体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现

制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点，文章讨论和分析了体硅RF IC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法，这些方法都与CMOS工艺兼容。     

RF MEMS技术在毫米波探测系统中的应用

微机电系统（MEMS）是一项与集成电路制造工艺相似的新兴技术，其研究领域已扩展到了射频（RF）与微波领域，并有继续向毫米波频率扩展的趋势。文中结合RFMEMS技术研究的最新进展，研究了如何利用最新的RFMEMS技术设计毫米波探测系统，以实现毫米波探测系统的小型化、低功耗和高性能。     

RF采用CMOS工艺实现毫米波电路CMOS工艺带动频率和集成度提高

由于模拟和RF领域的论文提交数量急剧增加,RF从这一次开始作为独立的专业举行会议.在RF领域,CMOS电路技术的进展也很引人瞩目,适用于60GHz等毫米波波段的集成电路终于也可以利用CMOS工艺实现.     

一种与VLSI技术兼容的新型三维集成射频干扰滤波器

基于双π型电磁干扰滤波器(EMIF)的电路结构，借鉴集成电路超微细加工技术，提出了与等平面超大规模集成电路工艺完全兼容的一种新型三维集成射频干扰滤波器电路；简要介绍了该电路的绝缘层上金属薄膜三维集成制造方法，建立了电路传递函数模型，并进行了简要分析。该电路可用于制作适合未来电子系统高频化、小型化、轻型化和片式化信号处理的RF片上系统。     

凌力尔特:以高性能模拟元器件押宝超高频市场

作为电源产品的主要供应商之外,凌力尔特(Linear Technology)公司也为RFID读卡器市场提供高性能模拟和RF集成电路,可提供工艺最先进的解调器、调制器、有源滤波器、高采样率A/D转换器、RF检波器和高效电源管理器件,以提升RFID读卡器的性能。     

三维集成射频电路初露锋芒

随着电子系统向小型化、高性能化、多功能化、低成本和高可靠性方向发展,系统级集成电路就成为发展的必然趋势。伴随使用频率的提高,迫切需要发展高质、低价、小型和高密度的射频(RF)系统级集成电路。目前实现RF系统级集成电路,有三种途径:一是单片微波集成电路(MMIC);二是多芯片模块(MCM);三是用微机械加工技术实现RF电路的三维集成。 本文重点讨论在微波、毫米波频段范围,用微机械加工技术实现RF电路三维集成有关问题。     

射频集成电路的模拟技术

电路模拟是目前RF IC(射频集成电路)设计中主要的CAD工具，文章介绍了RF IC模拟的现状。首先简要叙述了电路稳态响应分析的试射法和谐波平衡法，这是RF IC模拟的基础技术。然后重点介绍了近年来出现的RF IC模拟中的一些新方法，包括基于Krylov子空间迭代的快速算法，包络法，多变量偏微分方程法等，指出了它们的各自的特点和适用的条件，最后讨论了今后的工作方向。     

ADI高性能RF／IF可变增益放大器

美国模拟器件公司（Analog Devices，Inc．，简称ADI）推出一种新的模拟控制可变增益放大器（VGA）AD8368，拓展了其射频（RF）集成电路的产品种类，这种VGA为无线基础设施应用领域，例如蜂窝基站RF收发器，提供了宽频率范围的高线性度。AD8368最适合于用来保持基站RF收发器的宽动态范围，     

一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件

高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路，高压集成电路的研究与发展，主要是高压器件、高压集成电路工艺以及设计技术的发展。文章提出了一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件，并对该器件结构进行了耐压分析，给出了该器件的击穿特性；等势线和电流线等模拟曲线。对不同参数模拟的曲线进行了分析和比较。结果表明，该结构具有比较高的击穿电压，并且工艺简单，受工艺参数波动的影响较小，不失为一种提高集成电路耐压的新途径。     

BTI推广射频收发信机集成电路

BTI国际销售经理Nancy Song说:“中国制造商推出了自己品牌的移动电话和寻呼机、无线键盘、无线鼠标器和无线扬声器。这增强了我们对中国市场的信心。我们将针对这个市场开发并提供RF集成电路产品。” BTI是一家从事大规模RF集成电路的设计和制造的公司,成立于1990     

模拟集成电路的特点及设计平台

讨论了常规和射频模拟集成电路(IC)设计和工艺的特点，介绍了模拟集成电路设计平台，着重论述了电子设计自动化的软件工具、硬件平台，以及设计与工艺接口的设计数据库。详细介绍了模拟IC及RFIC的设计流程和工艺设计包。     

An investigation on the relation between digital circuitry characteristics and power supply noise spectrum in mixed-signal CMOS integrated circuits

Digital power supply noise is a key issue in the design of mixed-signal and radio frequency (RF) integrated circuits (IC). In this paper, we have evaluated the impact of different digital design alternatives and technological parameters on the noise power spectral density. Related rules guiding designers to minimise the effect of digital noise on the analogue RF section conclude the work.     

