基于单片机的程控放大器设计

设计了一种基于单片机的程控放大器.设计主要包括三大部分,即以单片机、模拟开关以及所连的电阻网络作为核心,键盘输入和液晶显示模块.采用CD4053模拟开关,STC89C52单片机,用LCD128*64进行实时显示放大倍数,从而达到程控放大的目的.     

嵌入式液晶显示模块UC1610的开发与应用

介绍了基于嵌入式Linux操作系统的液晶显示模块UC1610的开发与应用,对模块的驱动程序和应用程序进行了设计.详细介绍了SPI0和GPB0驱动程序的编写方法,讨论了汉字显示、字库选择及字模转换等应用程序方面的设计.实验结果表明,结合嵌入式终端S3C2410后,LCD显示效果良好.基于本文设计开发的液晶显示模块使用方便,接口丰富,有很好的商用价值.     

基于51单片机的汉字LCD智能显示模块设计

在基于单片机的智能系统中，汉字显示模块通常都是很重要的组成部分，由于汉字LCD智能显示模块具有应用广泛、操作容易：调试简便等诸多优势，为此，文中阐述了基于I^2C接口的LCD字显示模块的主要功能和特点。同时介绍了该系统的模块化设计思想。     

基于STR-6的数控机床状态实时监控系统设计

本文设计了基于无线数据传输模块STR-6的数控机床状态实时监控系统的硬件结构,介绍了数据传输所采用的时分多址通信协议和实时接收、处理数据的方法,完成了基于多线程技术的无线数据传输模块软件设计。     

基于单片机运动控制系统的设计与实现

为了实现对运动控制系统的控制,提出了一种基于μPSD3354D单片机运动控制系统的设计方案,并完成系统的软硬件设计。该系统硬件部分主要由键盘输入模块、LCD显示模块、电机驱动等模块组成,软件部分采用KeilμVision2进行编程,能够比较精确地控制物体运动,并给出误差分析,实际应用表明,该系统具有适应范围较广,电路简单,成本低,控制方便,移植性强,实用价值高的特点。     

基于μC/OS-Ⅱ操作系统的液晶驱动解决方案

介绍了一种基于μC/OS-Ⅱ操作系统的LCD驱动程序,给出了硬件结构和软件模块.采用文中提出的显示缓冲区 屏幕刷新的方法,完全能够实现静态文本与滚屏动画的显示功能.     

正弦信号函数发生器设计

以微控制器和FPGA为核心,基于RTX51编写软件系统,结合必要的外围电路,完成正弦信号发生器的设计,该系统由红外控制模块、键盘输入模块、LCD显示模块,直接数字频率合成模块,信号调制模块组成,根据输入的频率字,能自动产生1kHz～10MHz的正弦波,实现了幅度调制 (AM),频率调制 (FM) 以及二进制信号PSK、ASK等功能.     

基于单片机的密码锁储物罐设计

设计了一款基于单片机的密码锁储物罐.该系统由STC89C52单片机控制,采用4×4矩阵键盘输入,LCD1602液晶输出.继电器驱动电磁锁以实现储物罐开锁闭锁功能,同时增加了蜂鸣器实现提示和报警功能.     

基于嵌入式ARM的LCD显示接口的设计

S3C2410微处理器芯片是以ARM920T为内核.本文针对基于ARM处理器在车载导航系统终端中图形图像的显示需要,设计了TFT-LCD的接口.本文首先介绍了S3C2410与TFT-LCD接口,并阐述了S3C2410的LCD控制寄存器的设置,讨论了帧缓冲设备驱动程序框架及层次结构和数据结构.设计了在Linux操作系统下,基于帧缓冲的LCD驱动程序的实现方法.     

