AlGaAs-GaAs DH激光器退化特性及P-I特性

研究了质子轰击条形双异质结构(DH)激光器的退化特性及P-I 特性,发现一般快退化器件 CW工作寿命小于 200小时.损坏后用 EBIC方法观察到有源区中增殖着暗线缺陷. DH激光器CW工作寿命超过200小时,而且每千小时的退化率小于4％的器件,一般cw工作寿命都能超过5000小时,有的器件已超过8000小时***仍在继续工作. 大部分器件具有良好的线性P-I特性,也有的观察到出现扭折“Kink”,结合近场观测和发射光谱的研究,判定这是由于激光器有源区中Al含量(即x值)的不均匀分布所致.     

AlGaAs/GaAs双异质结激光器退化的研究

观察了室温下工作的DH激光器退化现象,发现在短时间内退化的器件,除阈值升高外尚伴随着微分量子效率下降。对热稳定性良好,并对于较长时间(>250小时)阈值上升率(△J_(th)/J_(th)千小时)小于3％的器件,高温老化证明它们的寿命都能超过万小时量级。     

大功率半导体激光器的可靠性研究

文中介绍了半导体激光器寿命测试的理论依据,给出寿命测试的数学模型,据此对InGaAsP/GaAs有源区无铝的808nm大功率半导体激光器进行高温恒流加速老化实验,得到器件在高温下的寿命,利用外推公式推算出激光器在室温条件下工作的寿命可超过30000小时。讨论了实验中出现的灾变退化,提出了防止灾变退化的几种方法。     

GaAs/GaAlAs双异质结激光器退化的研究(摘要)

我们观察了室温下工作的DH激光器的退化现象,发现在短时间内退化的器件除阈值升高外尚伴随着微分量子效率的下降。这些器件中观察到了暗线缺陷的形成。还有一些较快退化的器件则只有阈值的上升,而量子效率基本上不变。观察到这些器件中往往出现腔面的损伤。对热稳定性良好并于较长时间(>250小时)阈值上升率(△J_(th)/J_(th)千小时)小于3%的器件,高温老化证明它们的寿命都能超过万小时量级。     

(GaAl)As/GaAs质子轰击隔离条形DH激光器的退化原因

对研制的(GaAl)As/GaAs质子轰击隔离条形DH激光器的退化原因进行了实验分析。结果表明:快退化主要起因于有源区内的暗点、暗线及暗区等缺陷的增殖;腔面氧化是限制寿命在千小时的原因之一;质子轰击引入的点缺陷移入有源区是器件限制寿命在万小时的原因之一。     

双异质结激光器退化特性的初步观察

双异质结激光器是光纤通讯较理想的光源,只有寿命达到百万小时以上,才能保证通讯的稳定可靠。目前,国际上已有寿命达到100万小时的报导,而国内研制的器件寿命一般只有百小时,个别好的器件可达千小时,我们制备的激光器有一个达到2500小     

实用化AlGaAs/GaAs双异质结激光器

AlGaAs/GaAs双异质结激光器是光纤通信系统中的主要光源之一,它的万小时工作寿命的可信度是其主要关键指标。为此,国家科委和中国科学院给上海光机所下达了“实用化AlGaAs/GaAs双异质结激光器”的攻关任务,其中主要指标为万小时器件寿命的可信度达到85～90％。     

用金属有机化学汽相淀积法制备的寿命起过700小时的Al_xGa_(1-x)As-GaAs双异质结激光器

用金属有机化学汽相淀积法制作的Al_xGa_(1-x)As—GaAs多量子阱异质结激光器,室温(～26℃)连续工作寿命已超过700小时。在这个时间内器件的输出特性无任何退化。     

补偿式长寿命CO_2激光器的研究

封离式CO_2激光器的长寿命运转受到CO_2离介损耗的限制,本文基于碱土金属碳酸盐分介CO_2的化学平衡原理,采用碳酸钙为CO_2补充源 补偿激光器寿命期间CO_2的离介损耗。对碳酸盐的平衡压强,激光器输出特性等作了实验研究。获得了稳定的长寿命运转,器件已连续运转2500小时,输出功率下降16％。     

铜沾污对高可靠GaAlAs激光器的影响

近十年来,GaAlAs双异质结激光器的可靠性有了相当大的提高。这是由于通过大量的实验,消除了下述退化机构,a)体内退化。这种退化主要是由暗线缺陷和晶体生长中的感生缺陷引起的;b)镜面退化;c)热阻抗退化。ITT元件组充分注意了这些因素,研制了几批20μm宽氧化物条型激光器芯片。这些器件在70℃有每千小时0.15%的中位退化速率。在70℃下有35年的使用期,要是在25℃下使用,寿命还要长。     