网络化作战机载射频传感器综合

从近年来新型作战概念牵引、机载平台限制、架构发展及技术推动4个层面阐述了网络化作战环境中射频综合的必要性,基于未来作战样式对于射频综合系统的能力特征需求进行耦合分析;对分立式的异构传感器进行综合设计,提出射频综合的基本架构方案,从机载总体角度对射频综合总体、共形孔径、射频管理等关键技术进行分析,为系统综合设计提供支撑。     

SOI在射频电路中的应用

随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大.SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性.与CMOS工艺的兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势.文章分析了RF电路发展中遇到的挑战和SOI在RF电路中的应用优势,综述了SOI RF电路的最新进展.     

System-defined design and performance of RFICs for W-CDMA mobile radio terminals

Third generation wideband CDMA (W-CDMA) systems like UMTS will add broad-band data to support video, Internet access, and other high speed services for untethered devices. They are currently deployed in Japan and will be introduced in Europe in 2002. Despite sufficient RF performance has been assumed in the standardization bodies, especially in mobile devices the RF part is still a limiting factor for the overall system characteristics. Only an integral design approach including both RF and baseband functionalities makes it possible to achieve analog front-ends with sufficient performance. This paper reviews transceiver architectures with respect to W-CDMA and presents some of the recent silicon-based radio frequency integrated circuits for mobile terminals.     

CMOS射频集成电路：成果与展望

CMOS射频集成电路的研究和制作将大大拓展集成电路的应用空间,文章介绍了采用CMOS工艺集成射频电路研究中所取得的成果,评述了其中存在的问题,最后指出了该领域中未来的几个研究方向。     

Monolithically Integrated Optoelectronic Receivers Implemented in 0.25μm MS/RF CMOS

设计了一种单片集成的光电接收机芯片．在同一衬底上制作了基于同一工艺的光电二极管与接收机电路，以消除混合集成引入的寄生影响．这种单片集成接收机采用了先进的深亚微米MS／RF（混合信号／射频）CMOS工艺，利用这种新型工艺提供的新技术对原有光电二极管进行了改进，使其部分性能显著改善，并对整个光电集成芯片性能的提高有所帮助．     

基于0.25μm MS/RF CMOS工艺的光电单片集成接收机设计

设计了一种单片集成的光电接收机芯片.在同一衬底上制作了基于同一工艺的光电二极管与接收机电路,以消除混合集成引入的寄生影响.这种单片集成接收机采用了先进的深亚微米MS/RF(混合信号/射频)CMOS工艺,利用这种新型工艺提供的新技术对原有光电二极管进行了改进,使其部分性能显著改善,并对整个光电集成芯片性能的提高有所帮助.     

A review on RF ESD protection design

Radio frequency (RF) electrostatic discharge (ESD) protection design emerges as a new challenge to RF integrated circuits (IC) design, where the main problem is associated with the complex interactions between the ESD protection network and the core RFIC circuit being protected. This paper reviews recent development in RF ESD protection circuit design, including mis-triggering of RF ESD protection structures, ESD-induced parasitic effects on RFIC performance, RF ESD protection solutions, as well as characterization of RF ESD protection circuits.     

集成微波光子射频前端技术北大核心

微波光子射频前端具有频率覆盖范围大、工作波段和瞬时带宽可灵活重构、抗电磁干扰等优势,在泛在无线通信、软件无线电、雷达和电子战系统中有着广阔的应用前景。为进一步减小系统的尺寸和功耗以满足实际应用的需求,构建基于光子集成芯片技术的微波光子射频前端微系统势在必行。文章分析了集成微波光子射频前端微系统目前在器件层面和系统集成层面面临的挑战,并从高精细、可重构的光滤波器设计、混合集成系统架构设计和系统频率漂移抑制方案三个方面重点介绍了作者所在课题组开展的关于混合集成可重构微波光子射频前端的研究现状。