基才FPGA的多功能LCD显示控制器设计

通过对LCD1602/LCD12864显示模块控制时序和指令集的对比分析,利用Verilog HDL描述语言完成了多功能LCD显示控制模块的IP核设计．所设计的LCD显示控制器具有很好的可移植性。只需通过端口的使能参数配置便可以驱动LCD1602/CD12864模块实现字符或图形的实时显示,并且该多功能LCD控制器的可行性也在CycloneⅡ系列的EP2C5T144C8 FPGA芯片上得到了很好的验证．     

Interfacial reaction and shear strength of SnAgCu-xNi/Ni solder joints during aging at 150 °C

The interfacial microstructure and shear strength of Sn3.8Ag0.7Cu-xNi (SAC-xNi, x = 0.5, 1, and 2) composite solders on Ni/Au finished Cu pads were investigated in detail after aging at 150 °C for up to 1000 h. The interfacial characteristics of composite solder joints were affected significantly by the weight percentages of added Ni micro-particles and aging time. After aging for 200 h, the solder joints of SAC, SAC-0.5Ni and -1Ni presented duplex intermetallic compound (IMC) layers regardless of the initial interfacial structure on as-reflowed joints, whose upper and lower IMC layers were comprised of (CuNi)₆Sn₅ and (NiCu)₃Sn₄, respectively. Only a single (NiCu)₃Sn₄ IMC layer was ever observed at the SAC-2Ni/Ni interface on whole aging process. Based on the compositional analysis, the amount of Ni within the IMC regions increased as the proportion of Ni addition increased. The IMC (NiCu)₃Sn₄ layer thickness on the interface of SAC and SAC-0.5Ni grew more slowly when compared to that of SAC-1Ni and -2Ni, while for the (CuNi)₆Sn₅ layer the reverse is true. Except the IMCs sizes are increased with increased aging time, the interfacial IMCs tended to transfer their morphologies to polyhedra. In all composite joints testing, the shear strengths were approximately equal to non-composite joints. The fracturing observed during shear testing of composite joints occurred in the bulk solder, indicating that the SAC-xNi/Ni solder joints had a desirable joint reliability.     

BNBST无铅压电陶瓷的制备工艺研究

设计了（Bi0.55Na0.5）1-X（BaaSrb）xTiO3（BNBST[100x-100a／100b]）无铅压电陶瓷新体系。该体系压电陶瓷具有工艺特性及压电响应好，压电常数高的特点，且有实际应用前景的新型压电陶瓷材料体系。采用传统的陶瓷工艺制备了（Bi0.55Na0.5）1-X（BaaSrb）xTiO3无铅压电陶瓷，研究了制备工艺参数对其物化结构性能的影响。生料的热重-差热（TGA-DTA）分析表明，粉料合成过程中，先是SrTiO3、BaTiO3的形成，然后是（Bi0．5Na0．5）Tio，的形成，同时三者形成固溶体；密度测试表明，陶瓷的体积密度随烧结温度的升高而增大，可较易获得理论密度94％的陶瓷；X-射线能谱分析（EDAX）研究表明，陶瓷的Bi、Na的挥发随着烧结温度的升高而加剧。研究结果表明，要制备性能优良的无铅压电陶瓷，需要精确控制制备工艺。     

有机发光二极管中ADN掺杂ErQ的1.54μm电致发光

自行设计了基于8-羟基喹啉铒(ErQ)为发射层(EMLs)和二硝酰胺铵(ADN)为蓝光主体材料的近红外有机发光二级管.器件的基本结构为(p-Si/NPB/EML/Bphen/Bphen:Cs2CO3/Sm/Au),设计并比较了三套不同发射层结构(ErQ/ADN为双层结构器件,(ErQ/ADN)×3为多层结构器件,ErQ:ADN为掺杂结构器件)的器件.三组器件在一定的偏压下,均可发出1.54μm的光,对应三价铒离子4I13/2→4I15/2的跃迁.其中,ADN:ErQ(1∶1)掺杂结构的近红外电致发光强度是ADN/ErQ双层结构中的三倍.此外,不同掺杂浓度的ADN:ErQ复合膜做了以下表征:吸收谱、光致发光谱和荧光寿命谱.实验结果证实了在近红外电致发光过程中存在从ADN主体分子到ErQ发射分子的高效率的能量转移.     

Emerging interconnects: a state-of-the-art review and emerging solutions

Aluminium was a primary material for interconnection in integrated circuits (ICs) since their inception. Later, copper was introduced as interconnect material which has better metallic conductivity and resistance to electromigration. As the aggressive technology scaling continues, the copper resistivity increased because of size effects, which causes increase in delay, power dissipation and electromigration. The need to reduce the resistor-capacitor??????? delay, dynamic power utilisation and the crosstalk commotion is as of now the fundamental main impetus behind the presentation of new materials. The purpose of this paper is to do a survey of interconnect material used in IC from introduction of ICs to till date. This paper studies and reviews new materials available for interconnect application which are optical interconnects, carbon nanotube (CNT), graphene nanoribbons (GNRs) and silicon nanowires which are alternatives to copper. While doing a survey of interconnect material, it is found that multiwalled CNTs, multilayer GNR and mixed CNT bundles are promising candidates and are ultimate choice that can strongly address the problems faced by copper but on integration basis copper would last for coming years.     

