| 多层Cu布线化学机械抛光后颗粒的去除问题 |
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| 引用本文： | 武彩霞,刘玉岭,牛新环,康海燕,苏艳勤.多层Cu布线化学机械抛光后颗粒的去除问题[J].微纳电子技术,2010,47(2). |
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| 作者姓名： | 武彩霞 刘玉岭 牛新环 康海燕 苏艳勤 |
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| 作者单位： | 河北工业大学,微电子研究所,天津,300130 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10676008);;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050080007) |
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| 摘 要： | 针对多层Cu布线化学机械抛光后去除表面吸附颗粒时难以解决的氧化腐蚀问题,分析了颗粒在抛光后Cu表面上存在的两种吸附状态即物理吸附和化学吸附。采用在清洗剂中加入非离子表面活性剂的方法,使Cu表面的颗粒处于易清洗的物理吸附状态;为解决由于Cu在停止化学机械抛光后,具有高能的新加工表面被残留抛光液继续氧化和腐蚀,影响清洗效果的问题,采用在清洗剂中添加防蚀剂BTA的方法在Cu表面形成Cu-BTA单分子致密膜,有效控制了表面氧化和腐蚀。利用光学显微镜对采用不同清洗剂清洗过的Cu表面进行观察分析,发现在清洗剂中添加表面活性剂和防蚀剂BTA,不仅有效去除了表面沾污的颗粒,又保证了清洗后表面的完美与平整。
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| 关 键 词： | 化学机械抛光 颗粒 表面吸附 非离子表面活性剂 清洗剂 苯丙三氮唑 |
Particulate Wiping off After Chemical Mechanical Polishing of Copper Multilevel Interconnects |
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| Wu Caixia,Liu Yuling,Niu Xinhuan,Kang Haiyan,Su Yanqin.Particulate Wiping off After Chemical Mechanical Polishing of Copper Multilevel Interconnects[J].Micronanoelectronic Technology,2010,47(2). |
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| Authors: | Wu Caixia Liu Yuling Niu Xinhuan Kang Haiyan Su Yanqin |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics;Hebei University of Technology;Tianjin 300130;China |
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| Abstract: | According to the problem of oxidation corrosion with wiping off particles after chemical mechanical polishing on the surface of copper for multilevel interconnect,the adsorption state of the particles on the surface of copper was analyzed,including chemical adsorption and physical adsorption.By adding the nonionic surfactant to the cleaner,the adsorption of particles on the surface of copper can be controlled to keep in physical adsorption state and it is easy to clean.Because high-energy superfine surface ... |
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| Keywords: | chemical mechanical polishing particle surface absorption nonionic surfactant cleaner BTA |
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