大功率量子阱远结半导体激光器

通过将下波导层掺杂为ｐ型,使半导体激光器的有源区与ｐｎ结分离,制作了大功率远结半导体激光器。该器件在老化期间表现出输出功率变大的趋势。理论分析表明,远结半导体激光器特殊的外延结构,决定了器件的阈值比正常器件的高,但是阈值受温度的影响较小,并且器件的退化机制转变为ｐｎ结的退化,这对于制作高可靠性、长寿命、低温度敏感性的半导体激光器具有重要意义。     

(AlGa)As连续激光二极管的可靠性

本文评论了影响连续(CW)(AlGa)As激光二极管可靠性的主要因素。基于我们目前所掌握的有关镜面损伤、按触退化和内部损伤三种因素对器件性能的影响,它们的起源以及如何降低或消除它们等方面的知识,讨论了这三种退化模式。给出了氧化物条型激光器的详细结果,虽然可靠性结果强烈地依赖于制作工艺,许多退化结果与制作工艺同时共存,我们也着重讨论了这方面的问题。我们实验室工作的激光器,室温连续寿命大于40000小时,平均外推失效时间为10~5～16~6小时。在这些激光器中,镜面退化和接触退化看来可以从工艺上进行控制,而起支配作用的失效机构是内部损伤。虽然还未得到很好地论证,但对内部损伤而言,将0.7eV的激活能用于高温加速寿命试验是很有用的。绝大多数可靠性数据都涉及到阈值电流的增加,但是,远场图形的漂移以及激光器调制特性的变化(如自激振荡)同样会影响激光器在实际系统中的特性。     

GaAs-GaAlAs DH激光器暗线(DLD)的观察

<正> 一、引 言 GaAs-GaAlAs双异质结激光器(以下简称 GaAlAs DH激光器)的退化是人们很关心的问题.现在看来,器件退化主要有二种形式:快退化和慢退化.GaAlAs DH激光器有源区暗线的增长是器件快退化的主要原因之一.暗线的形成一般在几分钟到几十小时,因此在器件短期老化后如能方便地对器件内部发光情况进行观察并结合进行如阈值、微分量子效率、热阻、伏安特性等测试,将有助于器件退化原因的分析,有利于改进外延与制     

GaAlAs/GaAs DH激光器升温加速老化

对DH激光器进行升温加速老化,以了解DH激光器高温退化特性,以及这些特性与器件参数间的关系,探讨其退化机率、退化概率;并推算其室温下的平均寿命。本文只限于讨论推算寿命问题。     

氦—氖激光器寿命超过1万小时

氦-氖激光器是应用最广泛的激光器件,但目前器件寿命一般在3000小时左右。为了提高器件寿命,我们分析了目前商用器件寿命低的主要原因,结果表明:1.漏气放电颜色为紫色,这主要是空气中的氮气放电颜色。漏气的原因主要是电极钨杆有裂     

用于单模光纤通信线路中的高可靠性半导体激光器的设计与制造

长途干线远程通信系统,特别是海底光缆系统尤其需要可靠性。本文描述了通过最低限度地减小众所周知的退化损伤而被用作这种单模系统光源的InGaAsP倒置肋波导(IRW)激光器是怎样设计的。本文归纳了大量可靠性保证程序的结果,在七百万小时寿命试验之后得到的结论证实IRW激光器的可靠性性能非常良好。现在这种器件正广泛地用于陆地通信线路系统,并首先用于英国与比利时之间的海底光缆系统。     

808 nm大功率半导体激光器的加速老化实验

对InGaAsP/GaAs有源区无铝的808 nm大功率半导体激光器进行了高温恒流加速老化实验,得到了器件在高温条件下的寿命,利用外推公式推算出激光器在室温条件下工作的寿命可超过30000 h.讨论了实验中出现的灾变退化现象,提出了防止灾变退化的几种方法.     

用于单模光纤通信线路中的高可靠性半导体激光器的设计与制造

长途干线远程通信系统，特别是海底光缆系统尤其需要可靠性。本文描述了通过低限度地减小众周周知的退化损伤而被用作这种单模系统光源的InGaAsP倒置肋波导（IRW）激光器是怎样设计的。本文归纳了大量可靠性保证程序的，在七百万小时寿命这后得到的结论证实IRW激光器的可靠性性能非常良好。现在这种器件正广泛地用于陆地通信线路系统，并首先用于英国比利时之间的海底光缆系统。     

激光在计量中的应用

十二年前提出了受激辐射理论,第一台激光器实现之后已经有了十个年头,出现了能量转换效率超过3终的固体激光器和寿命达5000小时以上的气体激光器等器件,为推广激光的应用,在性能和可靠性方面正在大力开展研究工作。     

GaAIAs/GaAs正面发光管的失效机理研究

研究和分析了高辐射GaAlAs/GaAs LED的退化机理。经高温加速老化,估算器件的工作寿命为10~5小时,并估算该器件的激活能为0.58eV。