聚对苯撑苯并双(口恶)唑发光及其器件制备

采用光谱技术,研究了聚对苯撑苯并双(口恶)唑(PBO)溶液的光敏发光特性,并用相对法估算出溶液发光效率在50%范围.结合光谱技术、半导体电学和电化学等研究手段,具体研究了以PBO为发光层的单层电致发光器件,研究结果显示,电致发光与薄膜的光致发光有具有相同的发光中心,峰值位于510 nm左右.同时发现,由于存制备过程中不同处理条件使得不同厚度薄膜残留的掺杂物质浓度不同,从而引起薄膜的导电性的不同.使得器件的阈值场强随PBO厚度的减小而逐渐增加.     

人小肠粘膜免疫酶的定位研究—光镜和电镜免疫组织化学染色法

本文对免疫酶组织化学的样品制备程序和染色方法做了详细的阐述。用直接法、间接法和ABC法,对人小肠免疫酶的定位,进行了光镜和电镜的观察,染色阳性反应显著,获得了满意的效果。并对染色技巧做了分析和探讨。     

钠离子对poly(dT).poly(dA).poly(dT)三螺旋DNA分子呼吸模式的影响

利用分子结构的螺旋对称性,建立了一个包括钠离子的三链DNA分子poly(dT)*poly(dA)*poly(dT)的晶格动力学模型,计算了poly(dT)*poly(dA)*poly(dT)的氢键呼吸模式.结果发现钠离子的加入明显地淬灭了位于较低频率的几个最为强烈的Hoogensteen氢键呼吸模式,而对Watson-Crick氢键呼吸模式影响不明显,这说明钠离子能提高poly(dT)*poly(dA)*poly(dT)三螺旋结构的稳定性.该计算结果很好地解释了poly(dT)*poly(dA)*poly(dT)的热融化实验.     

Arsenic deposition as a precursor layer on silicon (211) and (311) surfaces

We investigate the properties of arsenic (As) covered Si(211) and Si(311) surfaces by analyzing data from x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and low-energy electron diffraction (LEED) images. We then create a model using total surface energy calculations. It was found that both Si(211) and Si(311) had 0.68±0.08 surface As coverage. Si(211) had 0.28±0.04 Te coverage and Si(311) had 0.24±0.04 Te coverage. The Si(211) surface replaces the terrace and trench Si atoms with As for a lower surface energy, while the Si edge atoms form dimers. The Si(311) surface replaces all terrace atoms and adsorbs an As dimer every other edge site. These configurations imply an improvement in the mean migration path from the bare silicon surface by allowing the impinging atoms for the next epitaxial layer, tellurium (Te), to bind at every other pair of edge atoms, and not the step terrace sites. This would ensure a nonpolar, B-face growth.     

系统级封装新型埋入式电源滤波结构的研究

在高密度小尺寸的系统级封装(SiP)中,对供电系统的完整性要求越来越高,多芯片共用一个电源网路所产生的电压抖动除了会影响到芯片的正常工作,还会通过供电网路干扰到临近电路和其他敏感电路,导致芯片误动作,以及信号完整性和其他电磁干扰问题.这种电压抖动所占频带相当宽,几百MHz到几个GHz的中频电源噪声普通方法很难去除.结合埋入式电容和电源分割方法的特点,提出一种新型高性能埋入式电源低通滤波结构直接替代电源/地平面.研究表明,在0.65～4GHz的频带内隔离深度可达-40～75 dB,电源阻抗均在0.25ohm以下,实现了宽频高隔离度的高性能滤波作用.分别用电磁场和广义传输线两种仿真器模拟,高频等效电路模型分析这种低通滤波器的工作原理以及结构对隔离性能的影响,并进行了实验验证.     

盲多用户检测技术中的恒模算法分析

恒模算法（CMA）是一种广泛应用于阵列处理、均衡和多用户检测中的盲算法。现对恒模算法及其在盲多用户检测技术中的应用进行了分析,并指出其研究方向。