸附机理。采用非离子表面活性剂润湿擦洗方法,使Cu表面的颗粒处于易清洗的物理吸附状态。利用金相显微镜和原子力显微镜(AFM)在清洗前后进行对比分析,实验采用聚乙烯醇(PVA)刷子分别对铜片和铜布线片进行清洗,发现非离子界面活性剂能够有效去除化学机械抛光后表面吸附的杂质,达到了较好的清洗效果。 相似文献
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硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等会严重影响器件性能,其中表面颗粒度会引起图形缺陷、外延缺陷、影响布线的完整性,是高成品率的最大障碍。探讨了如何减少硅表面颗粒度的方法。第一部分从兆声波清洗的机理出发,研究了清洗温度及清洗时间对硅抛光片表面颗粒度的影响;第二部分通过实验对比了增加多片盒清洗工艺对硅抛光片表面颗粒度的影响。 相似文献
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非离子型表面活性剂结合金刚石膜电化学氧化的新型抛光后晶片清洗工艺 总被引:1,自引:1,他引:0
本文针对抛光后晶片的颗粒和有机污染物提出了一种新型清洗方法,它结合了非离子表面活性剂和掺硼金刚石膜(BDD)阳极电化学氧化的优势。非离子表面活性剂可以在抛光后晶片上形成一层保护膜,使晶片表面颗粒易于去除。颗粒去除对比实验结果通过金相显微镜观察得知,体积比为1%的非离子表面活性剂的颗粒去除效果最佳。然而表面活性剂保护膜本身属于有机物,它最终也需要被去除。金刚石膜阳极电化学氧化(BDD-EO)可以用来去除有机物,因为它可以有效降解有机物。三个有机污染物去除对比实验分别为:一是先用非离子表面活性剂再用BDD-EO,二是单纯用BDD-EO去除有机物,第三种是用传统RCA清洗技术。通过XPS检测结果表明,用BDD-EO清洗的晶片表面的有机残留明显少于传统RCA技术,并且晶片表面的非离子表面活性剂也可以有效去除。 相似文献
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多层Cu布线化学机械抛光后颗粒的去除问题 总被引:1,自引:1,他引:0
针对多层Cu布线化学机械抛光后去除表面吸附颗粒时难以解决的氧化腐蚀问题,分析了颗粒在抛光后Cu表面上存在的两种吸附状态即物理吸附和化学吸附。采用在清洗剂中加入非离子表面活性剂的方法,使Cu表面的颗粒处于易清洗的物理吸附状态;为解决由于Cu在停止化学机械抛光后,具有高能的新加工表面被残留抛光液继续氧化和腐蚀,影响清洗效果的问题,采用在清洗剂中添加防蚀剂BTA的方法在Cu表面形成Cu-BTA单分子致密膜,有效控制了表面氧化和腐蚀。利用光学显微镜对采用不同清洗剂清洗过的Cu表面进行观察分析,发现在清洗剂中添加表面活性剂和防蚀剂BTA,不仅有效去除了表面沾污的颗粒,又保证了清洗后表面的完美与平整。 相似文献
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KurtK.Christenson 《电子工业专用设备》2004,33(9):27-32,77
硅晶片的清洗通常是在一个“过流(overflow)”清洗槽中进行,其中流过晶片的水流平均速度为1cm蛐s,而在晶片表面的速度则为零。清洗效率受到污染物从硅片表面扩散出并进入到水流速率的限制。报告了清洗效率的提高熏通过对初次将污染物扩散进停滞层的1min循环进行重复,然后“倾倒”清洗槽,从而去除大部分污染的停滞层。通过旋转晶片,并利用离心力去除更大部分的停滞层,每个清洗循环可将清洗效率再提高10倍眼1演。与目前的浸泡式清洗技术相比,本方法可以完全去除可溶性污染物,而使用的水量降低20倍。 相似文献
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硅片CMP工艺会引入表面缺陷和沾污,通常采用NaOH和KOH作为腐蚀溶液,利用微腐蚀法将硅片表面的损伤污染层剥离,以免导致IC制备过程中产生二次缺陷,但会不可避免地引入金属离子。制备了一种用螯合剂和表面活性剂复配的新型清洗液,利用螯合剂对硅片表面损伤层进行微腐蚀,同时采用表面活性剂去除硅片表面吸附的微粒。经台阶仪和原子力显微镜检测,该清洗液能有效去除硅片表面损伤层和颗粒,同时螯合剂本身不含金属离子,并且对金属离子有螯合作用,可有效避免传统腐蚀液中金属离子带来的二次污染。 相似文献
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硅片清洗技术已成为制备高技术电子产品的关键技术。采用窄间隙介质阻挡放电方法研制了低温氧等离子体源,把氧离解、电离、离解电离成O、O-、O+和O2(a1Δg)等低温氧等离子体,其中O-和O2(a1Δg)活性粒子进一步反应形成高质量浓度臭氧气体,再溶于酸性超净水中,用于去除硅片表面颗粒污染物。实验结果表明:当等离子体源输入功率为300 W时,臭氧气体质量浓度最高为316 mg/L;高质量浓度臭氧气体溶于pH值为3.8的超净水中形成臭氧超净水,质量浓度为62.4 mg/L;在硅片清洗槽内,高质量浓度臭氧超净水仅用30 s就可去除硅片表面的Cu、Fe、Ca、Ni和Ti等金属颗粒物,去除率分别为98.4%、95.2%、88.4%、85.2%和64.1%。本方法与目前普遍使用的RCA清洗法相比,具有无需大剂量化学试剂和多种液体化学品、清洗工艺简单、投资及运行成本低等优势。因此,窄间隙介质阻挡放电清洗硅片表面颗粒污染物技术具有广阔的市场应用前景。 相似文献
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A 3D lubrication model between a soft porous brush and rigid flat surface in the post-CMP (chemical mechanical polishing) cleaning process for wafer or hard-disc surface is set up in this article. The mesh porous structure of the brush and the kinematic relations between the brush and the surface are taken into account. The flow governing equations for cleaning process are deduced with Newtonian fluids between the brush nodule and the substrate. The distributions of fluid pressure and hydrodynamic removal moment are calculated. The simulation results show that the fluid pressure has negative regions in inlet area. The removal force is depended on system parameter, location, time and particle size. The load and hydrodynamic moment increase with the increase of brush velocity and deflection of brush nodule, which is effective for cleaning. A low wafer rotation speed is recommended to keep the cleaning uniformity. The removal moment is increasing during the cleaning process. The hydrodynamic drag force decreases rapidly with decreasing of particle size. The models are coincident with the actual process and can be used as reference for designing a higher level cleaning process and the analysis of the formation of particle defect. 相似文献
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太阳电池用Ge抛光片清洗技术的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
Ge抛光片作为化合物太阳电池的衬底材料已引起人们的广泛关注。制备工艺要求衬底材料的表面具有稳定的化学特性和高的清洁度,因此,Ge抛光片的清洗技术显得尤为重要。Ge在常温下既不与浓碱发生反应,也不与单一的强酸反应,其清洗机理与Si、GaAs等材料相差较大。在实验和查阅文献的基础上,阐述了Ge抛光片的清洗机理,介绍了太阳电池用Ge抛光片表面的宏观沾污和微观沾污的清洗方法和过程、同时对Ge抛光片表面的氧化状态进行了分析。另外,还对目前国内外Ge抛光片清洗技术的研究现状及技术水平做了介绍,指出了Ge抛光片清洗技术存在的问题,并对其发展趋势进行了展望。 相似文献