一种考虑温度时间-空间分布的解析互连延时模型

本文从热扩散方程出发,得到了互连温度时间-空间分布的解析表达式.考虑互连温度对互连电阻和Elmore延时的影响,同时提出了一种用以分析互连时间-空间温度分布效应对互连延时影响的等效内阻模型.基于所提出的模型,详细地分析了互连长度、输入信号频率和功率对互连延时的影响.所提出的互连温度分布和延时解析模型可以应用于深亚微米温度相关的互连性能分析中.     

微波倒装焊互连技术及特性分析

随着应用频率的提高,微波芯片与基板间的互连更多地采用了倒装焊。文中用HFSS（高频结构仿真器）有限元软件对凸点变换及倒装互连结构进行建模、仿真和优化,提取了凸点变换的等效集总电路模型,介绍了凸点制作工艺和倒装焊结构互连的微组装过程,并完成了试验样品的测试。最后,对微波倒装焊的前景进行了展望。     

RF CMOS工艺片上MOM电容的宽频带建模与验证

提出了一种新的基于RF CMOS技术的金属-氧化物-金属(MOM)电容宽频带建模方法。为了提高模型精度、扩展有效频带,模型在构造时加入了测试焊盘和输入/输出互连线的等效电路。测试结构是基于自身物理结构进行架构的,充分考虑了其在高频时引入的各种寄生效应。互连线模型考虑了高频时的趋肤效应。通过解析提取的方法,在低频时提取测试结构引入的容性和阻性寄生参数。采用物理公式计算互连线的等效电感和电阻以及高频下互连线产生的趋肤效应参数初值。对于模型拓扑结构和参数提取方法,采用40 nm RF CMOS工艺上设计所得连带测试结构MOM电容数据进行验证。在0.25～110 GHz的频率范围内,可得测试和仿真的S参数精确吻合。     

低阻硅CMOS工艺片上互连线模型

提出了一种新的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺片上的互连线模型,模型在考虑互连线金属导体高频效应和衬底效应的基础上,引入了一个电容来表征金属导体通过氧化层在低阻硅衬底中引起的容性耦合特性.建立的互连线模型通过0.18 μm CMOS工艺上制作的互连线测试数据验证,频率精度可至50 GHz.     

基于LC阻抗网络降低芯片信号反射的方法研究

为了降低电路在更高速率工作时的信号反射,任意给定0～100 GHz范围内的频率点,引入LC阻抗网络,分析其适用范围并求解各给定频率点对应的LC网络,最后,在常规互连线模型的终端门电容处就近接入LC网络,使得互连线的输入阻抗与其特性阻抗相当,从而保证了信号传输路径的阻抗连续性。与阻抗匹配前比较,各给定频率点及其附近一定带宽的反射系数都有效降低,从而验证了LC网络对降低高频信号反射的正确性。基于LC网络的匹配方法同样适用于多处阻抗不连续的多层芯片结构。     

倒扣焊安装的微机械毫米波介质集成波导滤波器

为了解决毫米波段滤波器因倒扣焊安装引起的性能恶化问题,本文基于MEMS技术提出了联合仿真设计方法,将MEMS介质集成波导滤波器芯片与罗杰斯介质板利用三维高频仿真软件HFSS进行共同建模设计,充分考虑两者互连时易产生的问题,完成了芯片的制作、安装、测试及结果分析。测试结果表明,该滤波器通带为41.5~42.7GHz,去嵌后通带插损小于0.8dB,通带内反射损耗优于17dB,在38GHz处带外抑制优于40dB,芯片尺寸仅为5.2mm×3.0mm×0.4mm。考虑工艺误差影响,设计与测试结果吻合良好,该方法有效改善了毫米波段滤波器频率偏移及安装互连引起反射损耗恶化等问题。     

高速集成电路芯片内互连线的计算机辅助分析

分析了高速集成电路芯片内互连线的时域特性。首先运用全波方法提取互连线的频变等效电路参数。在此基础上运用数值反拉普拉斯变换 ( NILT)法分析互连电路的时域响应。在分析过程中 ,提出或运用了一些提高精度或效率的技术和方法。分析结果表明 ,该方法很适合高速集成电路芯片内互连线的计算机辅助分析。     

高速集成电路芯片内互连线的计算机辅助分析

分析了高速集成电路芯片内互连线的时域特性。首先营运全波方法提取互连线的频变等效电路参数。在此基础上运用数值反拉普拉斯变换（ＮＩＬＴ）法分析互连电路的时域响应。在分析过程中,提出或运用了一些提出精度或效率的技术和方法。分析结果表明,该方法很适合高速集成电路芯片内至连线的计算机辅助分析。     

基于超材料构建的PCB通信信道芯片无线互连通信研究

提出了一种基于蘑菇型电磁超材料构建的PCB(Printed Circuit Board)的芯片间/芯片内射频通信设计模型.该设计用单极子天线模拟芯片管脚,利用PCB介质作为通信信道,并填充一层超材料吸收多径传播中部分电磁波,降低天线回波损耗和改善天线之间相关度.分析电磁波在PCB介质内传播途径及超材料对其影响.对发射天线输入频率为20GHz不归零伪随机二进制信号,接收天线输出信号的眼图清晰端正.从频域和时域结果分析表明芯片-PCB无线互连可行,而且超材料能够明显改善通信信道而提高信号传输质量.     

VLSI互连线频变 K 参数和频变电阻的有效提取算法

在GHz以上高频集成电路中,必须考虑互连线的电感寄生效应,以便对电路性能进行准确的分析和验证. K参数矩阵(部分电感矩阵的逆)由于其较好的局部化特性,被广泛接受并应用于对互连电感效应进行建模.但多数已有文献未考虑高频效应或效率不高.本文提出一种新的三维频变K 参数提取算法,通过与窗口技术相结合、以及窗口内线性方程组的有效求解,该算法具有较高的计算效率,同时,在此基础上,通过少量额外运算还可得出频变电阻.数值实验表明,该算法可处理复杂的互连结构,并且在保持较高准确度的情况下,其速度比电感提取软件FastHenry快几十至几百倍.     

背向受激二波混频产生自泵浦相位共轭

本文讨论了在光折变晶体中,通过特殊的背向受激二波混频产生自泵浦相位共轭波的理论,并指出散射波的频偏是由于极化光折变晶体中的光生伏打效应引起相位栅的运动而产生的。     

The meta-stable dip (MSD) effect in SOI FinFETs

The meta-stable dip (MSD) effect is demonstrated and characterized in SOI FinFETs. With ascending scan of front-gate voltage (V_G1), the magnitude of drain current (I_D) tends to be fixed within a specific region of the front-gate voltage and this leads to a dip of transconductance (g_m). The dip width can be modulated through a control of bias condition or measurement speed such as back-gate voltage (V_G2), drain voltage (V_D) and step size of the front-gate voltage. From the dual-gate transient measurement, it is found that the MSD effect is highly dependent on the floating-body effect. In SOI FinFETs, the MSD effect is significantly affected by the fin width due to the fringing electric field of the lateral gates.     

无源谐振腔激光陀螺的背散射

从理论上证明了在闭环无源谐振腔激光陀螺中，谐振腔的腔镜背散射不但会引起闭锁效应，而且会引起模牵引效应。探讨了消除闭锁效应的根本方法。     

钛酸钡（BaTiO3）的光束Fanning效应

我们通过实验对激光束透过光折变晶体(BaTiO_3)产生的Fanning效应作了研究。晶体光轴取向、入射光束的偏振状态和入射角是影响光束Fanning效应的主要因素。本文给出实验结果并作了扼要的理论分析。     

The negative differential resistance characteristics of an RC-IGBT and its equivalent circuit model

A simple equivalent circuit model is proposed according to the device structure of reverse conducting insulated gate bipolar transistors （RC-IGBT）. Mathematical derivation and circuit simulations indicate that this model can explain the snap-back effect （including primary snap-back effect, secondary snap-back effect, and reverse snap-back effect） and hysteresis effect perfectly.     

光学双稳系统的耗散与合作效应

本文基于作者所导出的混合型光学双稳系统与原子相关的耗散表达式,详细地讨论了光学双稳系统中原子间的相关效应,即合作效应。证明了在低透支上原子的合作行为,以及在高透支上的单原子行为,是—种普遍现象,不局限于理想化的二能级原子物质。     

Recent Progress of Methods to Enhance Photovoltaic Effect for Self-Powered Heterojunction Photodetectors and Their Applications in Inorganic Low-Dimensional Structures

An important class of photoelectronic devices, self-powered photodetectors, has attracted worldwide attention because of its crucial role in both basic scientific research and commercial/public applications. Thanks to a special synergistic effect, excellent photoelectric properties, and outstanding mechanical stability, the study of heterojunction devices can provide valuable insights and new possibilities for the future of self-powered photodetectors. This paper reviews the recent years of fundamental research of photovoltaic efficiency based on the ferroelectric-enhanced photovoltaic effect, the pyro-phototronic effect, and the piezo-phototronic effect. It also highlights important topics related to heterojunctions and materials that are suitable for self-powered photodetectors. The article concludes with an outlook of the future development in this important and rapidly advancing field.     

KDP二维声电光器件

使用ＫＤＰ晶体作为声电光互作用介质制作了二维反常喇曼奈斯声电光器件,分析了这种器实现激光的二维偏转与强度调制的工作原理,并测量了调制曲线。     

多路径反射对舰载侦察设备侦收信号的影响

结合侦察设备的研制试验,分析了海上多路径反射效应对侦察设备侦收信号的影响。结果表明不同类型的多路径反射效应的影响是不同的,有时会导致信号幅度的变化,有时会使脉冲波形产生畸变,有时会导致信号增批。     

q－光子湮没算符K次方本征态及其量子统计性质

通过构造算符的Ｋ个正交归一本征态，本文讨论了光场振幅Ｎ次方压缩和反聚束效应．